晶体化学原理PPT课件.ppt

n晶体的密度晶体的密度: : 单位体积晶体的质量单位体积晶体的质量n在已知晶体的在已知晶体的结构类型结构类型及及晶胞常数晶胞常数的的前提下，可以计算出晶体的密度前提下，可以计算出晶体的密度晶体密度，单位晶胞内容晶体密度，单位晶胞内容 第三部分第三部分 晶体化学原理晶体化学原理此处此处 N是是 Avogadro常数若一个单位晶常数若一个单位晶胞的体积为胞的体积为 V，，含含 Z个式单位，则个式单位，则 V = 一个式单位的体积一个式单位的体积  Z从而从而 D = —— = ———— = ——————— 体积体积质量质量式量式量摩尔体积摩尔体积式单位体积式单位体积   NFW晶体密度为晶体密度为D ，则，则:D = ———— V   NFW   ZV的单位通常是的单位通常是Å3，必须乘以，必须乘以 10-24，以得，以得出密度的常用单位出密度的常用单位: 克克/立方厘米立方厘米代入Avogadro常常数数= 6.023 X 1023 后后，，上上式式简简化为：化为：D = ———— V   NFW   ZD = ———————— V FW   Z   1.66Z =(Al, Cu, Au, Ni)原子沿面对角线接触原子沿面对角线接触:例：例：Cu面心立方结构面心立方结构原子量原子量 = 63.5 g/mol原子半径原子半径 = 1.28 Å计算其密度计算其密度?(8 x 1/8) + (6 x ½) = 4ar24 = =ra22==3.62 Å单单胞胞体积体积 = a3 = 47.45 Å3 63.5 X 4 X1024 47.45 X 6.023 X 1023= 8.88 g/cm3=(实测实测密度密度 = 8.94 g/cm3)D = ———— V   NFW   Zrra 2/2在确定单位晶胞容量在确定单位晶胞容量Z Z值时，常常产生混乱。

值时，常常产生混乱这是这是因为位于顶角、棱边或单胞面上的原因为位于顶角、棱边或单胞面上的原子或离子是与相邻的晶胞共用的子或离子是与相邻的晶胞共用的，这一点，这一点必须考虑到必须考虑到18原子12原子原子位于：原子位于： 与相邻的单胞共用与相邻的单胞共用: 每个原子算作每个原子算作:顶角顶角 8单胞单胞1/8面心面心 2单胞单胞1/2体心体心 1单胞单胞1棱中心棱中心 4单胞单胞1/4点阵类型点阵类型单胞容量单胞容量Z=P1 [=8 x 1/8]I2 [=(8 x 1/8) + (1 x 1)]F4 [=(8 x 1/8) + (6 x 1/2)]C2 [=(8 x 1/8) + (2 x 1/2)]例例1 1：： 简单立方简单立方结构结构顶角上的顶角上的 原子原子: (8 : (8   1/8) = 1 1/8) = 1单位晶胞容量：单位晶胞容量： Z =Z = 1 1 例例2 2：：  - -Fe, Fe, 体心立方体心立方结构结构顶角上的顶角上的 FeFe: (8 : (8   1/8) = 1 1/8) = 1体心的体心的Fe: (1 Fe: (1   1) 1) = 1 = 1单位晶胞容量：单位晶胞容量：Z =Z = 1 + 1 = 2 (Fe) 1 + 1 = 2 (Fe)例例3 3：： NaClNaCl，，面心立方面心立方结构结构顶角上的顶角上的 ClCl- - : (8 : (8   1/8) = 1 1/8) = 1面心面心ClCl- - : : (6 (6   1/2) = 3 1/2) = 3棱中心上的棱中心上的 NaNa+ + : : (12 (12   1/4) = 1/4) = 3 3体心的体心的NaNa+ + : (1 : (1   1) 1) = 1 = 1单胞容量：单胞容量：Z =Z = 4(Na 4(Na+ +ClCl- -) )Cl-Na+问题问题: C60为面心立方为面心立方(FCC=Face Centered Cubic) 结构结构,单胞中有多少单胞中有多少C原子原子?现实生活中的一个现实生活中的一个密堆积密堆积的例子的例子密堆积原理密堆积原理177问题：在下列正方形中能放进多少球？问题：在下列正方形中能放进多少球？ 答案答案: :方式方式A=A=52+8/252+8/2球球方式方式B=49B=49球球结论：结论：六角形的六角形的堆积方式更有效堆积方式更有效。

问题：在下列正方形中能放进多少球？问题：在下列正方形中能放进多少球？ Ø方式方式A(A(密堆积方式密堆积方式) )：：每个球每个球X,X,被被6 6个球个球Y Y包围包围, ,每个球的配位数每个球的配位数=6,=6,形成密堆积层形成密堆积层Ø方式方式B(B(正方型堆积方式正方型堆积方式) )：：每个球每个球X X，，被被4 4个球个球Y Y包围，配位数包围，配位数=4=4，不是密堆积层不是密堆积层密堆积方式密堆积方式正方型堆积方式正方型堆积方式在二维空间有两种堆积球的方式：在二维空间有两种堆积球的方式：对于正方型堆积方式对于正方型堆积方式, , 如果第二层中的每个如果第二层中的每个球正好放在第一层中每个球的正上方，就得球正好放在第一层中每个球的正上方，就得到简单立方晶胞到简单立方晶胞简单立方晶胞简单立方晶胞正方型堆积正方型堆积由正方型堆积方式产生的结构由正方型堆积方式产生的结构1--1--简单立方简单立方 如果第二层中的每个球正好放在第一层中四如果第二层中的每个球正好放在第一层中四个球之间的凹陷处，第三层中的每个球放在个球之间的凹陷处，第三层中的每个球放在第一层中每个球的正上方，就得到体心立方第一层中每个球的正上方，就得到体心立方晶胞。

晶胞正方型堆积正方型堆积体心立方晶胞体心立方晶胞正方型堆积方式产生的结构正方型堆积方式产生的结构2--2--体心立方体心立方 AAAAAAAAAAAAABBBBBBBCCCCCCC 在三维空间中，两个密堆积层在三维空间中，两个密堆积层, , 使其接使其接触的最有效方式是把一层中的每个球放在另触的最有效方式是把一层中的每个球放在另一层中三个球之间的凹陷处，例如放在图中一层中三个球之间的凹陷处，例如放在图中的的B B或或C C处由密堆积方式产生的结构由密堆积方式产生的结构--------六方密堆积六方密堆积和立方密堆积结构和立方密堆积结构BBBBBBB BBBBBBBCCCCCCC第第二二层层中中的的原原子子可可以以占占据据B B或或C C位位置置，，但但两者不能都被占，也不能被混合占据两者不能都被占，也不能被混合占据假定假定B B位置被占，则如下图：位置被占，则如下图：BBBBBBBABCABCABCABCABC…BBBBBBBCCCCCCCØ第三层想要加到前两层上，有两种方式：第三层想要加到前两层上，有两种方式：球占据新的位置球占据新的位置C C（（方式方式1 1）或）或A A（（方式方式2 2））Ø如果第三层放在如果第三层放在C C处，那么所有三层彼此处，那么所有三层彼此错开，给出：错开，给出：……ABCABCABC…ABCABCABC…序列，这叫做序列，这叫做立方密堆积立方密堆积( (ccpccp=Cubic Closed Packing)=Cubic Closed Packing)。

Ø如果第三层放在如果第三层放在A A处，那么它正好在处，那么它正好在A A层层的上方当其后的层依次加上，得到以下的上方当其后的层依次加上，得到以下顺序：顺序： … …ABABAB…ABABAB…Ø这叫做六方密堆积这叫做六方密堆积 ( (hcphcp = Hexagonal = Hexagonal Closed Packing) Closed Packing) AAAAAAAAAAAAABBBBBBBCCCCCCC六方密堆积的第一层六方密堆积的第一层CCCCCCCABABABABAB…OrACACACACAC...BBBBBBB六方密堆积的第二层六方密堆积的第二层BBBBBBBCCCCCCCABABABABAB…OrACACACACAC...六方密堆积的第三层六方密堆积的第三层Ø在密堆积结构中每个球与在密堆积结构中每个球与1212个其它球接触，个其它球接触，每个球的配位数每个球的配位数=12=12Ø其中其中6 6个球与中心个球与中心球共平面球共平面, , 三个球三个球在平面之上在平面之上, ,三个三个球在平面之下球在平面之下；； Øhcphcp 和和ccpccp的不同的不同仅在这两组三个相仅在这两组三个相邻球的相对取向不邻球的相对取向不同。

同 ABACBA六方密堆积六方密堆积立方密堆积立方密堆积从立方密堆积排列的结构中可以抽出从立方密堆积排列的结构中可以抽出 面心面心立方立方( (fcc)fcc)晶胞来晶胞来密堆积层是平行于密堆积层是平行于fccfcc晶晶胞的胞的 111111 面  将将密堆积层按密堆积层按ABCABC方式加上形成方式加上形成立方立方密堆积排列密堆积排列 加上加上晶胞线，就晶胞线，就可看出面心立方可看出面心立方( (fcc) fcc) 晶胞ABC立方密堆积总结立方密堆积总结立方密堆积立方密堆积= = 面心立方面心立方( (fcc) fcc) 晶胞晶胞单胞单胞六方密堆积总结六方密堆积总结六方密堆积六方密堆积单胞单胞空间利用率（堆积效率）空间利用率（堆积效率）: :球总体积球总体积/ /单胞体积单胞体积Ø两种密堆积结构的空间利用率两种密堆积结构的空间利用率=7474％％Ø非密堆积结构非密堆积结构的空间利用率的空间利用率<7474％，％，Ø例例: :体心立方是体心立方是6868％，简单立方是％，简单立方是5252％体心立方中体心立方中堆积效率堆积效率= =68% CCP或或HCP中中 堆积效率堆积效率= = 74%×1原子体积原子体积单胞体积单胞体积堆积效率堆积效率= == =43πr3×Za3简单立方中简单立方中= =43πr3(2r)3= 52%ar注意：注意：球球沿面对角线接触，沿面对角线接触，晶胞边长晶胞边长 e e 和球半径和球半径 r r 之间有下列关系：之间有下列关系：例例1:1: 求求ccpccp结构的空间利用率结构的空间利用率? ?er24 = = 0.74球总体积球总体积单胞体积单胞体积例例2:2: 求求体心立方密堆积体心立方密堆积结构的空间结构的空间利用率利用率? ? 布鲁塞尔的原子球博物馆布鲁塞尔的原子球博物馆 9个直径个直径18米的球形展厅构成米的球形展厅构成一个立方体心晶格模型一个立方体心晶格模型 晶胞含原子数晶胞含原子数 = 8*1/8+1=24ra晶胞参数晶胞参数空间利用率空间利用率ccp hcp（（1 1）金属）金属金属通常以三种结构类型金属通常以三种结构类型 ( (A1 A1 或或 FCC = FCC = ccp, A2 ccp, A2 或或 BCC, A3 BCC, A3 或或 HCPHCP））中的一种中的一种结晶，结晶，A1A1和和A3A3是密堆积结构。

是密堆积结构可以描述成密堆积结构的材料可以描述成密堆积结构的材料bcc金属晶体结构的三种常见类型金属晶体结构的三种常见类型 A1 结构：立方最紧密堆积（结构：立方最紧密堆积（FCC)l Al, Cu, Ag, Au 等等 A2 结构：立方体心堆积，堆积率结构：立方体心堆积，堆积率68%l Li, Na, K, Rb, Cs 等等 A3 结构：六方最紧密堆积结构：六方最紧密堆积 (HCP)lBe, Mg, Y, Co,Ti, Zr 等等（（2 2）合金）合金合合金金是是金金属属间间化化合合物物或或固固溶溶体体，，如如同同纯纯金金属属的的情情况况一一样样，，可可以以被被认认为为是是密密堆积结构堆积结构可以描述成密堆积结构的材料可以描述成密堆积结构的材料 （（3））离子型结构离子型结构 NaCl，，Al2O3，，Na2O，，ZnO等等物物质质的的结结构构中中，，负负离离子子比比正正离离子子稍稍大大，，其其结结构构可可以以看看成成：：负负离离子子形形成成密密堆堆积积结结构构，，而而正正离离子子填在负离子的密堆积层的空隙位置上填在负离子的密堆积层的空隙位置上可以描述成密堆积结构的材料可以描述成密堆积结构的材料第一种：连续穿第一种：连续穿透两层的空隙透两层的空隙第二种：未连续穿第二种：未连续穿透两层的空隙透两层的空隙第二种：未连续第二种：未连续穿透两层的空隙穿透两层的空隙最紧密堆积的最紧密堆积的两层间存在两类不同的空隙两层间存在两类不同的空隙处于四个球包围之中处于四个球包围之中的空隙：四个球中心的空隙：四个球中心连线刚好构成一个四连线刚好构成一个四面体的形状。

面体的形状处于六个球包围之中处于六个球包围之中的空隙：六个球中心的空隙：六个球中心连线刚好构成一个八连线刚好构成一个八面体的形状面体的形状四面体空隙和八面体空隙四面体空隙和八面体空隙若有若有 n 个等大球个等大球体作最紧密堆积，体作最紧密堆积，就必定有就必定有 n 个八个八面体空隙和面体空隙和 2n 个个四面体空隙，其四面体空隙，其中中 T+和和T- 各一半T+T-OØ八面体空隙标记为八面体空隙标记为O, ,顶点向上和向下的顶点向上和向下的四面体空隙分别标记为四面体空隙分别标记为T+和和T- 面心立方晶胞中的八面体空隙位置面心立方晶胞中的八面体空隙位置坐标坐标 ½, ½, ½坐标坐标 0, ½, 0 [=1, ½, 0]Ø在一个由负离子组成的面心立方晶胞中，在一个由负离子组成的面心立方晶胞中，正离子所在的八面体空隙位置为立方体的正离子所在的八面体空隙位置为立方体的体中心和立方体每条边的中心体中心和立方体每条边的中心y0, 0, 0½, ½, 0½, 0, ½0, ½, ½1.2.3.4.½ , ½ , ½ ½, 0, 00, ½, 0 0, 0, ½5.6.7.8.负离子负离子坐标坐标八面体空隙位置八面体空隙位置坐标坐标12345678y面心立方晶胞中的八面体空隙位置面心立方晶胞中的八面体空隙位置坐坐标标Ø一个一个FCCFCC晶胞晶胞可分为可分为8 8个小立方体，在每个小立方体，在每个小立方体的中心是一个四面体位置。

个小立方体的中心是一个四面体位置面心立方晶胞中的面心立方晶胞中的四四面体空隙位置面体空隙位置Ø一个一个FCCFCC晶胞共有晶胞共有8 8个个四面体空隙位置，四面体空隙位置，Ø在平行于在平行于x x，，y y和和z z的方向上，的方向上，T T+ + 和和T T- -位置位置都是交替出现的都是交替出现的xzy3/4 , 1/4, 1/41/4, 3/4, 1/41/4, 1/4, 3/43/4, 3/4, 3/4 9.10.11.12.1/4 , 1/4 , 1/4 3/4, 3/4, 1/41/4, 3/4, 3/4 3/4, 1/4, 3/413.14.15.16.T+位置位置坐标坐标：：T-位置位置坐标坐标：：xz910111213141516y面心立方晶胞中的面心立方晶胞中的四四面体空隙位置面体空隙位置坐标坐标总结总结如果负离子形成如果负离子形成fcc/ccp密堆积结构，则单密堆积结构，则单胞中胞中：：4个个负离子位于负离子位于:000, ½½0, 0½½, ½0½4个个八面体位置八面体位置:½½½, 00½, ½00, 0½04个个四面体四面体T+位置位置: ¼¼¼, ¾¾¼, ¾¼¾,¼¾¾4个个四面体四面体T-位置位置: ¾¼¼, ¼¼¾, ¼¾¼, ¾¾¾Ø八面体空隙八面体空隙, , 四面体四面体T T+ +, , T T- -空隙位置可以空隙位置可以被正离子部分或完全占据，从而导致不同被正离子部分或完全占据，从而导致不同的晶体结构。

的晶体结构CaF2：： T+和和T-位置都位置都被占据被占据; O位置空着位置空着NaCl: O位置被占据；位置被占据； T+和和T-位置都位置都空着空着立方立方ZnS: T+(或或T-)位位置置被占；被占；O, T-(或或T+)空着空着Li3Bi：： O , T+和和T-位置都位置都被占据被占据典型晶体典型晶体结构结构介绍介绍(1) (1) 氯化铯结构氯化铯结构简单立方结构、配位数为简单立方结构、配位数为 8阴离子作简单立方堆积阴离子作简单立方堆积阳离子填充在立方体空隙中阳离子填充在立方体空隙中1个个Cl-位于位于:0, 0, 01个个Cs+位于位于: 1/2, 1/2, 1/2将晶体结构沿一个轴将晶体结构沿一个轴( (例如，沿例如，沿c c轴轴) )方方向投影下来向投影下来b原点原点aCsClCsCl晶体结构投影图晶体结构投影图v包括包括 CsBr、、CsI、、TlCl、、TlBr 和和 TlI 等在内等在内的一些晶体具有的一些晶体具有CsCl 型结构型结构vCsI 是一种闪烁晶体材料中科院上海硅酸是一种闪烁晶体材料中科院上海硅酸盐所首先研制成功，并在短短一年半时间里盐所首先研制成功，并在短短一年半时间里向日本和美国出口了向日本和美国出口了 16 吨。

吨v闪烁晶体：在光或闪烁晶体：在光或 X 射线辐射下具有很强射线辐射下具有很强的发光性质，可以用于探测的发光性质，可以用于探测 X 射线、射线、  射线、射线、正电子和带电粒子等，在高能物理、核工业正电子和带电粒子等，在高能物理、核工业等方面具有较广泛的应用等方面具有较广泛的应用CsCl结构化合物的例子结构化合物的例子这个结构相当于半径较大这个结构相当于半径较大的的 Cl 作立方最紧密堆积，作立方最紧密堆积，而半径较小的而半径较小的 Na+ 则填充则填充在所有的八面体空隙中在所有的八面体空隙中阴阳离子阴阳离子的配位数的配位数均为均为 6 6(2) (2) 氯化钠结构氯化钠结构4个个Cl-位于位于:000, ½½0, 0½½, ½0½4个个Na+位于位于: ½00, 0½0, 00½, ½½½ NaClNaCl晶体结构投影图晶体结构投影图Ø属于氯化钠结构的离子晶体很多，除了属于氯化钠结构的离子晶体很多，除了 NaCl 外，其他碱金属卤化物外，其他碱金属卤化物 (如如 LiF、、NaF 等等)、、Ø碱土金属氧化物碱土金属氧化物 (MgO、、CaO 等等)、、Ø碱土金属硫化物碱土金属硫化物 ( MgS 等等) Ø某些间隙相化合物某些间隙相化合物 (TiC、、TiN、、ZrN 等等)。

Ø其中其中 LiF、、NaF 等是玻璃及陶瓷助烧剂的主要等是玻璃及陶瓷助烧剂的主要原料，原料，ØMgO、、TiC 和和 TiN 等则是重要的高温材料等则是重要的高温材料 氯化钠结构氯化钠结构化合物化合物的例子的例子(3)(3)闪锌矿结构闪锌矿结构(立方ZnS)闪锌矿是立方面心格子闪锌矿是立方面心格子S S2-2- 离子形成离子形成立方密堆立方密堆积排列积排列ZnZn2+2+ 离离子子占占据据四四面面体体空隙空隙 的一半．的一半．阴阳离子的配位数均为阴阳离子的配位数均为 4 4 闪锌矿闪锌矿( (立方立方ZnS)ZnS)结构投影图结构投影图4个个S2-位于位于:000, ½½0, 0½½, ½0½4个个Zn2+位于位于: ¾¼¼, ¼¾¼，，¼¼¾, ¾¾¾在闪锌矿结构中在闪锌矿结构中, , 每个每个ZnZn2+2+被被4 4个个S S2-2-包围包围, , 形成形成S S2-2-在顶点，而在顶点，而ZnZn2+2+在中心的四面体在中心的四面体如果把如果把ZnSZnS4 4基团画成四面体基团画成四面体, ,则结构看上去则结构看上去更简单多面体表示的多面体表示的闪锌矿闪锌矿结构结构Ø属于闪锌矿结构的离子晶体有属于闪锌矿结构的离子晶体有 SiC、、GaAs、、AlP、、InSb 等。

等Ø其中其中 GaAs 是一种是一种 III V 族化合物族化合物半导体，是仅次于半导体，是仅次于 Si 的一种重要的半的一种重要的半导体材料导体材料 闪锌矿闪锌矿( (立方立方ZnS) ZnS) 结构化合物结构化合物的例子的例子Ca2+F-CaCa2+2+形成立方密形成立方密堆积排列堆积排列F  占据了所有的占据了所有的四面体空隙四面体空隙Ca2+ 的配位数的配位数=8F  的配位数的配位数=48 个阴离子构成个阴离子构成的六面体是一个的六面体是一个较大的空隙较大的空隙4)(4)萤石萤石 ( (CaFCaF2 2) ) 结构结构萤石萤石(CaF2)结构投影图结构投影图4个个Ca2+位于位于:000, ½½0, 0½½, ½0½8个个F-位于位于: ¼¼¼, ¾¼¼, ¾¾¼, ¼¾¼ ¼¼¾, ¾¼¾, , ¾¾¾, ¼¾¾ Ca2+F-FCaCaCaCa多面体表示的多面体表示的萤石萤石( (CaFCaF2 2) )结构结构萤石结构中萤石结构中, , 每个每个F F- -被被4 4个个CaCa2+2+包围包围, , 形成形成CaCa2+2+在顶点，在顶点， F F- -在中心的四面体。

如果把在中心的四面体如果把FCaFCa4 4基团画成四面体基团画成四面体, ,则这些四面体共边，则这些四面体共边，形成三维网络结构形成三维网络结构Ø萤石（萤石（CaF2）又称氟石，天然矿物中，）又称氟石，天然矿物中，Ca 经常被稀土元素部分取代而形成钇萤石、铈经常被稀土元素部分取代而形成钇萤石、铈萤石等Ø是制取各种氟化物的矿物原料，是制取各种氟化物的矿物原料，Ø在冶金工业中用作熔剂，用于排除炼钢时在冶金工业中用作熔剂，用于排除炼钢时矿石中的硫、磷等有害杂质矿石中的硫、磷等有害杂质Ø单晶有透红外线的能力，用作光学元件单晶有透红外线的能力，用作光学元件Ø还是玻璃、水泥工业的矿物原料之一还是玻璃、水泥工业的矿物原料之一 萤石萤石 ( (CaFCaF2 2) ) 的应用的应用Ø许多金属许多金属 (如如Cd、、Hg、、Pb、、Sr、、Ba等等) 的氟化物、锕系和镧系元素的二氧化物、的氟化物、锕系和镧系元素的二氧化物、ZrO2 等具有萤石结构等具有萤石结构Ø其中其中 UO2 是一种极好的核燃料另一种是一种极好的核燃料另一种具有萤石结构的氧化物具有萤石结构的氧化物 PuO2 也是一种核燃也是一种核燃料，通常和料，通常和 UO2 一道制成混合氧化物陶瓷一道制成混合氧化物陶瓷燃料，用于快中子增殖和新型转换堆。

燃料，用于快中子增殖和新型转换堆ØCeO2 和和 ZrO2 则是高温燃料电池中构成氧则是高温燃料电池中构成氧离子导电通道的新型固体电解质材料离子导电通道的新型固体电解质材料 萤石萤石结构化合物结构化合物的例子的例子Ø 一些碱金属的氧化物、硫化物、硒一些碱金属的氧化物、硫化物、硒化物和碲化物化物和碲化物 (如如 LiO2、、Na2O、、K2O、、LiS2、、Na2S、、LiSe2、、Na2Se、、K2Se、、LiTe2、、Na2Te、、K2Te 等等) 具有所谓具有所谓的反萤石结构的反萤石结构Ø这种结构的特征就是阴、阳离子在晶这种结构的特征就是阴、阳离子在晶胞中的位置与萤石结构正相反，阴、胞中的位置与萤石结构正相反，阴、阳离子的配位数分别为阳离子的配位数分别为 8 和和 4 反反萤石萤石结构化合物结构化合物的例子的例子思考题思考题1.1.画出立方最密堆积画出立方最密堆积( (ccp)ccp)的面心立方晶的面心立方晶胞，写出胞，写出 ( (a)a)原子的分数坐标；原子的分数坐标； ( (b)b)八面体空隙中心的分数坐标；八面体空隙中心的分数坐标； ( (c)c)四面体空隙中心的分数坐标四面体空隙中心的分数坐标. .2.2. 用密堆积型式描述用密堆积型式描述NaClNaCl晶体的结构晶体的结构. .3. 3. 用密堆积型式描述用密堆积型式描述立方立方ZnSZnS晶体晶体结构结构. .4. 4. 用密堆积型式描述用密堆积型式描述CaFCaF2 2晶体的结构晶体的结构. .。