固体物理学_答案.docx

《固体物理学》习题解答黄昆原著韩汝琦改编（陈志远解答，仅供参考）第一章晶体结构1.1、解：实验表明，很多元素的原子或离子都具有或接近于球形对称结构因此，可以把这些原子或离子构 成的晶体看作是很多刚性球紧密堆积而成这样，一个单原子的晶体原胞就可以看作是相同的小球按点 阵排列堆积起来的它的空间利用率就是这个晶体原胞所包含的点的数目n和小球体积V所得到的小球总nV体积nV与晶体原胞体积Vc之比，即：晶体原胞的空间利用率，x = nVVc(1) 对于简立方结构：(见教材P2图1-1)4 °a=2r， V= wr3，Vc=a3，n=134 wr3 4 wr3x = -3——=-3——=-=0.52a3 8r3 6（2）对于体心立方：晶胞的体对角线BG=（3a = 4rn=2, Vc=a32 x — Kr3 2 x — wr3 -x = 3 = 3 =—兀 ~ 0.68a3 小'38(丁 r)3（3）对于面心立方：晶胞面对角线BC=v'2a = 4r,n a = 2t2rn=4，Vc=a3,4 ,44 x —wr3 4 x —wr3 .—x = 3 = 3 =—兀 ~ 0.74a3 (2t2r)3 6(4)对于六角密排：a=2r晶胞面积：S=6x S海。

6 x a X 了'60 = 321323、：3 8 -— -—晶胞的体积：V=Sx C = = a2 x」一a = 3板2a3 = 24t2r32 \ 3n=1212 x1 + 2 x1 + 3=6个6 2x = P U s 0.74 24v2r3 68rn=8, Vc=a3（5）对于金刚石结构，晶胞的体对角线BG=、：3a = 4 x 2r n a =与8 x，^r3 8 xhr3 板3 3 3兀x = = = ^ 0.34a3 83 6打31.2、试证：六方密排堆积结构中C = （8）1/2 5.633 a 3第二层硬证明：在六角密堆积结构中，第一层硬球A、B、O的中心联线形成一个边长a=2r的正三角形，球N位于球ABO所围间隙的正上方并与这三个球相切，于是：NA=NB=NO=a=2R.即图中NABO构成一个正四面体…1.3、证明：面心立方的倒格子是体心立方；体心立方的倒格子是面心立方证明：（1）面心立方的正格子基矢（固体物理学原胞基矢）：＜—a—a (i + j)3 2―►由倒格子基矢的定义：b2 兀—.—、 (a x a )2 30,a2,,/ a - (a x a )=a2,0,a3~4a 2 ———、=—(-i + j + k)a2,a2,a2,i—>・•・b = 2兀i7 2兀尸—厂、b2 =——（i - j + k）同理可得：2 a 即面心立方的倒格子基矢与体心立方的正格基矢相同。

7 2兀尸b =一 （i + j - k）所以，面心立方的倒格子是体心立方a ,— — 了、 a2= 2(i - "k)a ,———、a=2(-i+j+k)（2）体心立方的正格子基矢（固体物理学原胞基矢）：〈— 2兀由倒格子基矢的定义：b =--(a xa )1 U 2 3a a a— , ,2 2 2—,—,kc — a a a•/ U = a - (a x a )=—, -—, —a3 ——=—，a x a =a a a—,—二, ~=a (—+k)1 2 3 2 2 22 2 32 2 22a a aa a a, 二, 2 2 2—, -, —2 2 22 a2 / —广、2兀——X — X (J + k) = (J + k)a 3 2 a b = — (i + k)同理可得：2 : 即体心立方的倒格子基矢与面心立方的正格基矢相同—2兀尸—、b3 = — U + J)所以，体心立方的倒格子是面心立方 —^ —^ —^1・5、证明倒格子矢量G = hb + hb + hb垂直于密勒指数为(hhh )的晶面系1 1 2 2 3 3 1 2 3证明: — —— — ——因为CA = ai-幻,CB = a2-a，G = hb + hb + hbh] h3 h2 h3 ii 22 33G - CA = 0—利用a - b = 2说，容易证明—hih2h3 一i J iJ G - CB = 0h1h2h3—— — —所以，倒格子矢量G = hb + hb + hb垂直于密勒指数为(hhh )的晶面系。

1 1 2 2 3 3 1 2 31.6、对于简单立方晶格，证明密勒指数为(h,k,l)的晶面系，面间距d满足：d2 = a2,,‘ (h2 + k2 +12)，容易解理— a x ab = 2 兀一1——3 a - a x a其中a为立方边长；并说明面指数简单的晶面，其面密度较大， 解：简单立方晶格：a 1 a21 a3，a = ai— _ a x a由倒格子基矢的定义：b = 2兀—2— 3—1 a - a x a倒格子基矢:倒格子矢量:厂2兀亍厂 2兀r厂 2兀厂b =——i, b =——j, b =——k一 r r r 一 2 兀 一 2 兀 一 2 兀一 G = hb + kb + lb , G = h ——i + k ——j +1 ——k晶面族(hkl)的面间距:2兀— 1冏—"、,k、 工 (―)2 + (―)2 + (―)2■ a a ar a2d 2 = (h 2 + k 2 +12)面指数越简单的晶面，其晶面的间距越大，晶面上格点的密度越大，单位表面的能量越小，这样的晶面 越容易解理1.9、画出立方晶格(111)面、(100)面、(110)面，并指出(111)面与(100)面、(111)面与(110) 面的交线的晶向。

解:(111)1、(111)面与(100)面的交线的AB，AB平移，A与O点重合，B点位矢：RB = 一aj + ak， (111)面与(100)面的交线的晶向^AB = -aj + ak，晶向指数［011］111)* r r2、(111)面与(110)面的交线的AB，将AB平移，A与原点O重合，B点位矢：Rb = -ai + aj，(111)面，二 r —与(110)面的交线的晶向AB = -ai + aj，晶向指数［110］第二章固体结合2.1、两种一价离子组成的一维晶格的马德隆常数(a = 2ln2 )和库仑相互作用能，设离子的总数为2Na v—=乙rj〈解〉设想一个由正负两种离子相间排列的无限长的离子键，取任一负离子作参考离子(这样马 德隆常数中的正负号可以这样取，即遇正离子取正号，遇负离子取负号)，用r表示相邻离子间的距离， 于是有'(土 1)中「1 1 1 1 [ =2 [ 1 + ...]r r 2r 3r 4前边的因子2是因为存在着两个相等距离r的离子，一个在参考离子左面，一个在其右面，故对一边求 i和后要乘2,马德隆常数为1 1 1 [a = 2[1— — + — — — +...]2 3 4牙2 . X3 x4 .•.•£■ (1+ x) = x — — + — — + ...n X 3 4.・・a =2 2、“ ， — 111 c当 X=1 时，有1 _; + ;;_;;■+ …= 22 3 4 n2・3、若晶体的相互作用能可以表示为u (r)=-± + £rm rn试求：⑴平衡间距r。

2） 结合能W （单个原子的）;（3） 体弹性模量；⑷若取m = 2,n = 10，r° = 3A, W = 4叩，计算a及3的值解：（1）求平衡间距r0du (r)有：由 一drr=r0ma n (ma)'m-n (np )1 n-m- =0 n r = = Hr m+1 r n+1 0 " np j k ma J结合能：设想把分散的原子（离子或分子）结合成为晶体，将有一定的能量释放出来，这个能量称为结合能（用w表示）（2）基团求结合能w （单个原子的）题中标明单个原子是为了使问题简化，说明组成晶体的基本单元是单个原子，而非原子团、离子 或其它复杂的基元显然结合能就是平衡时，晶体的势能，即U.mina即：W = -U(r ) = +0rm rn00（可代入r0值，也可不代入）(3)体弹性模量由体弹性模量公式:—0—9Vo顼"Jr0(4)m = 2，n = 10w = 4eV，/ 、 aU (r )=0P 4a+ =r 2 r 100 .5r2(r 8 = 5代入)0 a=4eV4an W = -U(r )=-0 5r 20将 r0 = 3 A，1eV = 1.602 x 10-19 J 代入①②a = 7.209 x 10-38 N - m2 nP = 9.459 x 10-115 N - m2(1)平衡间距r0的计算rmrndU平衡条件;一 drma nP 八——+ = 0，rm+10r n +10(2)单个原子的结合能1 ,、 / 、, aW =—二u(r )，u(r )=(-2 0 0 rmrnnP、—m )n - m ma土 d 2U、⑶体弹性模量K =(亦^0晶体的体积V = NAr3, A为常数，N为原胞数目N a P晶体内能U (r) = —(— — + )2 rm rndU _ dU drdVdr dV2 rm+inP)rn+1 3 NAr 2d2U N dr d ma2 dV dr rm+1dV 2业)——] rn+1 3NAr 2dV 2V=V)dU 由平衡条件marm0+ nP ]rn0dVV=V02 rm+1 rn+100N1m 2a n 2 P—-[ + —^~ ]N marn 0rn 0rm 0nP=03 NAr 20ma得一nPrm0rn0dV 22 9V 2rmV=V) 00d 2UN 1 「mad 2UdV 2rm 02 9V 20nP+ n ]rn0N nm[-二 + 色]2 9V2 rm rn0 0 0U =N ,a—(-——+02rm0d 2UmndV 2~ 9V 2V =V0P0rn0V=V0(一"°)，…，…、N a p、 晶体内能U (r) = ~(— — + )(4)若取m = 2, n = 10, r0= 3A , W = 4 eVq 1 m、，npLn-m。