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I2C的5V和3.3V电平转换的经典电路.doc

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  • 卖家[上传人]:桔****
  • 文档编号:442490305
  • 上传时间:2023-11-02
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    • I2C的5V和3.3V电平转换的经典电路"Lower voltage'1 sectionhHigher voltage' actionIt J 土匸洱■(阳I在电平转换器的操作中要考虑下面的三种状态:1没有器件下拉总线线路 低电压”部分的总线线路通过上拉电阻 Rp上拉至3.3V MOS-FET管的 门极和源极都是3.3V,所以它的VGS低于阀值电压,MOS-FET管不导通这就允许 高电压”部分的 总线线路通过它的上拉电阻 Rp拉到5V此时两部分的总线线路都是高电平,只是电压电平不同2 一个3.3V器件下拉总线线路到低电平 MOS-FET管的源极也变成低电平,而门极是 3.3V VGS 上升高于阀值,MOS-FET管开始导通然后 高电压”部分的总线线路通过导通的 MOS-FET管被3.3V器 件下拉到低电平此时,两部分的总线线路都是低电平,而且电压电平相同3 一个5V的器件下拉总线线路到低电平 MOS-FET管的漏极基底二极管 低电压”部分被下拉直到 VGS超过阀值,MOS-FET管开始导通 低电压”部分的总线线路通过导通的 MOS-FET管被5V的器 件进一步下拉到低电平此时,两部分的总线线路都是低电平,而且电压电平相同。

      这三种状态显示了逻辑电平在总线系统的两个方向上传输, 与驱动的部分无关状态1执行了电平转换功能状态2和3按照I2C总线规范的要求在两部分的总线线路之间实现 线与”的功能除了 3.3V VDD1和5V VDD2的电源电压外,还可以是例如:2.5V VDD1禾口 12V VDD2在正常操作 中,VDD2必须等于或高于 VDD1 (在开关电源时允许 VDD2低于VDD1 )MOS-N场效应管 双向电平转换电路--适用于低频信号电平转换的简单应用MOS-N场效应管双向电平转换电路3.3V-IO33V_I IG5V2 sTITd 3R?Jl OK T 5VJOQ?SI2306如上图所示,是 MOS-N场效应管 双向电平转换电路 双向传输原理:为了方便讲述,定义 3.3V为A端,5.0V为B端A端输出低电平时(0V) , MOS管导通,B端输出是低电平(0V)A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V)A端输出高阻时(OC) ,MOS管截至,B端输出是高电平(5V)B端输出低电平时(0V) ,MOS管内的二极管导通,从而使 MOS管导通,A端输出是低电平(0V)B端输出高电平时(5V) ,MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)B端输出高阻时(OC) ,MOS管截至,A端输出是高电平(3.3V)优点:1、 适用于低频信号电平转换,价格低廉。

      2、 导通后,压降比三极管小3、 正反向双向导通,相当于机械开关4、 电压型驱动,当然也需要一定的驱动电流,而且有的应用也许比三极管大。

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