低电压,单双电源,四芯线单刀单掷,高性能模拟开关.pdf

武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN低低电电压压，，单单/ /双双电电源源，，四四芯芯线线单单刀刀单单掷掷，，高高性性能能模模拟拟开开关关 概述概述 Itersil ISL43143-ISL43145 器件是CMOS，精确，四芯线单刀单掷模拟开关，工作在+2V到+12V的单电 源下，或2V到6V的电源下目标应用包括使用电池供电的设备，因为它有低功耗（2kV 工作条件工作条件 温度范围 ISL4314XIX ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -40℃到 85℃ 热信息热信息 热敏电阻（典型值） θJA(℃/W) 16 Ld TSSOP 封装(注 4) ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 150 16 Ld QFN 封装（注 5） ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 75 最大结点温度（塑料封装）⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 150℃ 湿度敏感度（参见技术概要 TB363） 其他封装 ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 1 级 最大储存温度范围 ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -65℃到 150℃ 最大引线温度（低温焊接 10s）⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ 300℃ 4武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN注意：强度超出所列的极限参数可能导致器件的永久性损坏。

这些仅仅是极限参数，并不意味着在极限条 件下或在任何其它超出推荐工作条件所示参数的情况下器件能有效工作 注：3. NO，NC，COM 或 IN 上超过 V+或 V-的的信号受内部二极管的钳制限制正向二极管电流为 最大额定电流值 4. θJA是在空气条件下，元件直接安装在低效导热性系数的测试板上测量得到的详细内容参考技 术摘要 TB379 5. θJA是在空气条件下，元件直接安装在带有“直接附加”特性的高效导热性系数的测试板上测量得 到的详细内容参考技术摘要TB379 和技术摘要TB389 电气指标：电气指标：± 5V 电源电源 测试条件： VSUPPLY=4.5V到5.5V，GND =0V，V±±INH=2.4V，VINL=0.8V(注 5)，除非另有说明 5武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN注：6．VIN=提供适当功能的输入电压 7．数据手册中使用了代数规则，负的最大值最小，正的最大值最大 8．漏电参数在高温下测得，在 25℃下有相关保证 9. 平直度用希腊字母定义，在规定的电压范围内，其值在最大和最小RON值之间。

10．在任意两个开关之间 电电气指标：气指标：5V 电源电源 测试条件： V+=+4.5V到+5.5V，V-=GND =0V，VINH=2.4V，VINL=0.8V(注 5)，除非另有说明 6武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN电电气指标：气指标：3.3V 电源电源 测试条件： V+=+3.0V到+3.6V，V-=GND =0V，VINH=2.4V，VINL=0.8V(注 5)，除非另有说明 7武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN电气指标：电气指标：12V 电源电源 测试条件： V+=+10.8V到+13.2V，V-=GND =0V，VINH=3.0V，VINL=0.8V(注 5)，除非另有说明 8武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN测试电路和波形图 测试电路和波形图 9武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN详细描述 详细描述 ISL43143-ISL43145 四芯线模拟开关可以在±2V到±6V的双极性电源，和 2V到 12V的单电源下工作 且具有精确的开关能力和低阻抗（18Ω） ，高速的开关动作特性（tON=52ns，tOFF=40ns） 。

由于它的低工作 电源电压（2V） ，低功耗（1μW） ，低漏放电流（最大 5nA） ，使该器件特别适用于由便携电池供电的设备 它的宽的带宽，非常高的断开隔离和串话干扰抑制同样有利于高频应用 电源排序和过压保护 电源排序和过压保护 和所有的 CMOS 器件一样，适当的电源排序可保护器件免受可能使集成电路受到永久性损坏的过量输 入电流的冲击接 V+和接 V-的所有的输入/输出管脚都包括 ESD 保护二极管（见图 8） 为防止二极管的正 向偏置，在输入信号前必须加上 V+和 V-，且输入信号电压必须保持在 V+和 V-之间如果这些条件不能 满足，下面两种保护方法之一就可以达到保护目的 通过在输入端串联一个 1kΩ的电阻，逻辑输入很容易被保护（见图 8） 电阻限制了输入电流，使其 保持在引起永久破坏的门限之下，次微安输入电流在正常工作下产生一个无关紧要的电压降 给开关输入增加一个串联电阻达到了使用一个低RON开关的目的，因此，两个小信号二极管能够与电 源脚串联来为所有管脚提供过压保护（见图 8） 这些附加的二极管使模拟信号的值限制在比V+低 1V，比 V- 高 1V之间低漏放电流性能不受这一方法的影响，但开关电阻可能会增加，特别是在低电源电压下。

10武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN电源供电考虑 电源供电考虑 ISL4314X 结构是典型的 CMOS 模拟开关，因为它们有三个电源引脚：V+，V- 和 GNDV+和 V- 驱 动内部 CMOS 开关，决定它们的模拟电压极限值，因此，模拟信号通路和 GND 之间没有连接不象用 13V 最大电源电压供电的其他模拟开关，ISL4314X 的 15V 最大电源电压为 10%容差的 12V 电源（±6V 或 12V 单电源）提供足够的空间，也为过冲和噪声尖峰信号提供足够的空间 这一系列的开关工作在双极性或单电源下的表现同样出色，且双极性电源不需要对称所需的最小电 源电压为 2V 或2V还必须注意的是输入信号范围，开关次数和较低电源电压下的阻值降低详细内容 请参考电气指标表和典型性能曲线图 ±V+和GND也为内部逻辑(因此设置数字开关点)和电平移位器供电 电平移位器将输入逻辑电平转换为 开关的V+和V- 信号， 来驱动模拟开关门接线端， 所以， 开关参数—特别是RON—是两种电源中最强的功能 逻辑电平门限 逻辑电平门限 V+和GND为内部逻辑段供电，因此，V- 对逻辑门限没有影响。

这一开关系列在V+电源范围为 2.5V 到 10V（参见图 17）的情况下，可兼容TTL电平（0.8V和 2.4V） 在 12V，VIH电平约为 2.8V为了达到最 好的结果，使用一个逻辑系列提供高于 3V的VOH 当数字输入电压不在供电范围内时，数字输入段拉制电源电流（见图 18） 使数字输入信号由GND变 为V+有快速的转换时间， 可以最大限度地减少功率损耗 只要数字输入电压没有被控制在电源范围内 （0V 到V+） ，ISL43143-ISL43145 开关就会将电源电流减到最小例如，工作在双极性或单一的 5V电源下时， 用 3V的逻辑驱动器件，器件仅拉制 10μA的电流（见图 18，VIN=3V） 相似的其它器件会拉制这一电流量 的 8 倍 高频性能 高频性能 在 50Ω系统中，信号响应一般是平展的，即使超过 200MHz（参见图 19） 图 19 也说明了在宽的 V+ 范围下，对变化的模拟信号电平，频率响应是一致的 断开开关的操作相当于一个电容， 可通过高频而减少衰减， 使信号馈通， 由开关的输入变为它的输出 断开隔离是馈通的电阻，串话干扰指示了从一个开关到另一开关的馈通量。

图 20 列出了这一系列所提供 的高断开隔离和串话干扰抑制10MHz 下，在 50Ω系统中断开隔离约为 50dB，频率每增加 10，断开隔离 就减少大约 20dB由于分压器对开关断开电阻和负载电阻的作用，更高的负载电阻会减少断开隔离 漏电考虑 漏电考虑 反向 ESD 保护二极管在每个模拟信号管脚和 V+与 V- 之间是内部相连的如果任何一个模拟信号超 过 V+或 V- ，其中一个二极管就会导通 实际上，所有的模拟漏放电流都由对 V+或 V- 的 ESD 二极管产生尽管在给出信号脚上的 ESD 二极 管是相同的且很好地平衡，但它们的反向偏置是不同的每个的偏置由 V+或 V- ，和模拟信号决定这意 11武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN味着它们的漏放随信号的变化而变化两个二极管中对 V+和 V- 管脚漏放的不同，构成了模拟信号通路漏 放电流所有的模拟漏放电流在每个管脚和其中一个电源终端中流动，不到达其他开关终端这就是为什 么给出开关的两边都可以显示相同或相反极性的漏放电流的原因模拟信号通路和 GND 之间没有连接。

典型性能曲线图 典型性能曲线图 TA=25℃，除非另有说明 12武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN 13武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN电路特征 电路特征 基片电势（加电）基片电势（加电） V- 晶体管数量：晶体管数量： ISL43143：209 ISL43144：209 ISL43145：209 工艺：工艺： 硅门控 CMOS 14武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-880-8051 数据手册数据手册 DS-107-00019CN四芯线平板无铅塑料塑料封装（四芯线平板无铅塑料塑料封装（QFN）） 微引线结构塑料封装（微引线结构塑料封装（MLFP）） 15武汉力源信息技术股份有限公司 免费：800-8808051缩小外形塑料封装（缩小外形塑料封装（TSSOP））Intersil 公司所有产品的制造，组装和测试都采用 ISO9000 质量体系标准 查阅 Intersil 公司的质量证明书，请登陆 关于 Intersil 公司和产品的更多信息，请浏览： 声明声明：本资料仅供参考。

如有不同之处，请以相应英文资料为准 1。