昆山存储设备项目招商引资方案.docx

泓域咨询/昆山存储设备项目招商引资方案昆山存储设备项目招商引资方案xx有限公司目录第一章 项目建设背景及必要性分析 8一、 行业发展面临的机遇与挑战 8二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线 10三、 全球半导体存储产业概况 12四、 全面融入双循环发展新格局 15五、 全面提升产业自主可控能力 16第二章 项目基本情况 19一、 项目名称及项目单位 19二、 项目建设地点 19三、 可行性研究范围 19四、 编制依据和技术原则 19五、 建设背景、规模 21六、 项目建设进度 21七、 环境影响 21八、 建设投资估算 22九、 项目主要技术经济指标 22主要经济指标一览表 22十、 主要结论及建议 24第三章 建设方案与产品规划 25一、 建设规模及主要建设内容 25二、 产品规划方案及生产纲领 25产品规划方案一览表 25第四章 建筑工程说明 27一、 项目工程设计总体要求 27二、 建设方案 27三、 建筑工程建设指标 29建筑工程投资一览表 29第五章 法人治理 31一、 股东权利及义务 31二、 董事 35三、 高级管理人员 40四、 监事 42第六章 运营模式 45一、 公司经营宗旨 45二、 公司的目标、主要职责 45三、 各部门职责及权限 46四、 财务会计制度 49第七章 SWOT分析说明 53一、 优势分析（S） 53二、 劣势分析（W） 54三、 机会分析（O） 55四、 威胁分析（T） 55第八章 项目规划进度 59一、 项目进度安排 59项目实施进度计划一览表 59二、 项目实施保障措施 60第九章 项目节能方案 61一、 项目节能概述 61二、 能源消费种类和数量分析 62能耗分析一览表 63三、 项目节能措施 63四、 节能综合评价 65第十章 技术方案分析 66一、 企业技术研发分析 66二、 项目技术工艺分析 68三、 质量管理 70四、 设备选型方案 71主要设备购置一览表 72第十一章 劳动安全 73一、 编制依据 73二、 防范措施 76三、 预期效果评价 78第十二章 项目投资分析 79一、 投资估算的依据和说明 79二、 建设投资估算 80建设投资估算表 82三、 建设期利息 82建设期利息估算表 82四、 流动资金 84流动资金估算表 84五、 总投资 85总投资及构成一览表 85六、 资金筹措与投资计划 86项目投资计划与资金筹措一览表 87第十三章 经济效益及财务分析 88一、 经济评价财务测算 88营业收入、税金及附加和增值税估算表 88综合总成本费用估算表 89固定资产折旧费估算表 90无形资产和其他资产摊销估算表 91利润及利润分配表 93二、 项目盈利能力分析 93项目投资现金流量表 95三、 偿债能力分析 96借款还本付息计划表 97第十四章 项目招标及投标分析 99一、 项目招标依据 99二、 项目招标范围 99三、 招标要求 100四、 招标组织方式 102五、 招标信息发布 102第十五章 项目综合评价 104第十六章 附表附录 105主要经济指标一览表 105建设投资估算表 106建设期利息估算表 107固定资产投资估算表 108流动资金估算表 109总投资及构成一览表 110项目投资计划与资金筹措一览表 111营业收入、税金及附加和增值税估算表 112综合总成本费用估算表 112固定资产折旧费估算表 113无形资产和其他资产摊销估算表 114利润及利润分配表 115项目投资现金流量表 116借款还本付息计划表 117建筑工程投资一览表 118项目实施进度计划一览表 119主要设备购置一览表 120能耗分析一览表 120第一章 项目建设背景及必要性分析一、 行业发展面临的机遇与挑战1、行业机遇（1）国家政策高度重视集成电路行业发展集成电路产业是现代信息产业的基础和核心产业之一。

近年来，为加快推进我国集成电路及封装测试产业发展，国务院、国家发改委、工信部等政府部门从投资、融资、财政、税收、技术和人才等多方面推出了一系列法规和产业政策，国家层面也设立相应产业投资基金，给行业注入新动力2）下游应用行业蓬勃发展，国内市场对存储器芯片需求较大存储器行业的发展主要取决于下游的终端应用领域随着一系列国家战略的持续深入实施，下游制造业的升级换代进程加快，其中消费电子、云计算、大数据、物联网、汽车电子等存储器应用的重要领域维持较快增速下游市场处于蓬勃发展的态势，直接推动存储器产业链的持续扩张，有利于维持存储器行业需求端的规模增长3）存储产业链向大陆转移带来的机遇随着国内集成电路行业的发展，全球集成电路行业经历了向中国转移的过程，中国已经成为世界最大的集成电路芯片市场在这一趋势带动下，存储晶圆厂和主控芯片代工厂商如台积电、三星电子、日月光等纷纷在大陆投资建厂和扩张生产线，下游晶圆加工工艺持续改进，国内封装测试企业技术水平达到国际先进水平，为存储器厂商提供了充足的产能基础和完整的产业链配套4）信创产业助力存储行业发展近年来，国家大力推动信创产业发展，从最上游的半导体材料到核心芯片、元器件、基础软件，再到整机、应用软件全面实现自主安全可控。

而存储是信创产业的关键一环，当前信创产业处于全面提速阶段，必将对整个国产存储产业链起到带动作用2、行业挑战（1）高端技术人才不足在市场需求增长、国家政策支持、产业中心转移等利好因素下，高端技术才是企业抓住机遇、发展壮大的关键国内具备战略视野和产业运营经验的领军型人才和国际高端技术人才相对稀缺2）国内存储晶圆制造能力仍需进一步实现突破存储晶圆制造能力是存储产业实力的重要体现，当前世界先进的存储晶圆制造工艺及主要市场份额仍掌握在国外存储原厂手中，国内存储晶圆制造仍处于起步阶段，专利和技术积累相对薄弱，虽然长江存储、合肥长鑫等存储原厂已经实现量产，但与国外存储原厂在技术和市场份额方面仍存在较大差距3）我国集成电路基础技术有待提升国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展国内同行业的厂商仍处于一个成长的阶段，与国际大厂依然存在技术差距，尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板，目前我国集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位因此，产业链上下游的技术水平也在一定程度上限制了我国集成电路行业的发展二、 产业链上游存储晶圆市场格局及技术路线存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛，早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势，全球存储晶圆市场被韩国、美国和日本的少数企业主导。

国际领先的存储原厂凭借多年技术积累，不断提升晶圆制程以提高单位面积的存储密度和降低存储芯片功耗，随着制程工艺不断逼近极限，芯片设计与晶圆制造的研发门槛不断提高，研发资本投入不断增加同时，主要存储原厂还需通过持续大额资本支出来投放成熟制程产能，维持规模优势和市场份额1、NANDFlash市场竞争格局及技术路线NANDFlash全球市场高度集中，根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球NANDFlash市场规模为571.95亿美元，由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK海力士、英特尔六家公司主导，其中三星电子全球市场份额约34%，此外，SK海力士收购英特尔NANDFlash业务已于2021年获得主要市场监管当局批准，全球NANDFlash市场将进一步集中技术路线方面，主要存储原厂在激烈竞争中不断提升NANDFlash存储密度目前，存储密度提升的主要技术路径包括提高存储单元的可存储数位（bit）量和提升3DNANDFlash的堆叠层数根据每个存储单元存储的可存储数位量，NANDFlash分为SLC、MLC、TLC、QLCSLC（Single-levelCell）为每个存储单元存储的数据只有1位，而MLC（Multi-levelCell）、TLC（Triple-levelCell）和QLC（Quad-LevelCell）每个存储单元存储的数据分别为2位、3位与4位，存储密度梯度提升。

传统NANDFlash为平面闪存（2DNAND），3DNAND使用多层垂直堆叠技术，拥有更大容量、更低功耗、更优耐用性以及更低成本的优势三星电子2013年率先开发出可以商业化应用的24层3DNAND，2020年3DNAND高端先进制程进入176层阶段2、DRAM市场竞争格局及技术路线DRAM全球市场相较于NANDFlash更为集中，2020年全球DRAM市场规模为663.83亿美元，由三星电子、SK海力士和美光科技三家公司主导技术路线方面，行业龙头三星电子于2014年率先实现20纳米制程量产（4GbDDR3DRAM），将技术路线竞争引入20nm时代，此后DRAM制程大约每两年实现一次突破，从1Xnm（16nm-19nm）到1Ynm（14nm-16nm）到1Znm（12-14nm）2021年1月，美光科技率先宣布量产1αnm（接近10nm）DRAM产品，主流原厂开始进入1αnm制程阶段目前市场高端制程为1Znm，该制程生产的芯片主要标准规格包括DDR4X/5及LPDDR4X/53、中国大陆存储晶圆仍处于发展初期近年来，在集成电路产业政策和国家集成电路基金等市场资本的扶持推动下，中国在DRAM与NANDFlash两大存储核心领域均取得关键技术突破，以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂技术实力与国际主流原厂快速缩小；依托中国市场广阔需求，市场份额取得实质进展。

尽管国产晶圆生产取得实质进展，但是国产晶圆在技术实力和市场规模方面与国际存储原厂仍有显著差距三、 全球半导体存储产业概况1、全球半导体存储产业在波动中呈现总体增长趋势半导体存储器作为电子系统的基本组成部分，是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一随着现代电子信息系统的数据存储需求指数级增长，半导体存储出货量持续大幅增长，另一方面，由于存储晶圆制程基本按照摩尔定律不断取得突破，单位存储成本在长期曲线中呈现单边下降趋势，市场的总体规模在短期供需波动中总体保持长期增长趋势2、DRAM与NANDFlash是半导体存储的主流市场半导体存储市场中，DRAM和NANDFlash占据主导地位，根据ICInsights数据，2019年全球半导体存储器市场中DRAM占比达58%，NANDFlash约占40%，此外NORFlash占据约1%的市场份额随着电子产品对即时响应速度和数据处理速度的要求不断提高和CPU升级迭代，DRAM器件的主流存储容量亦持续扩大近年来随着NANDFlash技术不断发展，单位存储成本的经济效益不断优化，应用场景持续拓展，用户需求不断攀升在长期增长的总体趋势下，DRAM和NANDFlash的短期市场规模与产品价格受到晶圆技术迭代与产能投放、下游端市场需求、渠道市场备货，以及全球贸易环境等多重因素影响，供求平衡较为敏感。

1）NANDFlash市场根据Omdia（IHSMarkit）数据，2020年全球NANDFlash市场实现销售额为571.95亿美元，较2019年增长24.17%2012年至2017年，全球NANDFlash在数据爆炸中保持持续稳定增长，特别是2016年至2018年初，受4G智能。