LT3757.doc

LT3757 / LT3757A特征·输入电压范围宽:2.9 v 至 40 v·正面或负面输出电压编程用一个反馈销·提供了出色的瞬态电流模式控制响应可编程操作频率(100 khz 与一个外部电阻 1 mhz)·Synchronizable 外部时钟当前< 1µa ·低关闭·内部 7.2 v 回动电压调整器·可编程软启动·小 10-Lead DFN(3 毫米×3 毫米)和热增强 10-Pin MSOP 包描应用·汽车和工业,回程,SEPIC 和反相转换器·电信电力供应·便携式电子设备描述LT®3757 / LT3757A 宽输入范围内,电流模式 DC / DC 控制器,能够产生正相或负相的输出电压他们既可以配置为提振,回程,SEPIC 或反相转换器 LT3757 / LT3757A 驱动外部权力N-chanel MOSFET 低端从内部监管 7.2 v 供应固定频率,电流型架构使其能稳定运行在大频带供应和输出电压LT3757 / LT3757A 的工作频率可以设置与外部电阻器在 100 千赫至1 MHz 范围,并且可以使用接口与外部时钟同步较低的最小操作电源电压为 2.9 v,关闭和低静态电流小于 1µa,使 LT3757 / LT3757A 适合电池供电的系统。

LT3757 / LT3757A 软启动和频率特性在启动监听功能限制电感电流和输出短路LT3757A 改善了负载瞬态性能可与 LT3757 相比典型应用高效升压斩波器 效能绝对最大额定参数(Note 1)工作温度范围储存温度范围焊接温度范围引脚结构指令信息咨询 LTC 营销部分指定的工作温度范围较宽温度等级确定集装箱上的一个标签在无铅标识部分的更多信息,去: l 表示规格适用于完整的操作温度范围,否则规范 TA = 25°CVIN = 24 v,SHDN / UVLO = 24 v,v = 0,除非另有注明注 1:压力超出列在绝对最大额定参数就可能对器件造成永久性伤害长时间最大功率工作可能影响器件的可靠性和寿命注 2:LT3757E / LT3757AE 是满足性能保证规范从 0°C 到 125°C 结温规范在-40°C 到125°C 操作结温度范围保证设计、表征和相关统计过程控制LT3757I / LT3757AI 保证超过-40°C125°C 操作结温度范围 LT3757H / LT3757AH 保证在-40°C 到 150°C 操作结温的范围内高结温度降低操作寿命。

操作一生在结温度上升超过 125°C的 LT3757MP / LT3757AMP 满 100%测试和保证-55°C 到 150°C 工作结温范围注意 3:LT3757 / LT3757A 测试伺服系统的反馈回路 VFBX 参考电压(1.6 v 和-0.8 v)与 VC 接口强制 1.3 v注 4:FBX 过电压测量停摆在 VFBX(过电压)相关控制 VFBX(寄存器) 注 5:上升和下降时间以 10%和 90%的水平注 6:VIN 低于 6 v,SHDN / UVLO 销不得超过 VIN注 7:SHDN / UVLO = 1.33 v 时 VIN = 2.9 v注意 8:LT3757 / LT3757A 包括超温保护，旨在设备瞬时过载时保护过热保护将在结温度超过最大操作结温度时启动连续高温工作可能影响设备的可靠性典型的性能特征正相反馈电压 负相反馈电压静态电流 动态静态电流RT 与开关频率 归一化频率切换开关频率 感应电流限制阈 感应电流限制阈 SHDN/UVLO 阈值SHDN/UVLO 电流和电压 SHDN/UVLO 滞后电流 intvccINTVCC 最小输出电流与 vin INTVCC 负载调整率Intvcc 线调整率 INTVCC 压差与电流、温度门驱动增长和下降时间与 CL 典型的启动波形FBX 频率返送与过载电流波形 引脚功能VC(引脚 1):误差放大器补偿端口。

用于稳定电压循环与外部 RC 网络FBX(引脚 2):正相和反相反馈端口在输出端接收从外部电阻分压器的反馈电压同时当FBX 接近接地时的启动和故障条件下调节频率SS(引脚 3):Soft-StartPin这个端口调节补偿端口电压(VC)夹软启动间隔设置使用外部电容器端口有 10µa(典型的)上拉电流源内部 2.5 v软启动端口由欠压条件重置为接地SHDN /UVLO,INTVCC 欠压和过压条件或一个内部热停摆RT(引脚 4):开关频率调整端口设置频率使用电阻接地此端口不可开路SYNC(引脚 5):频率同步端口用于频率切换到外部时钟同步如果使用这个特性,RT 电阻应该选择程序 aswitching 频率低于 20%同步脉冲频率如果这个功能同步销连接到接地不可用同步 FBX 接近接地时被忽略SENSE(引脚 6):当前控制回路输入开尔文连接此端口的正极端子开关电流检测电阻 theN-channel MOSFET 的来源负面终端电流取样电阻应接地靠近 ICGATE(引脚 7):n-chanel MOSFET 栅极驱动输出开关在 INTVCC 和 GND 之间IC 关闭时驱动,热停摆期间或当 INTVCC 高于或低于 OV 或紫外线阈值时驱动分别接地。

INTVCC(引脚 8):调节供应内部负载和门驱动器提供从 VIN 和监管到 7.2 v(标准) INTVCC 必须被最低为 4.7µf 电容器绕过并放置接近端口如果 VIN 小于 17.5 v，可以直接连接 INTVCC 和 VININTVCC 也可以连接到一个电压高于 7.5 v,低于 VIN,提供供应不超过17.5 v 的电源SHDN / UVLO(引脚 9):关闭和欠压检测端口一个精确的 1.22 v(标称) 与外部可编程阈值下降滞后功率是可以使开关时检测上升滞后是由外部电阻分压器和生成一个精确的内部2µa 下拉电流一个欠压条件重置 sort-start约束到 0.4 v,或更低,禁用设备和减少 VINµa静态电流至低于 1µAVIN(引脚 10):输入供应端口必须在本地绕过 0.22µf 或更大,电容放在靠近端口Exposed Pad(引脚 11):地面此端口还可作为电流检测电阻的负端Exposed Pad 必须直接与接地线焊接框图图 1应用信息主控回路LT3757 使用一个固定的频率,电流模式控制方案提供优秀的线和负载调节操作是最易的理解的框图如图 1 所示每个 oscil lator cycle 集 SR 闭锁的开始(SR1)和打开外部功率 MOSFET 开关驱动 G2。

开关电流流过外部电流感应电阻 RSENSE 并生成一个和开关电流成比例的电压当前电压 VISENSE(被 A5 放大)被添加到一个稳定谐波补偿和由此产生的总和(slope)送入脉宽调制器A7 的正极端子当斜率超过水平的负输入 A7(VC 端),SR1 复位,关闭电源开关A7 的水平负输入设定的误差放大器 A1(A2)是一个放大的反馈电压之间的差 (FBX 端) 和参考电压(1.6 v 或-o.8v, 这取决于配置 )以这种方式, 误差放大器设置正确的峰值开关电流保持输出控制水平LT3757 aswitch 电流限制功能目前感觉比较 A6 电压是输入电流限制如果感应端电压高于电流限制阈值 VSENSE(MAX)(110 mv,标称),A6 将立即重置 SR1 和关掉 M1LT3757 可以靠一个 FBX 端口输出正相与负相电压它可以配置为提振, 回程或 SEPIC 转换器产生积极的输出电压,或作为一个反相转换器产生负输出电压当配置为 SEPIC 转换器,如图 1 所示,FBX 销停的内部偏置电压 1.6 v 的分压器 (R1 和 R2)从视频输出接地比较器 A2 不活动 ,比较器 A1 执行反相放大 FBX 到 VC。

LT3757 时在一个反相配置,-0.8v 的 FBX 端口被推送从到输出电压分压器接地比较器 A1不活动,比较器 A2 执行同相放大 FBX 到 VCLT3757 具有过压保护功能以保护变频器在输出电压超调在启动或从一个短路状态恢复状态过电压比较器 A11(20 mv 滞后) 感应端 FBX 时电压超过稳压(1.6 v)8%,提供了一个复位脉冲同样,一个过电压 comparator A12(10 mv 滞后) 感官当 FBX 销电压超过负面稳压(-0.8 v)11%,提供了一个复位脉冲两个复位脉冲发送到主 RS 门通过 G6 和 G5(SR1)功率 MOSFET 开关 M1 在输出过呀条件下活动断开编程接通和断开的阈值 SHDN / UVLO 端SHDN / UVLO 端控制 LT3757 是否启用或处于关闭状态微功率 1.22 v 引用,一个比较器 A10 和可控电流源是 IS1 允许用户精确对电源电压在打开和关闭进行编程,可以精确设定的下降值电阻分规 R3 和 R4当 SHDN / UVLO 高于 0.7 v 和 1.22 v 以下阈值,下拉小电流源是 IS1(标称 2µa)是活动的。

电流目的是允许用户可对上升滞后进行编程比较器和外部电阻的框图如图 1 所示标称的阈值电压和阈值电压上升下降可以通过以下公式计算:应用程序在 SHDN / UVLO 端是只使用逻辑输入,SHDN / UVLO 端可以连接直接输入电压 VIN 以不间断运行INTVCC 调节器绕过和操作一个内部低压差稳压器(LDO)产生 7.2 v INTVCC 供应门驱动器,如图 1 所示如果一个低输入电压操作(如从锂离子电池供电或 3.3 v 逻辑供应)、低阈值场效电晶体将被使用LT3757 包含一个欠压锁定比较器 A8 和过电压停摆比较器 A9 INTVCC 供应INTVCC 欠压(紫外线) 阈值是 2.7 v(标称),100 mv 滞后确保场效应管有足够的栅极驱动电压在打开之前LT3757 内的逻辑电路也从内部 INTVCC 动力供应INTVCC 过电压(OV) 阈值设置为 17.5 v(标称)来保护电力 MOSFET 门当 INTVCC 低于紫外线的阈值,或以上 OV 门限,门将被迫接地和软启动操作将被触发 INTVCC 监管机构必须即刻绕过地面相邻 IC 端与最低的 4.7 麦克风电容器好绕过供应是必要的高瞬态电流所需的 MOSFET 栅极驱动程序。

在一个实际的应用中,大部分的 IC 电源电流被用来驱动功率 MOSFET 的栅极电容芯片上的功耗注当大功率 MOSFET 驱动在高频率和 VIN 电压高时需要重点关注限制 MOSFET的功耗通过选择和/或工作频率，使 LT3757 不超过其最大结温评级非常重要结温 TJ 可以使用以下方程计算:LT3757 使用包与增强的热传导的接触垫通过适当的焊接背面接触垫的封装和一个完整的铜面设备,下面热阻(θJA)将 43°C / W DD 包和 40°C / W MSE对于环境板温度 TA = 70°C 和 125°C 的最大结温 ,最大的 IDRIVE(DD 的 IDRIVE(MAX))包可以计算为:LT3757 有一个内部 INTVCC IDRIVE 电流限制功能,防止 IC 芯片过载IDRIVE 限流随着VIN 的增加减少( 参见 INTVCC 最小输出电流和 VIN 图在典型的性能特征部分)如果 IDRIVE 达到当前的限制,INTVCC 电压将下降,触发软启动基于前面的方程和 INTVCC 最低输出电流和 VIN 图,用户可以计。