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有刷 直流 马达 驱动电路 MX1515 重庆中科芯亿达电子有限公司 Rev1.1 2012-8-8 深 办 ： 深 圳 市 南 山 区 艺 园路 125 号 马 家 龙 田 厦 IC 产 业园 A402 :0755-26099570 传 真 :0755-26895685 1 有刷直流马达 驱动电路 MX1515 概述 该 产品 为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案 电路内部集成了两通道采用 N 沟和 P 沟功率 MOSFET 设计的 H 桥驱动电路 ，适合于驱动 电动玩具车的转向轮及后轮驱动该电路 具备较宽的工作电压 范围（ 从 2V 到 9.6V），转向轮驱动 最大持续输出电流达到 1.5A，最大峰值输出电流达到 2.5A，后轮驱动 最大持续输出电流达到 1.5A，最大峰值输出电流达到 2.5A 该 驱动电路 内置过热保护电路。

通过驱动电路的负载电流远大于电路的最大持续电流时，受封装散热能力限制，电路内部芯片的结温将会迅速升高，一旦超过设定值 (典型值 150℃ )， 内部电路将立即关断输出功率管，切断负载电流，避免温度持续升高造成塑料封装冒烟、起火等安全隐患内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对电路进行控制 特性 ● 低待机电流 (小于 0.1uA)； ● 低静 态工作电流； ● 集成的 H 桥驱动电路； ● 内置防共态导通电路； ● 低导通内阻的功率 MOSFET 管； ● 内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD)； ● 抗静电等级： 3KV (HBM) 典型应用 ● 2-6 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动； ● 2-6 节镍 -氢 /镍 -镉充电电池供电的玩具马达驱动； ● 1-2 节 锂电池供电的马达驱动 订购信息 产品型号 封装 工作温度 MX1515 DIP16 -20℃ ~ 85℃ Sinotech Mixic Electronics Co.,LTD MX1515 重庆中科芯亿达电子有限公司 Rev1.1 2012-8-8 深 办 ： 深 圳 市 南 山 区 艺 园路 125 号 马 家 龙 田 厦 IC 产 业园 A402 :0755-26099570 传 真 :0755-26895685 2 引脚排列 引脚定义 131415161234VCINA1INB1VD1OUTBAGNDPGNDOUTA9101125678VC2INA2INB2VD2OUTB2AGND2PGND2OUTA功能框图 2341V C C 1逻辑电路过 热 保 护 电 路V D D 11 4A G N D 15V C C 2逻辑电路过 热 保 护 电 路1 0A G N D 2I N A 11 2 . 5 KVCC1A G N D电 平 转 换 电 路I N B 11 2 . 5 KVCC1A G N D电 平 转 换 电 路1 6O U T A 1栅驱动电路P G N D 11 3V D D 1栅驱动电路O U T B 11 5P G N D 11 28O U T A 2VDD2栅驱动电路P G N D 2V D D 27I N B 21 2 . 5 KVCC2A G N D 2电 平 转 换 电 路9V D D 2栅驱动电路O U T B 21 1P G N D 26I N A 21 2 . 5 KVCC2A G N D 2电 平 转 换 电 路引脚编号 引脚名称 输入 /输出 引脚功能描述 1 VCC1 - 1 通道逻辑控制 电源端 2 INA1 I 1 通道 正转逻辑输入 3 INB1 I 1 通道 反转逻辑输入 4 VDD1 - 1 通道 功率电源端 5 VCC2 - 2 通道逻辑控制 电源端 6 INA2 I 2 通道 正转逻辑输入 7 INB2 I 2 通道 逻辑输入 8 VDD2 - 2 通道 功率电源端 9 OUTB2 O 2 通道 反转输出 10 AGND2 - 2 通道 逻辑控制电路接地端 11 PGND2 - 2 通道 输出功率管接地端 12 OUTA2 O 2 通道 正转输出 13 OUTB1 O 1 通道 反转输出 14 AGND1 - 1 通道 逻辑控制电路接地端 15 PGND1 - 1 通道 输出功率管接地端 16 OUTA1 O 1 通道 正转输出 Sinotech Mixic Electronics Co.,LTD MX1515 重庆中科芯亿达电子有限公司 Rev1.1 2012-8-8 深 办 ： 深 圳 市 南 山 区 艺 园路 125 号 马 家 龙 田 厦 IC 产 业园 A402 :0755-26099570 传 真 :0755-26895685 3 逻辑真值表 INAx INBx OUTAx OUTBx 功能 L L Z Z 待机 H L H L 正转 L H L H 反转 H H L L 刹车 注： x 代表 1 或者 2。

典型波形 示意 图 I N A xI N B xL H L HL H L H输 入 信 号V D D x0- V D D x正 转 反 转 刹 车马 达 两 端 电 压( VO U T A x- VO U T B x)待 机注： x 代表 1 或者 2 Sinotech Mixic Electronics Co.,LTD MX1515 重庆中科芯亿达电子有限公司 Rev1.1 2012-8-8 深 办 ： 深 圳 市 南 山 区 艺 园路 125 号 马 家 龙 田 厦 IC 产 业园 A402 :0755-26099570 传 真 :0755-26895685 4 绝对最大额定值 (TA=25℃ ) 参数 符号 值 单位 最大逻辑控制电源电压 VCCx(MAX) 7 V 最大功率电源电压 VDDx(MAX) 10 最大外加输出端电压 VOUT(MAX) VDDx 最大外加输入电压 VIN(MAX) VCCx 最大峰值输出电流 1 通道 IOUT(PEAK) 2.5 A 2 通道 2.5 最大功耗 PD 2 W 结到环境热阻 DIP16 封装 θJAD 70 ℃ /W 工作温度范围 Topr -20~+85 ℃ 结温 TJ 150 ℃ 储存温度 Tstg -55~+150 ℃ 焊接温度 TLED 260℃ ， 10 秒 ESD(注 3) 3000 V 注： (1)、 x 代表 1 或者 2。

(2)、不同环境温度下的 最大功耗 计算公式为 : PD=(150℃ -TA)/θJA TA 表示电路工作的环境温度 ， θJA 为封装的热阻 150℃ 表示电路的最高工作结温 (3)、电路功耗的计算方法 : P =I2R 其中 P 为电路功耗， I 为持续输出电流， R 为电路的导通内阻电路功耗 P 必须小于最大功耗 PD (4)、人体模型， 100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电 推荐工作条件 (TA=25℃ ) 参数 符号 最小值 典型值 (VDD=6.5V) 最大值 单位 逻辑和控制电源电压 VCCx 1.8 -- 5 V 功率 电源电压 VDDx 2 -- 9.6 V 持续输出电流 1 通道 IOUT1 1.5 A 2 通道 IOUT2 1.5 注： (1)、 x 代表 1 或者 2 (2)、 逻辑控制电源 VCC 与功率电源 VDD 内部完全独立，可分别供电当逻辑控制电源 VCC 掉电之后，电路将进入待机模式 (3)、 持续输出电流测试条件为：电路贴装在 PCB 上测试 Sinotech Mixic Electronics Co.,LTD MX1515 重庆中科芯亿达电子有限公司 Rev1.1 2012-8-8 深 办 ： 深 圳 市 南 山 区 艺 园路 125 号 马 家 龙 田 厦 IC 产 业园 A402 :0755-26099570 传 真 :0755-26895685 5 电特性参数表 (TA=25℃ , VCCx=3V, VDDx =6V 除非另有规定 ) 参数 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源参数 VCCx 待机电流 IVCCST INAx=INBx= L;VCCx=7V; VDDx=10V;输出悬空 -- 0 10 uA VDDx 待机电流 IVDDST -- 0 10 VCCx 静态电源电流 IVCCx INAx=H OR INBx=H;输出悬空 -- 182 -- uA VDDx 静态电源电流 IVDDx INAx=H OR INBx=H;输出悬空 -- 83 -- 输入逻辑电平 输入高电平 VINH 2 -- -- V 输入低电平 VINL -- -- 0.8 输入电平迟滞 VHYS 0.6 输入高电平电流 IINH VINH=2.5V,VCCx=3V 191 uA 输入下拉电阻 RIN VINH=3V,VCCx=3V 12 KΩ 功率管导通内阻 1 通道 导通内阻 RON1 IO=±200mA VDD1=6V TA=25℃ 0.47 Ω IO=±1.5A VDD1=6.5V TA=25℃ 0.58 2 通道 导通内阻 RON2 IO=±200mA VDD1=6V TA=25℃ 0.47 IO=±1.5A VDD1=6.5V TA=25℃ 0.58 保护功能参数 热关断温度点 TSD -- 150 -- ℃ 热关断温度迟滞 TSDH -- 20 -- 功率 MOSFET 体二极管导通特性 -1 通道 PMOS 体二极管 VPD I=400mA,VCC1=3V, VDD1=INA1=INB1=0V 0.76 V NMOS 体二极管 VND I=-400mA, VCC1=VDD1=3V, INA1=INB1=0V 0.75 功率 MOSFET 体二极管导通特性 -2 通道 PMOS 体二极管 VPD I=400mA,VCC1=3V, VDD1=INA1=INB1=0V 0.76 V NMOS 体二极管 VND I=-400mA, VCC1=VDD1=3V, INA1=INB1=0V 。