光电技术第3章(2).ppt

3.2.7 光电位置传感器（PSD)Position Sensitive DetectorsA Position Sensitive Detector (PSD) consists of a monolithic PIN photodiode with a uniform resistance in one or two dimensions. PSDs have many advantages, compared to discrete element detectors, including high position resolution, fast response speed and simple operating circuits. Position data is independent of the size of light spot on the detector. They can be used for non-contact distance measurement, laser beam alignment and optical tracking of an object. PSDs for tracking electrons or high energy particles are also available.光电位置传感器是一种对入射到光敏面上的光 点位置敏感的光电器件，其输出信号与光点在光敏 面上的位置有关。

它对光斑的形状无严格要求 ,即输出信号与光的聚焦 无关，只与光的能量中心位置有关；光敏面无需分割，消除了死区，可连续测量光斑位置 ，位置分辨率很高，一维可以达到0.2um；可同时检测位置和光强特点：1. PSD器件的工作原理 设p型层的电阻是均匀的，两电极间的距离为2L， 流过两电极的电流分别为I1和I2，则流过n型层上电 极的电流I0为I1和I2之和 当光束入射到PSD器件 光敏层上距中心点的距 离为xA时，在入射位置 上产生与入射辐射成正 比的信号电荷，此电荷 形成的光电流通过电阻 p型层分别由电极1与2 输出I0= I1+I2 n2. 一维PSD器件 一维PSD器件主要用来测量光斑在一维方向上的位置或 位置移动量的装置图3-34（a）为典型一维PSD器件S1543的结构示意图，其中1和2为信号电极，3为公共电极它的光敏面为细长的矩形条 图3-35所示，为一维PSD位置检测电路原理图，光 电流I1经反向放大器A1放大后分别送给放大器A3与A4， 而光电流I2经反向放大器A2放大后也分别送给放大器A3 与A4，放大器A3为加法电路，完成光电流I1与I2相加的运 算（放大器A5用来调整运算后信号的相位）；放大器A4 用作减法电路，完成光电流I2与I1相减的运算。

n3.二维PSD器件 如图3-36（a）所示，在 正方形的PIN硅片的光 敏面上设置2对电极， 分别标注为Y1，Y2和X3 ，X4，其公共N极常接 电源Ubb二维PSD器件 的等效电路如图3-36（ b）所示 为了减少测量误差常将二维PSD器件的光敏面进行改进，改进后的PSD光敏面如图3-37所示图形，四个引出线分别从四个对角线端引出，光敏面的形状好似正方形产生了枕形畸变这种结构的优点是光斑在边缘的测量误差被大大地减少 UbbRLUo反向偏置电路3.3 光生伏特器件的偏置电路 3.3.1 反向偏置电路 光生伏特器件在反向偏置状态，PN结势垒区加宽，有利于光生载流子的漂移运动，使光生伏特器件的线性范围和 光电变换的动态范围加宽 1.反向偏置电路的输出特性 在如图3-40所示的反向偏置电路中，Ubb>>KT/q时， 流过负载电阻RL的电流IL为 二极管两端的电压可以写成2.输出电流、电压与辐射量间的关系 反向饱和电流很小，可以忽略不计 反向偏置电路的输出电压与入射辐射量的关系为 输出电压信号△U为 例 用2CU2D光电二极管探测激光器输出的调制信 号φe,λ=20 +5sinωt（μW）的辐射通量时，若已 知电源电压为15V，2CU2D的光电流灵敏度 Si=0.5μA/μW，结电容Cj=3 pF，引线分布电容 Ci=7 pF，试求负载电阻RL=2MΩ时,该电路的偏置 电阻RB为多少？并计算输出最大电压信号情况下 的最高截止频率为多少？ 解 首先找出入射辐射的峰值φm φm=20+5=25μW2CU2D的最大输出光电流Im设最大输出电压信号时的偏置电阻为RB，则Im=Siφm =12.5(μA)最大输出的电压时的最高截止频率fb为n3.反向偏置电路的设计与计算 反向偏置电路常用图解法，根据光电三极管（或光伏器件）的反向偏置电路图与其输出特性曲线，可以求解出任何入射辐射作用下的输出电压信号。

也可以根据题目的要求，设计出偏置电路的各种参数例 已知某光电三极管的伏安特性曲线如图3-42所 示当入射光通量为正弦调制量φv,λ=55 +40sinωt lm时，今要得到5V的输出电压，试设计该光电三极管的变换电路，并画出输入输出的波形图，分析 输入与输出信号间的相位关系 解 : 首先根据题目的要求，找到入射光通量的最大值与最小值 φmax=55+40=95 lmφmin=55－40=15 lm在特性曲线中画出光通量的变化波形，补充必要的特性曲线再根据题目对输出信号电压的要求，确定光电三极管集电极电压的变化范围，本题要求输出5V，指的是有效值，集电极电压变化范围应为双峰值即Uce=2U≈14V根据偏置电路可知，入射为最大时输出电压应最小，但不能进入饱和区为此，在特性曲线的“拐点”右侧找一点“A”并做垂线交横轴于“C”点，从“C” 向右量14V，找“D”点由“D”做垂线交入射为最小的特性曲线与“B”通过“A”、 “B”做直线，此线即为负载线由负载线可以得到负载电阻RL和电源电压Ubb。

根据入射光通量正弦变化关系可以在特性曲线的电压坐标轴上画出输出信号的波形如图所示由输出波形可以看出入射辐射与输出电压信号为反向关系显然， “C”点电压为3.7V ， “D”点电压为17.7V 电源 电压Ubb 近似为19V，取标称电压20V电源电压Ubb取标称电压20V后可以适当地修正负 载线n3.3.2 零伏置电路 如图3-43所示为采用高输入阻抗放大器构成的 近似零伏偏置电路图中Isc为短路光电流，Ri为光生伏特器件的内阻，集成运算放大器的开环放大倍 数Ao很高，使得放大器的等效输入电阻很低，光 生伏特器件相当于被短路即 反馈电阻Rf很高，电路的放大倍率和灵敏度都很大 1.09年诺贝尔物理学奖1. 高锟在“有关光在纤维中的传输以用于光学通信方 面”取得了突破性成就博伊尔和史密斯发明了半导体成像器件——电荷耦 合器件(CCD)图像传感器2.声光控制 (智能，低压)。