芯片封装测试流程详解PPT课件.ppt

LogoIntroduction of IC Assembly ProcessIntroduction of IC Assembly ProcessICIC封装工艺简介封装工艺简介艾LCompany LogoIC Process FlowCustomer客 户IC DesignIC设计Wafer Fab晶圆制造Wafer Probe晶圆测试Assembly& TestIC 封装测试SMTIC组装LCompany LogoIC Package （IC的封装形式）Package-封装体： 指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封装体 IC Package种类很多，可以按以下标准分类： 按封装材料划分为： 金属封装、陶瓷封装、塑料封装 按照和PCB板连接方式分为： PTH封装和SMT封装 按照封装外型可分为： SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；LCompany LogoIC Package （IC的封装形式） 按封装材料划分为： 金属封装陶瓷封装 塑料封装金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品；陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场；塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额；LCompany LogoIC Package （IC的封装形式） 按与PCB板的连接方式划分为： PTHSMTPTH-Pin Through Hole, 通孔式；SMT-Surface Mount Technology，表面贴装式。

目前市面上大部分IC均采为SMT式的SMTLCompany LogoIC Package （IC的封装形式） 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等； 决定封装形式的两个关键因素: 封装效率芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； 引脚数引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加； 其中，CSP由于采用了Flip Chip技术和裸片封装，达到了 芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；封装形式和工艺逐步高级和复杂LCompany LogoIC Package （IC的封装形式） QFNQuad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 SOICSmall Outline IC 小外形IC封装 TSSOPThin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 QFPQuad Flat Package 四方引脚扁平式封装 BGABall Grid Array Package 球栅阵列式封装 CSPChip Scale Package 芯片尺寸级封装 LCompany LogoIC Package Structure（IC结构图）TOP VIEWSIDE VIEWLead Frame 引线框架Gold Wire 金 线Die Pad 芯片焊盘Epoxy 银浆Mold Compound 环氧树脂LCompany LogoRaw Material in Assembly(封装原材料)【Wafer】晶圆LCompany LogoRaw Material in Assembly(封装原材料)【Lead Frame】引线框架 提供电路连接和Die的固定作用； 主要材料为铜，会在上面进行镀银、 NiPdAu等材料； L/F的制程有Etch和Stamp两种； 易氧化，存放于氮气柜中，湿度小 于40%RH; 除了BGA和CSP外，其他Package都会采用Lead Frame， BGA采用的是Substrate；LCompany LogoRaw Material in Assembly(封装原材料)【Gold Wire】焊接金线 实现芯片和外部引线框架的电性和物 理连接； 金线采用的是99.99%的高纯度金； 同时，出于成本考虑，目前有采用铜 线和铝线工艺的。

优点是成本降低， 同时工艺难度加大，良率降低； 线径决定可传导的电流；0.8mil， 1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；LCompany LogoRaw Material in Assembly(封装原材料)【Mold Compound】塑封料/环氧树脂 主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱 模剂，染色剂，阻燃剂等）； 主要功能为：在熔融状态下将Die和Lead Frame包裹起来， 提供物理和电气保护，防止外界干扰； 存放条件：零下5保存，常温下需回温24小时；LCompany LogoRaw Material in Assembly(封装原材料) 成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）； 有三个作用：将Die固定在Die Pad上； 散热作用，导电作用； -50以下存放，使用之前回温24小时；【Epoxy】银浆LCompany LogoTypical Assembly Process FlowFOL/前段EOL/中段Plating/电镀EOL/后段Final Test/测试LCompany LogoFOL Front of Line前段工艺BackGrinding磨片WaferWafer Mount晶圆安装Wafer Saw晶圆切割Wafer Wash晶圆清洗Die Attach芯片粘接Epoxy Cure银浆固化Wire Bond引线焊接2nd Optical第二道光检3rd Optical第三道光检EOLLCompany LogoFOL Back Grinding背面减薄Taping粘胶带BackGrinding磨片De-Taping去胶带 将从晶圆厂出来的Wafer进行背面研磨，来减薄晶圆达到 封装需要的厚度（8mils10mils）； 磨片时，需要在正面（Active Area）贴胶带保护电路区域 同时研磨背面。

研磨之后，去除胶带，测量厚度；LCompany LogoFOL Wafer Saw晶圆切割Wafer Mount晶圆安装Wafer Saw晶圆切割Wafer Wash清洗 将晶圆粘贴在蓝膜（Mylar）上，使得即使被切割开后，不会散落； 通过Saw Blade将整片Wafer切割成一个个独立的Dice，方便后面的 Die Attach等工序； Wafer Wash主要清洗Saw时候产生的各种粉尘，清洁Wafer；LCompany LogoFOL Wafer Saw晶圆切割Wafer Saw MachineSaw Blade(切割刀片)：Life Time：9001500M；Spindlier Speed：3050K rpm：Feed Speed：3050/s;LCompany LogoFOL 2nd Optical Inspection二光检查主要是针对Wafer Saw之后在显微镜下进行Wafer的外观检查，是否有出现废品Chipping Die 崩 边LCompany LogoFOL Die Attach 芯片粘接Write Epoxy点银浆Die Attach芯片粘接Epoxy Cure银浆固化Epoxy Storage：零下50度存放；Epoxy Aging：使用之前回温，除去气泡；Epoxy Writing：点银浆于L/F的Pad上，Pattern可选；LCompany LogoFOL Die Attach 芯片粘接芯片拾取过程：1、Ejector Pin从wafer下方的Mylar顶起芯片，使之便于 脱离蓝膜；2、Collect/Pick up head从上方吸起芯片，完成从Wafer 到L/F的运输过程；3、Collect以一定的力将芯片Bond在点有银浆的L/F 的Pad上，具体位置可控；4、Bond Head Resolution： X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；5、Bond Head Speed：1.3m/s；LCompany LogoFOL Die Attach 芯片粘接Epoxy Write：Coverage 75%;Die Attach：Placement99.95%的高纯 度的锡（Tin），为目前普遍采用的技术，符合 Rohs的要求； Tin-Lead：铅锡合金。

Tin占85%，Lead占 15%，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰；LCompany LogoEOL Post Annealing Bake（电镀退火）目的： 让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，目的在于 消除电镀层潜在的晶须生长（Whisker Growth）的问题;条件： 150+/-5C; 2Hrs；晶须晶须，又叫Whisker，是指锡在长时间的潮湿环境和温度变化环境下生长出的一种须状晶体，可能导致产品引脚的短路LCompany LogoEOL Trim&Form（切筋成型）Trim：将一条片的Lead Frame切割成单独的Unit（IC）的过程；Form：对Trim后的IC产品进行引脚成型，达到工艺需要求的形状， 并放置进Tube或者Tray盘中；。