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平面MOSFET产业发展前景预测与投资战略规划.docx

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  • 文档编号:347361428
  • 上传时间:2023-03-14
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    • 平面MOSFET产业发展前景预测与投资战略规划一、 中国功率半导体行业竞争格局分析根据全国乘用车联合会监测零售数据显示,2021年我国新能源乘用车销量前十城市份额占全国的40%,其中北上广深四大一线城市包揽全国新能源汽车销量前四名上海市是唯一新能源汽车销量突破20万辆的城市,成为2021年全国销量第一的城市,其销量达24.08万辆深圳市、北京市、广州市和杭州市的新能源汽车销量均超过10万辆,分别为14.9万辆、13.08万辆、12.16万辆和11.95万辆我国功率半导体市场呈现金字塔格局,第一梯队为国际大型半导体公司,凭借先进技术占据优势地位;第二梯队为国内少数具备IDM经营能力的领先企业,通过长期技术积累形成了一定的自主创新能力,在部分优势领域逐步实现进口替代;第三梯队是从事特定环节生产制造的企业,如某种芯片设计制造、或几种规格封装测试半导体行业是国民经济支柱性行业之一,其发展程度是衡量一个国家科技发展水平的核心指标功率半导体是半导体行业的重要组成部分,关系到我国智能电网、高铁动力系统、汽车动力系统等关键零部件的自主可控战略,属于国家高度重视和鼓励发展的行业当前,国家政策大力扶持为中国功率半导体行业创造良好的发展环境,同时下游市场景气程度较高,为功率半导体功率的需求提供了有力支撑,半导体产业重心转移及第三代半导体材料发展带来巨大机遇。

      在下游需求的持续带动下,国内功率半导体产业链不断完善,技术不断进步,已经成为全球最大的功率半导体消费国随着全球贸易摩擦不确定性增加,加速进口替代成为必然趋势,也将为中国半导体产业发展带来新的机遇一方面新能源汽车快速增长,另一方面清洁能源业务快速增长,两方面业务带来对半导体功率器件需求的拉动,另外新的电子化、智能化的应用场景越来越多从整体看前瞻认为功率半导体行业的市场景气度仍继续维持展望未来,功率半导体成长所需的两大核心下游应用场景(新能源车、光伏)中,中国市场亦将扮演不可或缺的角色,因此可以预见,中国功率半导体市场占全球市场的比重有望继续提升,中国市场的重要性有望进一步凸显根据Omdia预测,预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长,2022-2027CAGR约4.5%左右,超过全球功率半导体市场增速至2027年中国功率半导体行业市场规模有望达到238亿美元从产业竞争格局来看,全球功率半导体中高端产品生产厂商主要集中在美国、欧洲、日本和韩国较于国际同行,中国功率半导体行业起步较晚,主要通过国外引进及国内企业自主创新,逐步提升行业的国产化程度,满足日益增长的下游需求国际厂商在技术和工艺方面具有先发优势,产品门类更为齐全,形成规模经济,整体竞争力较国内企业更具优势。

      目前,只有少数本土公司通过长期的技术积累和持续的自主创新,在功率半导体的细分产品领域具备芯片研发、设计、制造全方位的差异化竞争优势,通过产品改进和客户积累,在某些特定下游应用领域具备优势,在国内竞争主体众多的环境中处于相对领先地位作为电子系统中的基本单元,功率半导体是电力电子设备正常运行不可或缺的部件,应用场景广泛,且需求日益丰富从行业技术和性能发展来看,功率半导体器件结构朝复杂化演进,功率半导体的衬底材料朝大尺寸和新材料方向发展;由于不同结构和不同衬底材料的功率半导体电学性能和成本各有差异,在不同应用场景各具优势,功率半导体市场呈现多器件结构和多衬底材料共存的特点功率半导体自20世纪50年代开始发展起来,至今形成以二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等为代表的多世代产品体系新技术、新产品的诞生拓宽了原有产品和技术的应用范围,适应更多终端产品的需求,但是,每类产品在功率、频率、开关速度等参数上均具有不可替代的优势,功率半导体市场呈现多世代并存的特点二、 功率半导体行业产业链剖析:产业链中游工艺复杂,全球生态分工明确功率半导体产业链上游主要是原材料及设备供应环节,包括晶圆、光刻机、引线框架、宽禁带材料及其他辅助材料的供应;功率半导体产业链中游主要是芯片制造设计封装的生产制造环节,包括功率半导体分立器件和功率模块;功率半导体产业链下游的应用市场涵盖不同领域的电子电器应用环节,包括消费电子家用电器领域、工业控制网络通信领域、航空轨道交通领域以及从发电、输电到用电的整个流程。

      三、 功率半导体行业前景功率半导体是下游消费电子、新能源汽车等领域的刚需产品在下游需求的持续带动以及相关政策的支持下,我国功率半导体行业规模将继续保持平稳增长,预计2027年市场规模达238亿美元根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)的分类,半导体产业可细分为四大领域:集成电路、分立器件、光电子器件和传感器其中分立器件主要分为两类,一类是功率器件(包括模块),另一类是集成电路的功率ICIHS数据显示,2019年全球功率半导体市场规模达到403亿美元从单个产品市场规模占比数据来看,功率IC与功率器件的总体市场规模占比基本持平,分别占比54%和46%中国是全球最主要的功率器件消费国,功率器件细分的主要产品在中国的市场份额均处于第一位虽然国际大厂目前占据主要市场,但其高端产品价格高昂,无法满足国内迅速爆发的市场需求,空间十分广阔四、 功率半导体行业概述根据《功率半导体分立器件产业及标准化白皮书(2019版)》,功率半导体按器件集成度可以分为功率器件和功率IC两大类功率器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类,其中晶体管市场份额最大,常见的晶体管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等功率IC是指将高压功率器件与其控制电路、外围接口电路及各种保护电路等集成于同一芯片的集成电路,是系统信号处理部分和执行部分的桥梁。

      一)功率半导体市场规模功率半导体的应用十分广阔,涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功率半导体的使用根据Omdia的数据及预测,2021年全球功率半导体市场规模为462亿美元(主要包括功率器件、功率IC和功率模组),预计2024年将达到522亿美元中国的功率半导体行业在国家相关政策支持、加速及资本推动等因素合力下,取得了长足的进步与发展根据Omdia数据及预测,2021年中国功率半导体市场规模为182亿美元,预计2024年将达206亿美元,中国作为全球最大的功率半导体市场,发展前景十分广阔二)功率器件市场功率半导体主要可分为功率器件和功率IC两大类根据Omdia数据,2020年全球功率器件市场规模约为149.82亿美元随着各个领域对功率器件的电压和工作频率要求逐渐提升,能较好满足该需求的MOSFET等功率器件产品成为了功率器件的主流产品根据Omdia数据,2020年全球MOSFET器件市场规模为80.8亿美元,在所有功率器件类别中占比最高,占比达53.90%,且增速与功率器件总体增速接近,需求保持稳定增长三)MOSFET细分市场的情况MOSFET全称为金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种广泛应用于模拟电路与数字电路的场效晶体管,用于将输入电压的变化转化为输出电流的变化,可实现开关和信号放大等功能,与双极型晶体管(BipolarJunctionTransistor,也称BJT、三极管)和绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,也称IGBT)同属于晶体管领域。

      MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好等特性,应用于包括通信、消费电子、汽车电子、工业控制在内的众多领域根据芯谋研究(ICwise)数据,2021年全球MOSFET市场规模为113.2亿美元,预计2025年将增长至150.5亿美元,年化复合增长率达7.4%全球MOSFET市场规模预计将保持稳定扩张,市场前景广阔2021年中国MOSFET市场规模约为46.6亿美元,占全球市场的41%预计2025年中国MOSFET市场规模将增长至64.7亿美元,年化复合增长率为8.5%,增速高于全球市场增速MOSFET和IGBT同属于功率器件大类下的晶体管产品与BJT相比,MOSFET可在低电流和低电压条件下工作,也可用于大电流开关电路和高频高速电路,应用场景更为广泛;MOSFET具有易于驱动、输入阻抗高、开关速度快、导通内阻小等特点,结构较BJT更为复杂;部分MOSFET可将源极和漏极互换运用,栅极可正可负,灵活性较BJT更优IGBT兼具BJT的高耐压和MOSFET输入阻抗高的特性,适用于高电压、大电流场合根据工作电压划分,以400V为分界,MOSFET可分为高压MOSFET和中低压MOSFET;根据器件结构划分,MOSFET可分为平面MOSFET、沟槽型MOSFET、超结MOSFET等。

      根据芯谋研究,2021年全球平面MOSFET的市场规模约为20.8亿美元,预计2025年可增长至30.2亿美元;2021年全球沟槽型MOSFET的市场规模约为19.0亿美元,预计2025年可增长至23.9亿美元;2021年全球超结MOSFET的市场规模约为6.8亿美元,预计2025年可增长至10.7亿美元整体来看,未来三类MOSFET的市场规模均将继续增长,三类MOSFET共存于市场国产化率方面,整体来看高压MOSFET的国产化率低于中低压产品根据芯谋研究,2021年中低压平面(400V以下)MOSFET的国产化率约为42.2%,高压平面MOSFET的国产化率约为29.9%,超高压平面MOSFET的国产化率约为18.2%MOSFET的主要技术发展维度包括器件结构、制程、工艺、材料等多个方面,MOSFET的发展不高度依赖于先进制程工艺,更侧重于打造特色平台,在结构、工艺及材料方面不断优化基于MOSFET不追求极致线宽、不必遵循摩尔定律的技术发展特点,MOSFET产品的整体研发方向为:在考虑成本因素的前提下,进一步优化工艺以提升良率、改进优化器件参数,达到性能、成本、可靠性的最优解具体来看,三类MOSFET的研发难度各有侧重;平面MOSFET偏重于设计和工艺的结合,沟槽型MOSFET和超结MOSFET偏重于实现工艺,对设备精度的依赖性更高。

      三类MOSFET均可应用于消费电子、工业控制等领域,以消费电子代表性品类智能家居产品为例,根据StrategyAnalytics数据,拥有一件以上智能家居产品的家庭比例将由2021年的15%上升至2025年的接近20%,智能家居市场规模将从2021年的1,230亿美元增长至2025年的1,730亿美元,亚太地区将成为最大的智能家居市场,市场前景广阔以工业控制领域代表性应用产品逆变器为例,根据GlobalMarketInsight数据,全球光伏逆变器市场规模预计将从2021年的191.8亿美元增长至2028年的270亿美元以上,根据当前6%的功率器件成本占比计算,光伏逆变器中使用的功率器件市场规模超过100亿元人民币,市场前景广阔超结MOSFET的下游应用市场主要受新能源汽车带动,以其代表性应用场景新能源充电桩为例,根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟数据,2021年中国新能源充电桩市场规模达418.7亿元,预计2026年可增长至2,870.2亿元,巨大增长空间中将产生大量超结MOSFET需求,具有广阔的市场前景未来三类MOSFET的市场规模将继续保持增长,体现出三类MOSFET之间主要为互补关系;三类MOSFET的下游应用领域均包含消费电子、工业控制等,具有广阔的市场前景。

      长期以来,以英飞凌、安森美、意法半导体、东芝、瑞萨为代表的国外品牌凭借先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累,目前占据全球MOSFET市场的主要份额根据Omdia数据,以销售额计,2020年MOSFET市场前七大品牌的市场占有率合计达到68.09%市场竞争格局相对稳定我国知名功率半导体企业华润微、士兰微分别位列第八位和第十位,安世半导体(已被闻泰科技收购)位列第九位,三家合计市场份额占比10.26%这表明国。

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