MEMS工艺——半导体制造技术.ppt

MEMS工艺——半导体制造技术主要内容Ø掺杂技术、退火技术Ø表面薄膜制造技术Ø光刻技术Ø金属化技术Ø刻蚀技术Ø净化与清洗Ø接触与互连Ø键合、装配和封装集成电路制造过程一、 掺杂与退火掺杂定义：就是用人为的方法，将所需的杂质（如磷、硼等），以一定的方式掺入到半导体基片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要求的分布，以达到改变材料电学性质、制作PN结、集成电路的电阻器、互联线的目的掺杂的主要形式：注入和扩散 Ø退火：也叫热处理，集成电路工艺中所有的在氮气等不 活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火Ø目的：激活杂质 消除损伤 结构释放后消除残余应力Ø退火方式： 炉退火 快速退火1.扩散工艺Ø定义：在一定温度下杂质原子具有一定能量，能够克服阻力进入半导体并在其中做缓慢的迁移运动Ø形式：替代式扩散和间隙式扩散 恒定表面浓度扩散和再分布扩散Ø替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位：ØⅢ、Ⅴ族元素Ø一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行Ø磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层Ø间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙：ØNa、K、Fe、Cu、Au 等元素Ø扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级扩散工艺主要参数扩散工艺主要参数Ø结深：当用与衬底导电类型相反的杂质进行扩散时，在硅片内扩散杂质浓度与衬底原有杂质浓度相等的地方就形成了pn结，结距扩散表面的距离叫结深。

Ø薄层电阻Rs（方块电阻）Ø表面浓度：扩散层表面的杂质浓度扩散的适用数学模型是Fick定律 式中： F 为掺入量 D 为扩散率 N 每单位基底体积中掺入浓度扩散方式Ø液态源扩散：利用保护气体携带杂质蒸汽进入反应室，在高温下分解并与硅表面发生反应，产生杂质原子，杂质原子向硅内部扩散Ø固态源扩散：固态源在高温下汽化、活化后与硅表面反应，杂质分子进入硅表面并向内部扩散液态源扩散Ø扩散源：硼酸三甲酯，硼酸三丙酯等Ø扩散原理：硼酸三甲酯500C分解后与硅反应，在硅片表面形成硼硅玻璃，硼原子继续向内部扩散，形成扩散层硼BØ扩散系统：N2气源、纯化、扩散源、扩散炉Ø扩散工艺：预沉积，去BSG，再分布Ø工艺条件对扩散结果的影响Ø气体流量、杂质源、温度液态源扩散Ø扩散源：POCl3，PCl3，PBr3等Ø扩散原理：三氯氧磷600C分解后与硅反应，在硅片表面形成磷硅玻璃，磷原子继续向内部扩散，形成扩散层Ø扩散系统：O2和N2气源、纯化、扩散源、源冷却系统、扩散炉Ø扩散工艺：预沉积，去PSG，再分布磷P固态源扩散Ø箱法B扩散 B2O3或BN源，石英密封箱Ø片状BN扩散氧气活化，氮气保护，石英管和石英舟，预沉积和再分布Ø片状P扩散扩散源为偏磷酸铝和焦磷酸硅Ø固-固扩散（乳胶源扩散）扩散炉质量分析Ø1．硅片表面不良：表面合金点；表面黑点或白雾；表面凸起物；表面氧化层颜色不一致；硅片表面滑移线或硅片弯曲；硅片表面划伤，边缘缺损，或硅片开裂等Ø2．漏电电流大：表面沾污引起的表面漏电；氧化层的缺陷破坏了氧化层在杂质扩散时的掩蔽作用和氧化层在电路中的绝缘作用而导电；硅片的缺陷引起杂质扩散时产生管道击穿。

Ø3．薄层电阻偏差Ø4．器件特性异常：击穿电压异常；hFE异常；稳压二极管稳压值异常工艺控制Ø污染控制：颗粒、有机物、薄膜、金属离子Ø污染来源：操作者,清洗过程,高温处理,工具Ø• 参量控制：温度，时间，气体流量(影响最大?)Ø1.温度控制：源温、硅片温度、升温降温、测温Ø2.时间： 进舟出舟自动化, 试片Ø3.气体流量：流量稳定，可重复性，假片2.离子注入•定义：将掺杂剂通过离子注入机的离化、加速和质量分析，成为一束由所需杂质离子组成的高能离子流而投射入晶片（俗称靶）内部，并通过逐点扫描完成整块晶片的注入•掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定•掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定 Ø 掺杂的均匀性好Ø温度低：小于600℃Ø可以精确控制杂质分布Ø可以注入各种各样的元素Ø横向扩展比扩散要小得多Ø可以对化合物半导体进行掺杂离子注入的优点：离子注入Ø特点：横向效应小，但结深浅；杂质量可控；晶格缺陷多Ø基本原理：杂质原子经高能粒子轰击离子化后经电场加速轰击硅片表面，形成注入层Ø装置：离子源、聚焦、分析器、加速管、扫描、偏转、靶室、真空系统离子注入系统的原理示意图离子注入系统的原理示意图离子注入的步骤注入的离子在基底中的分布Ø根据Ruska(1987)，注入离子的浓度N（X）可遵循下面方程式RP 为注入的范围，umΔRP为分散度或者“离散度” Q是离子束的剂量（原子数/cm2）硅中常用掺杂剂的离子注入 离子范围 Rp，nm 分散 Rp，nm在30keV 能级硼（B）106.539.0磷(P)42.019.5砷(As)23.39.0在100 keV 能级硼（B）307．069．0磷(P)135．053．5砷(As)67．826．13、退火Ø定定义：一般是利用各种能量形式所：一般是利用各种能量形式所产生的生的热效效应，来消除半，来消除半导体片在其加工体片在其加工过程中所引起的程中所引起的各种晶格缺陷和内各种晶格缺陷和内应力，或根据需要使表面材力，或根据需要使表面材料料产生相生相变和改和改变表面形表面形态。

Ø定义：将注入离子的硅片在一定温度和真空或氮、氩等高纯气体的保护下，经过适当时间的热处理，部分或全部消除硅片中的损伤，少数载流子的寿命及迁移率也会不同程度的得到恢复，掺入的杂质也将的到一定比例的电激活，这样的热处理过程称为退火分类Ø普通热退火Ø硼的退火特性Ø磷的退火特性Ø扩散效应Ø快速退火Ø方式：Ø热退火：管式炉，保护气氛，900C， 20~30min，用于再扩散Ø激光退火：自淬火，局部加热，制备欧 姆接触Ø电子退火普通热退火Ø退火时间通常为15--30min，使用通常的扩散炉，在真空或氮、氩等气体的保护下对衬底作退火处理Ø缺点：清除缺陷不完全，注入杂质激活不高，退火温度高、时间长，导致杂质再分布Ø1 区单调上升： 点缺陷、陷井缺陷消除、自由载流子增加Ø2 区出现反退火性： 代位硼减少，淀积在位错上Ø3 区单调上升: 剂量越大，所需退火温度越高杂质浓度达1015以上时出现无定形硅退火温度达到600℃～800℃二、表面薄膜技术Ø在微电子技术以及在微结构、微光学和微化学传感器中，需要在由不同材料构成的大面积的薄膜层中构造功能完善的结构。

功能：1、完成所确定的功能 2、作为辅助层方式：氧化(Oxidation) 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition) 外延(Epitaxy)1、氧化Ø定义：硅与氧化剂反应生成二氧化硅Ø原理：氧化剂被表面吸附，向膜中扩散，在二氧化硅和硅的接触界面反应生成新的二氧化硅，接触界面向深层逐步推进Ø种类：热氧化、热分解淀积、外延淀积二氧化硅膜的五种用途：Øက 杂质扩散掩蔽膜aØက 器件表面保护或钝化膜bØက 电路隔离介质或绝缘介质cØက 电容介质材料dØက MOS管的绝缘栅材料e二氧化硅膜的性质（1）Ø1.二氧化硅膜的化学稳定性极高，不溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不起作用u利用这一性质作为掩蔽膜，光刻出IC 制造中的各种窗口 Ø2. 二氧化硅膜的掩蔽性质uB、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数Dsi > Dsio2uSiO2 膜要有足够的厚度一定的杂质扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度二氧化硅膜的性质（2）Ø3. 二氧化硅膜的绝缘性质u热击穿、电击穿、混合击穿： a.最小击穿电场（非本征）－－针孔、裂缝、杂质。

b.最大击穿电场（本征）－－厚度、导热、界面态电荷等；氧化层越薄、氧化温度越高， 击穿电场越低u介电常数3～～4（3.9）二氧化硅膜的性质（3）Ø4. Si--SiO2的界面特性及解决（1）可动离子电荷：如Na+离子---Si表面负电荷（N型沟道）－－清洗、掺氯氧化工艺－－PSG－SiO2（2）固定氧化物电荷----过剩的Si+（3）界面陷阱电荷(快态界面)－分立、连续能级、电子状态（4）氧化物陷阱电荷： Si －SiO2界面附近（109～1013/cm2）---300℃退火（5）氧化层上的离子沾污常压氧化技术Ø种类：水汽氧化、干氧氧化、湿氧氧化Ø干氧：二氧化硅膜干燥致密，掩蔽能力强，与 光刻胶粘附性好，但氧化速度慢Ø湿氧：速度快，但二氧化硅疏松，与光刻胶粘 附性不好，易脱落Ø实际工作中，往往用干氧、湿氧、干氧的方法，速度快粘附性好Ø水汽氧化速度更快，但是质量差，一般不用常压氧化技术常压氧化技术Ø设备：： 氧化源、加氧化源、加热器、氧化炉、器、氧化炉、热电偶偶Ø氧化效果分析氧化效果分析Ø厚度厚度检测：比色法、干涉法：比色法、干涉法Ø针孔孔检测：腐：腐蚀法、法、电化学法化学法ØC-V性能性能检测其他氧化技术其他氧化技术Ø高高压水汽氧化：水汽氧化：VLSI应用用Ø等离子体氧化等离子体氧化Ø热分解淀分解淀积二氧化硅二氧化硅Ø烷氧基硅氧基硅烷分解淀分解淀积Ø硅硅烷在氧气中分解在氧气中分解Ø在硅基上产生二氧化硅最经济的方法就是热氧化。

此工艺中的化学反应如下：二氧化硅的热氧化设备a)氧化初始阶段 b)氧化层的形成 c）氧化层的生长由颜色来确定氧化层厚度2、化学气相淀积技术、化学气相淀积技术ØCVD：：Chemical Vapor DepositionØ定定义：使用加：使用加热、等离子体和紫外、等离子体和紫外线等各种能源，等各种能源，使气使气态物物质经化学反化学反应（（热解或化学合成），形解或化学合成），形成固成固态物物质淀淀积在在衬底上相对的蒸的蒸发和和溅射射为物理气相淀物理气相淀积Ø特点：温度低、均匀性好、通用性好、台特点：温度低、均匀性好、通用性好、台阶覆盖覆盖性能好，适合大批量生性能好，适合大批量生产化学气相淀积技术（化学气相淀积技术（CVD））分分类：：Ø按照淀按照淀积温度：温度： 低温（低温（200－－500）） 中温（中温（500－－1000）） 高温（高温（1000－－1200））Ø按照反按照反应压力：力： 常常压、低、低压Ø按反按反应壁温度：壁温度： 热壁、冷壁壁、冷壁Ø按反按反应激化方式：激化方式：热激活激活 等离子体激活等离子体激活 光激活光激活常用CVDØ常压冷壁：（APCVD） 用于生长掺杂与不掺杂的二氧化硅Ø低压热壁：（LPCVD） 用于生长多晶硅与氮化硅Ø等离子体激活（PECVD） 可以降低反应所需温度，常用于生长氮化 硅，作最后钝化层使用CVD中的化学反应Ø常用三种薄膜的化学反应：二氧化硅氮化硅多晶硅CVD工艺特点：（1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点或软点。

因此减轻了衬底片的热形变，减少了玷污，抑制了缺陷生成; 设备简单，重复性好；（2）薄膜的成分精确可控、配比范围大；（3）淀积速率一般高于PVD（物理气相淀积，如蒸发、溅射等）；厚度范围广，由几百埃至数毫米且能大量生产；（4）淀积膜结构完整、致密，与衬底粘附性好化学气相淀积化学气相淀积ØLPCVD：成本低，均匀性好，台：成本低，均匀性好，台阶覆盖好，覆盖好， 片子干片子干净ØPECVD：温度低，易于腐：温度低，易于腐蚀，，针孔密度小孔密度小Ø系系统：：Ø气体气体输入：正硅酸乙入：正硅酸乙酯，硅，硅烷和氨气，硅和氨气，硅烷Ø激活能源：激活能源：电阻加阻加热（（热壁），壁）， 射射频或紫外光或紫外光 （冷壁）（冷壁）Ø气体排出：氮气或气体排出：氮气或氩气保气保护Ø旋旋转装置：保装置：保证均匀性均匀性常压化学气相淀积特点:用于SiO2的淀积Ø◆ PWS－5000：ØSiH4+O2=SiO2 +H2 OØφ100mm：10片，φ125mm:8片ØTime:15minØTemp:380～450℃±6℃Ø厚度均匀：< ±5％低压化学气相淀积应用情况Ø多晶硅：SiH4/Ar(He) 620℃ØSi3N4: SiH2Cl2 +NH3 750~800℃ØPSG: SiH4 +PH3 +O2 450℃ØBSG: B2H6 +O2 450℃ØSiO2: SiH2Cl2 +NO2 910℃等离子体化学气相淀积Ø◆ 特点：温度低200~350℃，适用于布线Ø隔离ØSi3N4: SiH2Cl2 +NH3ကØPSG: SiH4 +PH3 +O2 က三种主要CVD工序的总结和比较CVDCVD工艺工艺压强压强/ /温度温度通常的淀积速通常的淀积速率率1010-10-10米米/ /分分优点优点缺点缺点应用应用APCVD 100—10kPa350~400℃SiO2：700简单、高速、低温覆盖度较差微粒污染掺杂或非掺杂氧化物LPCVD1—8汞柱℃550~900℃SiO2：50—180Si3N4 ：30—80多晶硅：30—80纯度高和均匀性高，晶片容量大温度高高淀积速率掺杂或非掺杂氧化物、氮化物、晶体硅、钨PECVD0.2—5汞柱300~400℃Si3N4： 300—350较低的衬底温度快、好的附着性易受化学污染在金属上和钝化物的低温绝缘体3.3.外延沉积外延沉积Ø概念： 在单晶体基底生长同样单晶体材料的薄膜 Ø特点：Ø生长的外延层能与衬底保持相同的晶向Ø外延层厚度比氧化和CVD得到的厚度都大Ø利用外延层可以有效控制准三维结构深度微电子工业中有几种技术可用于外延沉积Ø气相外延(VPE)Ø分子束外延(MBE)Ø金属有机物CVD(MOCVD)Ø互补金属氧化物半导体(CMOS)外延用于外延淀积的反应物气体反应物蒸气正常工艺温度℃正常淀积速率μm/min需要的能量供给eV评论SiH410000.1~0.51.6~1.7没有模式转变SiH2Cl211000.1~0.80.3~0.6有些模式转变速SiHCl311750.2~0.80.8~1.0有大的模式转变SiCl412250.2~1.01.6~1.7有非常大的模式转变在上页中用SiH4蒸气在硅衬底上生长硅膜是其中最简单的一种。

在约1000℃时，通过简单的分解可生产硅，如下式所示：系统示意图外延生长程序Ø(1)N2预冲洗260L/min 4minØ(2)H2预冲洗260L/min 5minØ(3)升温1 850ºC 5minØ(4)升温2 1170ºC 6minØ(5)HCl排空1.3L/min 1minØ(6)HCl抛光1.3L/min 3minØ(7)H2冲洗(附面层) 260L/min 1min分子束外延（MBE）工艺Ø一、分子束外延技术Ø◆ 分子束外延（MBE）是一种超高真空蒸发技术，Ø广泛用于半导体单晶的沉积特别是Ⅲ－Ⅴ，ⅡØ－Ⅵ族化合物半导体和Si，Ge的沉积也可用于Ø多种金属和金属氧化物Ø◆ 在超高真空（UHV）条件下进行，生长速度非常Ø低，通常在1μm/h左右Ø◆ 超高真空的环境、低温和慢的生长速度，同时給Ø碰撞原子提供了足够时间，使之沿衬底边沿扩散，Ø进入适当的晶格格点，形成完美晶体MBE生长室的基本结构示意图三、三、 光刻光刻(Lithography)Ø定定义：：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术Ø种种类：接触式，接近式，投影式：接触式，接近式，投影式Ø重要性：是唯一不可缺少的工重要性：是唯一不可缺少的工艺步步骤，是一个，是一个复复杂的工的工艺流程流程Ø工工艺过程：程：备片片清洗清洗烘干烘干甩胶甩胶前烘前烘对准准曝光曝光显影影坚膜膜腐腐蚀工工艺等等去胶去胶Ø光刻的目的: 在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。

分步重复曝光光学原理图各种曝光方式的比较四、四、 金属化：溅射和蒸发金属化：溅射和蒸发Ø蒸蒸发和和溅射是制射是制备金属金属结构构层和和电极的主要方极的主要方法是物理气相淀法是物理气相淀积的方法Ø金属材料的要求金属材料的要求Ø良好的良好的导电性性Ø容易形成良好的欧姆接触容易形成良好的欧姆接触Ø与硅和二氧化硅粘附性好与硅和二氧化硅粘附性好Ø能用蒸能用蒸发或或溅射的方法形成薄膜射的方法形成薄膜Ø易于光刻，易于光刻，实现图形化形化Ø常用金属材料：常用金属材料：Al, Au, Ag, Pt, W, Mo, Cr, Ti集成电路对金属化的要求Ø1.对P+或N+形成欧姆接触,硅/金属接Ø触电阻越小越好，良好的导电性Ø2.低阻互连线,引线电阻越小越好Ø3.抗迁徙Ø4.良好的附着性Ø5.耐腐蚀Ø6.易于淀积和光刻Ø7.易键合Ø8.层与层之间不扩散1、蒸发、蒸发Ø定定义：将制膜材料和被制膜基板在真空室中加：将制膜材料和被制膜基板在真空室中加热到相当高到相当高的温度，使之蒸的温度，使之蒸发或升或升华形成金属蒸汽，在硅片表面淀形成金属蒸汽，在硅片表面淀积形成金属薄膜的工形成金属薄膜的工艺Ø分分类：：电阻、高阻、高频、激光、、激光、电子束加子束加热Ø真空真空镀膜机：膜机：Ø真空真空镀膜室：膜室：钟罩、加罩、加热器、器、挡板、底板、底盘Ø抽气系抽气系统：：10-5~10-2Pa, 真空真空泵和和扩散散泵Ø真空真空测量量仪器：器：热偶、偶、热阴极阴极电离、高离、高频火花火花蒸发蒸发Al工艺工艺Ø挂置挂置Al丝，清洗并放置硅片，清洗并放置硅片Ø抽真空：机械抽真空：机械泵、、扩散散泵，，7 10-3PaØ衬底加底加热Ø熔球，熔球，预蒸蒸发和蒸和蒸发Ø冷却、取出硅片冷却、取出硅片Ø合金化，形成欧姆接触。

合金化，形成欧姆接触<577 CØ质量分析量分析Ø厚度控制和厚度控制和测量：量：时间控制，控制，电阻法，天平称量阻法，天平称量Ø铝膜表面氧化膜表面氧化电子束蒸发电子束蒸发Ø原理：利用原理：利用经过高高压加速并聚焦的加速并聚焦的电子束，在真空中直子束，在真空中直接打到源表面，将源蒸接打到源表面，将源蒸发并淀并淀积到到衬底表面形成薄膜底表面形成薄膜Ø设备：偏：偏转电子子枪真空真空镀膜机膜机Ø优点点Ø淀淀积的的Al膜膜纯度高，度高，钠离子玷离子玷污少少Ø台台阶覆盖性能好覆盖性能好Ø采用采用红外外线加加热衬底，工作效率高底，工作效率高Ø缺点：缺点：X射射线破坏硅表面晶体；破坏硅表面晶体； 压力大于力大于10²Pa时会引起放会引起放电2、溅射、溅射Ø原理：惰性气体（原理：惰性气体（Ar）在真空室中高）在真空室中高电场作用下作用下电离，离，产生的正离子被生的正离子被强电场加速加速形成高能离子流形成高能离子流轰击溅射靶，靶（源）原射靶，靶（源）原子和分子离开固体表面，以高速子和分子离开固体表面，以高速溅射到阳射到阳极（硅片）上淀极（硅片）上淀积形成薄膜形成薄膜Ø分分类：直流：直流溅射、等离子体射、等离子体溅射、高射、高频溅射、磁控射、磁控溅射射直流溅射直流溅射Ø设备：阴极（：阴极（溅射源）、阳极（硅片），射源）、阳极（硅片），距离距离3~10cm氩气气压强1~10Pa 3~5V直流直流电压，，辉光放光放电Ø特点：特点：结构构简单，可得到大面，可得到大面积均匀薄均匀薄膜；放膜；放电电流容易随流容易随电压和气和气压变化，化，速率不易控制速率不易控制 等离子四极溅射等离子四极溅射Ø热阴极阴极发射射电子，在阴极和阳极子，在阴极和阳极间产生等离生等离子体。

用子体用电磁磁线圈圈产生的磁生的磁场可使等离子体可使等离子体在中心在中心轴附近聚焦成等离子柱靶上加附近聚焦成等离子柱靶上加负高高压，等离子体中的正离子在，等离子体中的正离子在电场作用下作用下轰击靶，使源原子靶，使源原子溅射到接地的硅片上射到接地的硅片上Ø特点：真空度要求低，淀特点：真空度要求低，淀积膜厚度容易控制，膜厚度容易控制，金属膜的金属膜的纯度高等离子磁控溅射源示意图1.溅射膜厚度传感器2 . 行星盘转动机构3. 温度检测热偶4 . 行星盘5 ． 挡板6 .真空室放气阀7. 溅射靶（园环形）8 . 热偶规9. 高真空阀10. 低真空阀11.机械泵12. 前置（管道）阀13.热偶规14. 扩散泵加热器15.扩散泵16. 液氮冷阱17. 靶体冷却水及功率源馈管18. 离子规19. 环状等离子体20. 磁力线21.真空室22. 电源柜23. 控制柜24. 阳极高频溅射高频溅射Ø在在绝缘材料的背面加上一个金属材料的背面加上一个金属电极，加极，加上高上高频电压，使，使绝缘材料中材料中产生位移生位移电流，流，实现绝缘材料的材料的溅射淀射淀积Ø频率：率：10MHzØ特点：不需要特点：不需要热阴极，能在阴极，能在较低的气低的气压和和电压下下进行行溅射，可以射，可以溅射多种材料的射多种材料的绝缘介介质膜。

膜磁控溅射Ø可溅射各种合金和难熔金属；Ø磁控溅射中衬底可不加热，从阴极表面发射的二次电子由于受到磁场的束缚而不再轰击硅片，避免了硅片的温升及器件特性的退化平板型磁控溅射源示意图由于在阴极面上存在极强的磁场，电子受洛伦茲力作用而被限制在阴影区内，沿着类似摆线的轨迹运动（虚线），于是增加了电子与气体的碰撞次数，增加了等离子体的密度，提高了溅射速率真空蒸发与溅射成膜的比较蒸发溅射沉积速度较快较慢（磁控除外）膜的致密性很好更好膜与基板结合力较差牢固膜中含气量很少较多膜材选择性各材蒸汽压相差大各材溅射率相差小操作要求操作要求较高，工艺重复性差工艺重复性好，易实现自动化合金化合金化Ø目的：使接触孔中的铝与硅之间形成低欧姆接触，并增加铝与二氧化硅之间的附着力，使互连线和压焊点牢固的固定在硅片上Ø关键：合金温度和合金时间的控制五、刻蚀五、刻蚀Ø选用适当的腐用适当的腐蚀剂，将掩膜，将掩膜层或或衬底刻穿底刻穿或减薄，以或减薄，以获得完整、清晰、准确的光刻得完整、清晰、准确的光刻图形或形或结构的技构的技术Ø腐腐蚀必必须具有具有选择性，腐性，腐蚀剂应对光刻胶光刻胶或掩膜或掩膜层不腐不腐蚀Ø腐腐蚀因子：腐因子：腐蚀深度与横向腐深度与横向腐蚀量之比量之比Ø分分类：干法等离子体腐：干法等离子体腐蚀和湿法腐和湿法腐蚀VLSL对图形转移的要求---保真度VLSL对图形转移的要求---选择性VLSL对图形转移的要求---均匀性VLSL对图形转移的要求---清洁度刻蚀方法--湿法刻蚀Ø• 湿法刻蚀:利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除Ø未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。

Ø• 三个步骤：Ø1）反应物扩散到被刻蚀的材料表面；Ø2）反应物与被刻蚀薄膜反应；Ø3）反应后的产物从刻蚀表面扩散到溶液中，并随溶液被排出刻蚀方法-- 干法刻蚀Ø• 特点: 利用刻蚀气体辉光放电形成的等离子体进行刻蚀Ø• 优点: 各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高Ø• 缺点：成本高，设备复杂Ø• 分类：物理性、化学性、物理化学性刻蚀物理性刻蚀Ø• 机理：利用辉光放电将惰性气体解离成带正电的离子，再利用偏压将离子加速，轰击被刻蚀物的表面，并将被刻蚀物材料的原子击出Ø• 设备：离子铣Ø• 特点：Ø1.纯粹的机械过程，对所有材料都可实现强的各向异性刻蚀Ø2.选择比差；Ø3.刻出物易再淀积；Ø4.易对下面结构造成损伤；Ø5. 单片刻蚀化学性刻蚀Ø• 机理：Ø设备：高压等离子体刻蚀机Ø• 特点：Ø1.主要依靠化学反应进行刻蚀，选择性好；Ø2.各向异性差；Ø3.对基底的损伤小Ø4.刻蚀速度低以CF4为刻蚀气体刻蚀Si 为例：e- + CF4 →CF2+2F+ e-Si+4F→ SiF4Si+2CF2 → SiF4 + 2C物理化学性刻蚀Ø• 机理：物理性的离子轰击和化学反应相结合实现的刻蚀。

Ø• 设备：反应离子刻蚀机（RIE)Ø• 传统的RIE设备结构简单、价格较低廉通过适当选择反应气体、气压、流量和射频功率，可以得到较快的刻蚀速率和良好的各向异性Ø• 特点：Ø1.选择比较高；Ø2.各向异性较好，Ø3.刻蚀速度较快Ø• 离子轰击的作用：Ø1.将被刻蚀材料表面的原子键破坏；Ø2.将再淀积于被刻蚀表面的产物或聚合物打掉六、六、 净化和清洗净化和清洗Ø清洗：除去器件制造清洗：除去器件制造过程中偶然引入的程中偶然引入的“表面玷表面玷污”杂质（来自加工（来自加工过程或清洗），如程或清洗），如颗粒、粒、杂质膜、物理吸附或化学吸附等清洗是一个必需膜、物理吸附或化学吸附等清洗是一个必需的复的复杂的工的工艺过程Ø清洗清洗过程必程必须遵循固定的程序和遵循固定的程序和顺序Ø硅片的清洗：原始硅片、工硅片的清洗：原始硅片、工艺环节前、甩胶前、前、甩胶前、去胶后等；去胶后等；清洗液Ø有机溶有机溶剂：去除有机：去除有机杂质（油脂、蜡等），常用（油脂、蜡等），常用甲苯、丙甲苯、丙酮、乙醇等；、乙醇等；Ø无机酸：去除金属、金属离子和氧化物等，常用无机酸：去除金属、金属离子和氧化物等，常用盐酸、硫酸、硝酸、酸、硫酸、硝酸、氢氟酸和王水等；氟酸和王水等；Ø洗洗 液：重液：重铬酸酸钾与与过量的量的浓硫酸混合液，是硫酸混合液，是强氧化氧化剂，去除金属及氧化物、油膜等；，去除金属及氧化物、油膜等；ØI、、II号液：以双氧水号液：以双氧水为基基础。

I号号为碱性，碱性，II号号为酸性一般清洗技术工艺清洁源容器清洁效果剥离光刻胶氧等离子体平板反应器刻蚀胶去聚合物H2SO4:H2O=6:1溶液槽除去有机物去自然氧化层HF:H2O<1:50溶液槽产生无氧表面旋转甩干氮气甩干机无任何残留物RCA1#(碱性)NH4OH:H2O2:H2O=1:1:1.5溶液槽除去表面颗粒RCA2#(酸性)HCl:H2O2:H2O=1:1:5溶液槽除去重金属粒子DI清洗去离子水溶液槽除去清洗溶剂净化Ø保保证半半导体工体工艺环境保持境保持洁净Ø污染来源：染来源：Ø环境中的境中的尘埃、埃、杂质、有害气体；、有害气体；Ø工作人工作人员、、设备、工具、、工具、药品等品等带入的入的杂质Ø净化化标准：以直径大于准：以直径大于0.5 m的的尘埃数衡量，分五埃数衡量，分五级 相相对湿度要求湿度要求40~45%Ø净化方式：空气化方式：空气过滤、、洁净室、超室、超净工作台Ø风淋、工作服、鞋、物品淋、工作服、鞋、物品传递箱等箱等七、键合、装配和封装Ø当当单独硅片上的工独硅片上的工艺完成后，完成后，为最最终实现具具备设计功能的器件所做的后功能的器件所做的后续工工艺。

Ø步步骤：：释放放划片划片分离分离分分选粘片粘片检验键合引合引线检验多芯片装配多芯片装配检验封装封装终测Ø商商业化器件封装成本占化器件封装成本占80%以上Ø目的：目的：Ø形成最形成最终结构，构，实现最最终功能；功能；Ø对器件器件进行保行保护，防止冲，防止冲击和腐和腐蚀；；Ø便于安装和器件散便于安装和器件散热等集成电路封装工艺流程各种封装类型示意图安全知识安全知识Ø气体安全：气体安全：氢气、硅气、硅烷、、认清清标志Ø有机溶有机溶剂：防止燃：防止燃烧、、挥发，保持通，保持通风Ø酸碱溶液：身体防酸碱溶液：身体防护，保存和容器清洗保存和容器清洗Ø酸酸烧伤救治：水、救治：水、NaHCO3清洗，注射葡萄清洗，注射葡萄糖酸糖酸钙Ø碱碱烧伤清洗：水、醋酸或硼酸清洗清洗：水、醋酸或硼酸清洗。