干刻工艺介绍.ppt

干刻工艺介绍 Array-DRY 2015/7/20干蚀刻原理12干蚀刻模式3干蚀刻工艺参数4干蚀刻反应方式干蚀刻评价项目6镀膜(PVD、CVD)上光阻(Coater)光罩 曝光(Exposure)去光阻液(Stripper)去光阻蚀刻 (Dry、Wet)酸气体镀下一层膜显影(Developer)显影液清洗 非金属层非金属层GIESPAS1/PAS2SiO2SiNxO2 He Ar +CF4 Cl2 BCl3SiF4气体，易于抽走干蚀刻：将特定气体特定气体置于低压低压状态下施以电压施以电压，将其激发成Plasma，对特定膜层加以化化学性蚀刻和离子轰击学性蚀刻和离子轰击，达到去除膜层的一种蚀刻方式；干蚀刻原理Plasma基板光阻 薄膜光阻光阻去掉不想要的薄膜去掉不想要的薄膜 留下想要的留下想要的①化学反应-等向性刻蚀物理反应-异向性刻蚀SiF4PlasmaPlasmaF*SiF4F*干蚀刻反应方式干蚀刻模式干蚀刻模式plasmaF*F*F*plasmaCF2+ F*plasma CF2+ F*plasmaCF2+ F*RIE modeECCP modePE modeICP modePlasma EtchingReactive Ion EtchingEnhanced Capacitive coupled PlasmaInductively Coupled Plasma工艺工艺参数参数温度温度压力压力RFRFpowerpower过刻过刻时间时间蚀刻蚀刻时间时间气体气体流量流量干蚀刻工艺参数评价项目ER/U%Taper角形态下层膜膜厚下层膜电性Resist残渣信赖性Contact寸法干蚀刻评价项目选取13个点，测量段差，计算刻蚀率与均一性 刻蚀率与均一性刻蚀率：刻蚀某层膜的速率，即平均刻蚀膜厚/刻蚀时间，（ERmax ＋ERmin）/2/刻蚀时间（Å/min）均一性均一性：ERmax－ERmin/ERmax ＋ERmin表示1枚panel内若干点之间ER的偏差选择比：ER上/ER下被etching的膜和下层膜的ER的比例。

SiO/IGZO SiO/IGZO >7 7SiO/SiO/金属金属 >7 7SiN/ITO SiN/ITO >7 7 下层膜膜厚 Taper角 Taper是指蚀刻后的断面倾斜度，是蚀刻制程中相当重要的要求，与后续沉积的薄膜覆盖性有相当密切的关系≦80° 下层膜电性金属阻抗半导体特性VIVglVthVghVgl: 所有TFT全部关闭的Gate电压（一般设为V）Vgh: 所有TFT全部打开并稳定的Gate电压（一般设为27V）Vth: 阈值电压，即能使TFT半导体导电的最小Gate电压.TFT特性曲线 一般分为单边（Single side）和双边（Both side）CD lossBoth side CD loss=DICD-FICDSingle side CD loss=(DICD-FICD)/2CD lossFICDDICD Resist残渣 plasma不能改变光刻胶特性 信赖性 老化试验之后，阈值电压需大于Vgl Contact 寸法Thank you!。