（行业分析）行业基本面分析.doc

LED行业基本面分析目录一，总结 21.1 行业演进 21.2 产业链分解 21.3 竞争力分析 21.3.1 行业壁垒 21.3.2 议价能力 31.3.3 同业竞争 31.3.4 替代威胁 31.4 领导企业 41.5 下游需求 41.5.1 产值预测 41.5.2 重点需求 51.6 发展趋势 51.7 投资建议 5二，行业概况 62.1 技术发展 62.2 白光LED基本情况 72.3 产业链 82.4 竞争格局 9三，LED制造产业 123.1 材料制备行业 123.2 设备制造行业 133.3 外延片芯片制造行业 143.3.1 基本情况 143.3.2 大陆市场 153.4 封装行业 17四，LED应用产业 194.1 基本情况 194.2 照明应用行业 204.3 显示屏应用行业 244.4 背光源应用行业 25五，大陆LED行业 285.1 基本情况 285.2 地区发展 29六，台湾LED行业 32一，总结1.1 行业演进LED照明技术的发展路径可以从两个维度来拆解：1，色彩丰富，从60年代的红色，到70年代的黄、绿色，直至90年代的蓝、白色；2，发光效率提升，从60年代0.1 lm/w，到80年代的10 lm/w，直至当前的100 lm/w。

LED的应用范围随着其色彩丰富、发光效率提升，逐步从60年代的指示灯市场，发展到90年代的背光市场，直至当前的显示屏、中型尺寸LCD背光等市场，未来还可能向大尺寸背光、通用照明、车头灯等市场渗透，市场容量可能从几百亿美元，跃升为上千亿美元，前景看好1.2 产业链分解LED产业链大致分为制造和应用两个环节制造环节又可细分为：上游的单晶片衬底制作、MOCVD制造；中游的外延晶片生长、芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装应用领域又可大致分为三部分：照明应用、显示屏、背光源应用1.3 竞争力分析1.3.1 行业壁垒环节衬底制作设备制造外延片、芯片封装组件技术难度因蓝宝石衬底片要求表面光洁度在纳米级以上，研磨尤其困难国际上只有德、美、英、日等非常有限的企业可以商业化生外延片提高外量子效率、降低结温、有效散热；芯片成品率传统封装技术成熟，多芯片封装技术难度大，关键是散热问题专利壁垒极高，日亚拥有蓝宝石衬底专利，Cree有SiC衬底专利极高，行业最领先的日本企业对技术严格封锁核心专利由日亚、丰田合成、Lumileds、Cree、Osram等控制较低，大功率LED有一定专利壁垒生产特点技术驱动技术驱动技术>资本>工艺劳力>规模>工艺>技术集中度寡头垄断寡头垄断高端高（五大）中低端低集中度很低主要壁垒专利壁垒、技术壁垒技术壁垒、专利壁垒MOCVD台数、工艺成熟水平、专利授权关键在于资本实力和管理的精细化，大功率LED制造有技术壁垒进入门槛极高极高偏高低1.3.2 议价能力环节衬底制作设备制造外延片、芯片封装组件对下游议价能力强，衬底材料必然会影响整个产业，是各个技术环节的关键强，MOCVD的供货能力是限制LED芯片公司产能扩张的瓶颈中高端拥有较强议价能力；低端产能旺盛，议价能力不足弱，除了有技术含量的大功率、多芯片封装供需寡头垄断，供需稳定以销定产，下游需求旺盛GaN基芯片产能扩大较快。

低档产品供大于求，高档产品则价高难求属于劳动密集行业，市场供给充分1.3.3 同业竞争全球LED产业主要分布在日本、台湾、欧美、韩国和大陆等国家与地区 日本约占38%的份额，是全球LED产业最大生产国，保持高亮度蓝光和白光LED的专利技术优势，在高亮度LED市场居于领导地位 美国及欧洲地区掌握上游外延及芯片核心技术，产业垂直整合最为完整，以高端应用产品市场为主，在大尺寸LCD背光源、白光照明及汽车应用等高端市场占有优势 台湾由封装起步，逐步向上游外延及芯片领域拓展台湾以低价策略逐渐威胁到日本的领导地位，基本占据了中低端LED市场，目前产值位列全球第二，市场占有率约24% 中国，封装仍是LED产业中最大的产业链环节，但芯片比重持续提高近几年芯片产能扩大较快，在全球LED芯片市场中的占有率逐年提升，从2003年不足10%增长到将近20% 韩国LED芯片前几年才组建，在新兴市场发展迅速，目前掌握LED的技术达到世界先进水平台湾、大陆、韩国等公司受专利牵制很大，其中尤以台湾最为突出目前核心专利由日亚、丰田合成、Lumileds、Cree、Osram等控制，他们采取横向（同时进入多个国家）和纵向（不断完善设计，进行后续申请）扩展方式，在全世界范围内布置了严密的专利网。

日亚是技术转让、授权、诉讼的主要发起人新兴厂商的应对办法是，提高自身研发实力，研发出独特的专利技术，获得老牌企业的相互授权1.3.4 替代威胁从理论上讲，LED是目前最先进的照明技术相比于传统照明技术，它最大的优点是：能耗低、寿命长、体积小、安全环保但受困于技术和产业化瓶颈，LED在价格、发光效率、光衰、散热性、一致性等方面与传统照明技术仍存在一定距离，尤其在大功率照明领域仍缺乏竞争优势但传统照明行业属于劳动力密集型行业，而LED却属于新兴半导体行业，发展的基本特征就是：技术升级快，价格下降快，规模增长快相信随着LED产业链的完善，在未来的5年内，LED的初置成本与技术性能将接近或比传统照明技术更有优势1.4 领导企业 日亚：全球GaN蓝光LED和白光LED技术的领导者，与Cree在GaN芯片专利上有交叉授权，持有台湾光磊科技（OpTo Tech）的股权 丰田合成：与日亚一样同为GaN蓝光LED的先驱，与Tridonic Atco合资生产高亮度白光LED Cree：以生产SiC基蓝光LED芯片闻名，主要客户是Agilent、Sumitomo和OSRAM，与日亚在GaN芯片专利上有交叉授权。

Lumileds：在大功率LED封装技术上领先，飞利浦电子业务的一部分，因此有掌握整个产业链的可能性 欧司朗：拥有白光LED专利荧光粉的技术，专利授权给了亿光 Seoul半导体：前几年才组建，目前掌握LED的技术达到世界先进水平；GaN基蓝、绿光LED，目前技术指标较高 晶元光电：合并后的新晶电在GaN基蓝、绿光外延、芯片和四元系AlGalnp的外延、芯片，月产能分别为世界第一详细情况见下表环节衬底制作设备制造外延片、芯片封装组件领先企业Nichia、Cree德国AIXTRON、美国VEECO（92%）Nichia、Cree、Lumileds、Osram、丰田合成、晶电Nichia、Citizen、Osram、Agilent、光宝、亿光大陆公司晶能光电（拥有Si衬底专利）无厦门三安、上海蓝宝、大连路美、上海蓝光、士兰微约600家，佛山国星、宁波爱米达、厦门华联、深圳超亮台湾无无外延片：晶电、华上、璨圆；芯片：光磊、鼎元宝光、亿光、宏齐、佰鸿1.5 下游需求1.5.1 产值预测国内应用照明显示背光目前产值2009年为262亿2009年为145亿2009年为125亿成熟产品景观照明、交通信号灯、汽车内饰灯信号指示器、显示屏小尺寸背光源近期看点车内用照明与车尾灯大型广告牌10寸以下的LED背光中期看点室外照明（路灯）　NB背光源长期看点车头灯与室内一般照明　TV背光源潜在产值上千亿几百亿几百亿1.5.2 重点需求国内应用市场规模现状前景汽车车灯一辆汽车需要200多颗LED（内部100颗、外部200颗）除LED前照灯以外，均已商品化，汽车前照灯处在研发过程中短期看，车内照明可望先成为主要的应用市场；长期看，LED被广泛运用于车外照明领域通用照明照明灯市场规模254亿美元，是LED巨大未来市场行业标准未建立、企业规模小、LED发光效率未达标预计LED在2010年前还不能进入通用照明市场，大量取代白炽灯和荧光灯将分别在2012年和2020年显示屏2008年全国产值为85亿元我国LED显示屏厂商已经具有了很强的实力，占据了国内市场的大部分份额看好LED广告牌产品NB背光LED应用在NB的颗数提高到40颗到50颗2009年是LED作为笔记本电脑背光源起飞的开始，第一季的渗透率达到13%渗透率进一步提高到50%TV背光LED监视器逾200颗市场、电视动辄上千颗，2009年LED电视的市场规模预计为100万台，占平板电视市场消费总量的5%索尼、三星、LG、海信、Philips相继推出LED背光源2012年大尺寸液晶面板采LED 背光源面板出货量将超过冷阴极灯管，到了2015年将成长到1.85亿片（渗透率72%）1.6 发展趋势 需求大幅增长：未来可望进入车用高功率照明、路灯、通用照明、中大尺寸背光源中，产值潜力大 价格下滑：未来随着产业化深入，LED的价格也会大幅下滑 性能完善：LED的发光效率、光衰、散热、一致性等问题取得进一步改善 专利壁垒下降：白色、蓝色LED的基础专利在2010年上半年到期。

OSRAM为主的欧美企业对技术转让呈现积极态度，可能逼迫NICHIA也将加快对外授权的速度 兼并加剧：传统照明巨头通过收购进入LED市场、同业通过收购兼并来扩张、芯片或外延片厂通过垂直整合保证芯片的一致性，提高工作效率1.7 投资建议 上游材料制作、MOCVD设备制造行业技术壁垒高，专利门槛高，议价能力强，属于寡头垄断，受益下游旺盛的需求，拥有很强的竞争能力 中游外延片芯片制造行业有一定工艺难度，受技术专利保护，对下游议价能力较强但行业同业竞争越发激烈，台湾、韩国、中国企业快速发展，对老牌厂商形成较大冲击，产能释放较快，可能会出现短暂的供大于求需要关注的指标有：已投产的MOCVD数量、芯片价格、专利权问题更看好高功率LED芯片制造行业 下游封装行业属于劳动密集型行业，技术成熟、门槛低、集中度低、竞争激烈，更看好有一定技术壁垒、一致性高、热控制好的封装企业二，行业概况2.1 技术发展概述LED是发光二极管（Light Emitting Diode）的简称，属于一种化合物半导体元件结构主要由PN结芯片、电极和光学系统组成发光机理利用注入PN结的少数载流子与多数载流子复合，从而发出可见光把电能转化为光能，光学构造体将发出的光几无损失的集合起来，经狭小的结构投射出来LED的颜色是根据它使用的半导体成份造成，目前有红、黄、蓝、绿及白光等分类按发光管发光颜色分红色、橙色、绿色、蓝色有色透明、无色透明、有色散射、无色散射按发光出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管按发光强度角分布图分高指向性、标准型、散射型按发光二极管的结构分全环氧包封、金属底座环氧封装、陶瓷底座环氧封装、玻璃封装等按发光强度和工作电流分普通亮度、超高亮度、高亮度发光二极管技术发展60年代初在砷化镓基体上使用磷化物发明了第一个可见的红光LED驱动电流在20mA，只能发出红色的光，而且发光效率只有0.1 lm/w此时LED主要用GaAs、GaP二元素半导体材料70。