模拟电子技术第3版 胡宴如)电子教案sum2.ppt

小 结,第 2 章,一、两种半导体放大器件,,双极型半导体三极管(晶体三极管 BJT),单极型半导体三极管(场效应管 FET),两种载流子导电,多数载流子导电,晶体三极管,1. 形式与结构,,,NPN,PNP,三区、三极、两结,2. 特点,基极电流控制集电极电流并实现放大,放大 条件,,内因：发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大,外因：发射结正偏、集电结反偏,3. 电流关系,,IE = IC + IB,IC =  IB + ICEO,IE = (1 + ) IB + ICEO,,,IE = IC + IB,IC =  IB,IE = (1 +  ) IB,第 2 章 小 结,,,4. 特性,死区电压(Uth)：,0.5 V (硅管),0.1 V (锗管),工作电压(UBE(on) ) ：,0.6  0.8 V 取 0.7 V (硅管),0.2  0.3 V 取 0.3 V (锗管),放大区,饱 和 区,截止区,放大区特点：,1)iB 决定 iC,2)曲线水平表示恒流,3)曲线间隔表示受控,,,第 2章 小 结,,,5. 参数,特性参数,电流放大倍数,,,, =  /(1   ), =  /(1 +  ),极间反向电流,ICBO,ICEO,极限参数,ICM,PCM,U(BR)CEO,ICM,U(BR)CEO,,PCM,,安 全 工 作 区,,= (1 + ) ICBO,,,第 2章 小 结,场效应管,1. 分类,按导电 沟道分,,N 沟道,P 沟道,按结构分,,绝缘栅型 (MOS),结型,按特性分,,增强型,耗尽型,uGS = 0 时， iD = 0,uGS = 0 时， iD  0,,增强型,耗尽型,(耗尽型),2. 特点,栅源电压改变沟道宽度从而控制漏极电流,输入电阻高，工艺简单，易集成,,,第 2章 小 结,由于 FET 无栅极电流，故采用转移特性和输出特性描述,不同类型 FET 转移特性比较,3. 特性,不同类型 FET 的特性比较,结型,N 沟道,,增强型,,耗尽型,MOS 管,,(耗尽型),IDSS,开启电压 UGS(th),夹断电压UGS(off),IDO 是 uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值,,,第 2章 小 结,二、晶体管电路的基本问题和分析方法,三种工作状态,放大,I C =  IB,发射结正偏 集电结反偏,饱和,I C   IB,两个结正偏,ICS =  IBS 集电结零偏,临界,截止,IB 0, IC = 0,两个结反偏,判断导通还是截止：,UBE U(th) 则导通,以 NPN为 例：,UBE U(th) 则截止,判断饱和还是放大：,1. 电位判别法,NPN 管,UC UB UE,放大,UE UC  UB,饱和,PNP 管,UC UB UE,放大,UE UC  U B,饱和,2. 电流判别法,IB IBS 则饱和,IB IBS 则放大,,,第 2章 小 结,,两个基本问题,静态 (Q ) —,动态 (Au) —,解决不失真的问题,,“Q”偏高引起饱和失真,“Q”偏低引起截止失真,解决能放大的问题,两种分析方法,1. 计算法,1) 直流通路求“Q ”,(从发射结导通电压UBE(on)出发),2) 交流通路分析性能,交流通路画法 ：,VCC 接地， 耦合电容短路,小信号 电路模型,,,,第 2章 小 结,2. 图解法,。