
印刷电路板的抗干扰设计原则.doc
6页1印刷电路板的抗干扰设计原则一 电源线布置:1、根据电流大小,尽量调宽导线布线2、电源线、地线的走向应与信号的传递方向一致3、在印制板的电源输入端应接上 10~100μF 的去耦电容二 地线布置:1、数字地与模拟地分开2、接地线应尽量加粗,致少能通过 3 倍于印制板上的允许电流,一般应达 2~3mm3、接地线应尽量构成死循环回路,这样可以减少地线电位差三 去耦电容配置:1、印制板电源输入端跨接 10~100μF 的电解电容,若能大于 100μF 则更好2、每个集成芯片的 Vcc 和 GND 之间跨接一个 0.01~0.1μF 的陶瓷电容如空间不允许,可为每 4~10 个芯片配置一个 1~10μF 的钽电容3、对抗噪能力弱,关断电流变化大的器件,以及 ROM、RAM ,应在 Vcc 和 GND 间接去耦电容4、在单片机复位端“RESET” 上配以 0.01μF 的去耦电容5、去耦电容的引线不能太长,尤其是高频旁路电容不能带引线四 器件配置:1、时钟发生器、晶振和 CPU 的时钟输入端应尽量靠近且远离其它低频器件2、小电流电路和大电流电路尽量远离逻辑电路3、印制板在机箱中的位置和方向,应保证发热量大的器件处在上方。
五 功率线、交流线和信号线分开走线功率线、交流线尽量布置在和信号线不同的板上,否则应和信号线分开走线六 其它原则:1、总线加 10K 左右的上拉电阻,有利于抗干扰2、布线时各条地址线尽量一样长短,且尽量短3、PCB 板两面的线尽量垂直布置,防相互干扰4、去耦电容的大小一般取 C=1/F,F 为数据传送频率5、不用的管脚通过上拉电阻(10K 左右)接 Vcc,或与使用的管脚并接6、发热的元器件(如大功率电阻等)应避开易受温度影响的器件(如电解电容等) 7、采用全译码比线译码具有较强的抗干扰性 为扼制大功率器件对微控制器部分数字元元电路的干扰及数字电路对模拟电路的干扰,数字地`模拟地在接向公共接地点时,要用高频扼流环这是一种圆柱形铁氧体磁性材料,轴向上有几个孔,用较粗的铜线从孔中穿过,绕上一两圈,这种器件对低频信号可以看成阻抗为零,对高频信号干扰可以看成一个电感..(由于电感的直流电阻较大,不能用电感作为高频扼流圈 ).当印刷电路板以外的信号线相连时,通常采用屏蔽电缆对于高频信号和数字信号,屏蔽电缆的两端都接地,低频模拟信号用的屏蔽电缆,一端接地为好对噪声和干扰非常敏感的电路或高频噪声特别严重的电路,应该用金属罩屏蔽起来。
铁磁屏蔽对500KHz 的高频噪声效果并不明显,薄铜皮屏蔽效果要好些使用镙丝钉固定屏蔽罩时,要注意不同材料接触时引起的电位差造成的腐蚀七 用好去耦电容集成电路电源和地之间的去耦电容有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF这个电容的分布电感的典型值是 5μH0.1μF的去耦电容有 5μH 的分布电感,它的并行共振频率大约在 7MHz 左右,也就是说,对于 10MHz 以下的噪2声有较好的去耦效果,对 40MHz 以上的噪声几乎不起作用1μF、10μF 的电容,并行共振频率在 20MHz 以上,去除高频噪声的效果要好一些每 10 片左右集成电路要加一片充放电电容,或 1 个蓄能电容,可选 10μF 左右最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感要使用钽电容或聚碳酸酯电容去耦电容的选用并不严格,可按 C=1/F,即 10MHz 取 0.1μF,100MHz 取 0.01μF在焊接时去耦电容的引脚要尽量短,长的引脚会使去耦电容本身发生自共振例如 1000pF 的瓷片电容引脚长度为 6.3mm 时自共振的频率约 35MHz,引脚长 12.6mm 时为 32MHz。
八 降低噪声和电磁干扰的经验印刷电路板的抗干扰设计原则1. 可用串个电阻的办法,降低控制电路上下沿跳变速率2. 尽量让时钟信号电路周围的电势趋近于 0,用地线将时钟区圈起来,时钟线要尽量短3. I/O 驱动电路尽量靠近印制板边4. 闲置不用的门电路输出端不要悬空,闲置不用的运放正输入端要接地,负输入端接输出端5. 尽量用 45°折线而不用 90°折线, 布线以减小高频信号对外的发射与耦合6. 时钟线垂直于 I/O 线比平行于 I/O 线干扰小6. 元件的引脚要尽量短8. 石英晶振下面和对噪声特别敏感的元件下面不要走线9. 弱信号电路、低频电路周围地线不要形成电流环路10. 需要时,线路中加铁氧体高频扼流圈,分离信号、噪声、电源、地印制板上的一个过孔大约引起 0.6pF 的电容;一个集成电路本身的封装材料引起 2pF~10pF 的分布电容;一个线路板上的接插件,有 520μH 的分布电感;一个双列直插的 24 引脚集成电路插座,引入 4μH~18μH的分布电感一 电源线布置:1、根据电流大小,尽量调宽导线布线2、电源线、地线的走向应与资料的传递方向一致3、在印制板的电源输入端应接上 10~100μF 的去耦电容。
二 地线布置:1、数字地与模拟地分开2、接地线应尽量加粗,致少能通过 3 倍于印制板上的允许电流,一般应达 2~3mm3、接地线应尽量构成死循环回路,这样可以减少地线电位差三 去耦电容配置:1、印制板电源输入端跨接 10~100μF 的电解电容,若能大于 100μF 则更好2、每个集成芯片的 Vcc 和 GND 之间跨接一个 0.01~0.1μF 的陶瓷电容如空间不允许,可为每 4~10 个芯片配置一个 1~10μF 的钽电容3、对抗噪能力弱,关断电流变化大的器件,以及 ROM、RAM ,应在 Vcc 和 GND 间接去耦电容4、在单片机复位端“RESET” 上配以 0.01μF 的去耦电容5、去耦电容的引线不能太长,尤其是高频旁路电容不能带引线四 器件配置:1、时钟发生器、晶振和 CPU 的时钟输入端应尽量靠近且远离其它低频器件2、小电流电路和大电流电路尽量远离逻辑电路3、印制板在机箱中的位置和方向,应保证发热量大的器件处在上方五 功率线、交流线和信号线分开走线功率线、交流线尽量布置在和信号线不同的板上,否则应和信号线分开走线六 其它原则:31、总线加 10K 左右的上拉电阻,有利于抗干扰。
2、布线时各条地址线尽量一样长短,且尽量短3、PCB 板两面的线尽量垂直布置,防相互干扰4、去耦电容的大小一般取 C=1/F,F 为数据传送频率5、不用的管脚通过上拉电阻(10K 左右)接 Vcc,或与使用的管脚并接6、发热的元器件(如大功率电阻等)应避开易受温度影响的器件(如电解电容等) 7、采用全译码比线译码具有较强的抗干扰性 为扼制大功率器件对微控制器部分数字元元电路的干扰及数字电路对模拟电路的干扰,数字地`模拟地在接向公共接地点时,要用高频扼流环这是一种圆柱形铁氧体磁性材料,轴向上有几个孔,用较粗的铜线从孔中穿过,绕上一两圈,这种器件对低频信号可以看成阻抗为零,对高频信号干扰可以看成一个电感..(由于电感的直流电阻较大,不能用电感作为高频扼流圈).当印刷电路板以外的信号线相连时,通常采用屏蔽电缆对于高频信号和数字信号,屏蔽电缆的两端都接地,低频模拟信号用的屏蔽电缆,一端接地为好对噪声和干扰非常敏感的电路或高频噪声特别严重的电路,应该用金属罩屏蔽起来铁磁屏蔽对 500KHz的高频噪声效果并不明显,薄铜皮屏蔽效果要好些使用镙丝钉固定屏蔽罩时,要注意不同材料接触时引起的电位差造成的腐蚀七 用好去耦电容集成电路电源和地之间的去耦电容有两个作用:一方面是本集成电路的蓄能电容,另一方面旁路掉该器件的高频噪声。
数字电路中典型的去耦电容值是 0.1μF这个电容的分布电感的典型值是 5μH0.1μF 的去耦电容有 5μH 的分布电感,它的并行共振频率大约在 7MHz 左右,也就是说,对于 10MHz 以下的噪声有较好的去耦效果,对 40MHz 以上的噪声几乎不起作用1μF、 10μF 的电容,并行共振频率在 20MHz 以上,去除高频噪声的效果要好一些每 10 片左右集成电路要加一片充放电电容,或 1 个蓄能电容,可选 10μF 左右最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感要使用钽电容或聚碳酸酯电容去耦电容的选用并不严格,可按 C=1/F,即 10MHz 取 0.1μF,100MHz 取 0.01μF在焊接时去耦电容的引脚要尽量短,长的引脚会使去耦电容本身发生自共振例如 1000pF 的瓷片电容引脚长度为 6.3mm 时自共振的频率约 35MHz,引脚长 12.6mm 时为 32MHz八 降低噪声和电磁干扰的经验印刷电路板的抗干扰设计原则1. 可用串个电阻的办法,降低控制电路上下沿跳变速率2. 尽量让时钟信号电路周围的电势趋近于 0,用地线将时钟区圈起来,时钟线要尽量短。
3. I/O 驱动电路尽量靠近印制板边4. 闲置不用的门电路输出端不要悬空,闲置不用的运放正输入端要接地,负输入端接输出端5. 尽量用 45°折线而不用 90°折线, 布线以减小高频信号对外的发射与耦合6. 时钟线垂直于 I/O 线比平行于 I/O 线干扰小6. 元件的引脚要尽量短8. 石英晶振下面和对噪声特别敏感的元件下面不要走线9. 弱信号电路、低频电路周围地线不要形成电流环路10. 需要时,线路中加铁氧体高频扼流圈,分离信号、噪声、电源、地印制板上的一个过孔大约引起 0.6pF 的电容;一个集成电路本身的封装材料引起 2pF~10pF 的分布电容;一个线路板上的接插件,有 520μH 的分布电感;一个双列直插的 24 引脚集成电路插座,引入 4μH~18μH的分布电感数字电路、单片机的抗干扰设计在电子系统设计中,为了少走弯路和节省时间,应充分考虑并满足抗干扰性 的要求,避免在4设计完成后再去进行抗干扰的补救措施形成干扰的基本要素有三个:(1)干扰源,指产生干扰的元件、设备或信号,用数学语言描述如下:du/dt, di/dt 大的地方就是干扰源如:雷电、继电器、可控硅、电机、高频时钟等都可 能成为干扰源。
2)传播路径,指干扰从干扰源传播到敏感器件的通路或媒介典型的干扰传 播路径是通过导线的传导和空间的辐射3)敏感器件,指容易被干扰的对象如:A/D、D/A 变换器,单片机,数字 IC, 弱信号放大器等抗干扰设计的基本原则是:抑制干扰源,切断干扰传播路径,提高敏感器件的 抗干扰性能类似于传染病的预防)1 抑制干扰源抑制干扰源就是尽可能的减小干扰源的 du/dt,di/dt 这是抗干扰设计中最优 先考虑和最重要的原则,常常会起到事半功倍的效果 减小干扰源的 du/dt 主要是通过在干扰源两端并联电容来实现减小干扰源的 di/dt 则是在干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现抑制干扰源的常用措施如下:(1)继电器线圈增加续流二极管,消除断开线圈时产生的反电动势干扰仅加 续流二极管会使继电器的断开时间滞后,增加稳压二极管后继电器在单位时间内可动作更多的次数2)在继电器接点两端并接火花抑制电路(一般是 RC 串联电路,电阻一般选几 K 到几十 K,电容选 0.01uF) ,减小电火花影响3)给电机加滤波电路,注意电容、电感引线要尽量短4)电路板上每个 IC 要并接一个 0.01μF~0.1μF 高频电容,以减小 IC 对电源的 影响。
注意高频电容的布线,连线应靠近电源端并尽量粗短,否则,等于增大了电容的等效串联电阻,会影响滤波效果5)布线时避免 90 度折线,减少高频噪声发射6)可控硅两端并接 RC 抑制电路,减小可控硅产生的噪声(这个噪声严重时可能会把可控硅击穿的) 按干扰的传播路径可分为传导干扰和辐射干扰两类所谓传导干扰是指通过导线传播到敏感器件的干扰高频干扰噪声和 有。
