电子元器件工作状态失效模式及频率表.doc

电子元器件工作状态失效模式及频率表电子元器件, 频率表, 模式, 状态, 失效国产电子元器件工作状态失效模式及频率表! B4 W& c, a4 e; C  IB1 电阻) H) V; P7 M; r) F金属膜电阻器（功率P?ü2W）：开路91.9%；参数漂移8.1%7 F* [( N5 P6 ^% g' o8 @0 C) G碳膜电阻器（功率P?ü2W）：开路83.4%；参数漂移16.6% G7 F6 }9 x  G* J/ N  i精密线绕电阻器：开路97%；参数漂移3%7 p) D  g+ Y1 c3 U8 \% e: B% ~功率线绕电阻：开路97.1%；参数漂移2.9% Q# C0 |1 \* e1 M# x2 }3 wB2 电位器! ^, I  `7 ^$ r- f: v$ F0 W. O普通线绕电位器：接触不良39.3%；短路12.1%；开路48.6%8 V5 ]# }8 h; K' Z" Q, U& w1 O5 V微调线绕电位器：接触不良80%；短路10%；开路10%1 N% D2 {* _( V0 ?" Z9 h' x有机实芯电位器：接触不良33.8%；短路5.6%；开路60.6%。

7 S4 u9 N+ h. `5 T% S' E: i( R1 S合成碳膜电位器：接触不良40%；短路8.7%；开路34.2%；参数漂移17.1%9 [+ S3 M5 a% z4 c1 H3 ]B3 电容器  J& L( B1 l$ d纸和薄膜电容器：短路74%；开路13%；参数漂移13%/ k2 d+ T1 f" h7 G; L玻璃釉电容器：短路53%；开路25%；参数漂移22%0 d) H9 `5 I( T; w4 u. k云母电容器；短路83%；开路10%；参数漂移7% ]6 C+ O: w" Z6 p/ q1、2 类瓷介电容器：短路73%；开路16%；参数漂移11% y2 J. x% d; J$ _# ~固体钽电解电容器：短路75%；参数漂移25% v& n; y% }# i6 g# S, ^: f铝电解电容器：短路83%；开路17% v) w8 C6 f2 G. z; O7 k1 i) KB4 感性组件0 K  ~' ^; F0 C# f: Q9 T变压器：开路40.2%；短路28%；参数漂移8.4%；其它23.4% Z" u! {" h5 T线圈：开路39.4%；短路18.3%；参数漂移25.4%；其它16.9%。

1 C  R# \4 a7 K7 N# ?! o8 F: OB5 继电器) n- l! [" y0 x$ u触点断开44%；触点粘结40%；参数漂移14%；线圈短、断路2%3 B$ s$ o, V1 fB6 半导体分立器" W( N3 b. q* Q: M双极型晶体管：开路42%；短路38%；增益等性能的退化20% [, Q$ u. Q6 I: \4 A- I5 O场效应晶体管：开路40%；短路35%；电参数漂移25% k7 X6 I5 U% x0 m, N5 ~, |单结晶体管：开路30%；短路24%；电参数漂移46% t: i2 K0 L% F% N闸流晶体管：开路20%；短路15%；参数漂移65%0 E0 g- L% b: v# l+ A普通二极管：开路50%；短路17%；参数漂移33%6 i/ f$ r3 P& K. D( c$ W& G电压调整及电压基准二极管：开路25%；短路29%；参数漂移46%) I$ m1 @% h% U/ w  X, {微波二极管：开路80%；短路9%；参数漂移11%/ u! f/ n" J4 B* J3 }1 U变容、阶跃、隧道、PIN、体效应二极管：开路50%；短路7%；参数漂移43%。

B* {: e; A# j+ z4 s, u1 h光电子器件：开路25%；短路20%；参数漂移55% C! b$ N: X. d' q5 z! fB7 半导体集成电路3 o- q- w; z% o+ v3 {' r0 Z6 b双极数字电路：高输出（1）10%；低输出（0）15%；性能退化50%；断路20%；短路5%9 G/ w( ?/ T% [+ w, o7 mMOS 型数字电路：性能退化60%；断路25%；短路15%/ c: J' W: H7 h双极与MOS 型模拟电路：阻塞60%；断路30%；短路10%6 H0 @# V: Z; w! ?B8 混合电路' h" i* N# K4 F; a性能退化40%；塌丝20%；低温下不起动20%；漏气20% \. V) Z' K4 j8 |4 V) }( k7 M# S3 O& T" k国外电子元器件工作状态失效模式及频率表) z# Q8 O7 n; ~3 l8 Y) S4 _1 电阻, ]9 X% A7 R" v( z6 x/ P, G7 M: j+ U碳膜、金属膜电阻器：开路80%；阻值变化20% e4 ]  H1 Y# s合成固定电阻器：阻值变化95%；其它5%。

5 M5 U* |8 {" i8 {& c合成可变电阻器：工作不稳定95%；绝缘失效5% O6 T& y: o* \; k8 Z+ W6 k5 s, c可变线绕电阻器：工作不稳定55%；开路40%；阻值变化5% C, k: ^! b8 l: j) y) O& O精密可变线绕电阻器：开路70% ；噪声过大25%；其它5%  v3 q" j8 a4 s- |$ F0 L热敏电阻：开路95%；其它5%  T  J! u5 L/ a2 电容器: o3 S& x6 X7 M+ y纸介固定电容器：短路90%；开路5%；其它5%4 K! b% k( R5 G$ s4 g金属化纸介电容器：开路65%；短路30%；其它5%8 g& \! u6 m+ ~9 \' \玻璃和云母电容器：短路70%；断路15%；容量变化10%；其它5%) w" T3 n' B- k4 V陶瓷固定电容：短路50%；容值变化40%；开路5%；其它5%" Q* p" {. F# e( C钽电解电容：开路35%；短路35%；漏电流过大10%；容值降低5%；其它15% R6 E, z# i1 _1 w铝电解电容：开路40%；短路30%；漏电流过大15%；容值降低5%；其它10%。

K6 N  @1 |0 T: t, j6 Q3 感性组件1 }' ]0 x3 S+ U: N+ p变压器：区间短路80%；开路5%；其它15% ^6 j2 B! h; M- M! W& z& V线圈：绝缘变坏75%；绕阻开路25%  ?# x5 s& k% @+ m/ I2 G7 v/ _7 X4 连接器: [. i: |- V; x3 u# o标准型连接器；接触失效30%；材料变质30%；焊点机械失效25%；其它机械失效15%/ @9 E2 j8 h1 ~6 c一般连接器：短路（密封不良）30%；焊点机械失效25%；绝缘电阻降低20%；接触电阻不良10%；其它机械失效15%5 M3 H+ Z5 f' p( Y级间插座：短路30%；焊接头机械失效25%；绝缘电阻蜕化20%；接触电阻变大10%；；其它15% b5 Z3 g! y$ E" L. R! C8 Q3 |( ~' K5 开关+ D# s; h6 f2 z: v旋转开关；间隙接触90%；其它10%7 m( ^0 I1 j" w5 N; t: l9 Z拨动式开关：弹簧疲劳40%；间隙接触50%；其它10% C3 n' p9 }" W- ^  a1 s6 半导体分立器件0 @6 K0 D( b& J% P$ `: G# U硅和锗二极管：短路75%；间断接通18%；开路6%；其它1%0 I1 I0 j. ]! }锗和硅晶体管：B 漏电流过大59%；CE 击穿电压过低37%；引线开路4%。

) _. c; D/ P4 w0 T. h* l# n7 集成电路2 H* p! W2 s; q# l- F中小规模CMOS 电路：污染34%；开路19%；球形键合缺陷11%；外界微粒4%；% j7 r9 ~2 }) m/ w6 j+ ^  N) G" j2 f- [铝/金柯肯代尔砂眼4%；铝引线键合缺陷4%；栅氧化层短路4%；% L# I+ z+ [7 v6 }- t漂移10%；短路2%；场氧化层短路2%；小片键合缺陷2%；0 B& |9 ]8 x4 V8 Z6 V电阻性结2%；盖帽密封缺陷2%7 W! B4 R/ F! f7 u) J3 r线性组件：氧化物缺陷31%；引线键合缺陷19%；扩散缺陷16%；表面逆温层13%；0 B% R) O- P& _1 b; D( l( ~. y小片键合3%；引线失效6%，其它12% I& b4 N* u6 `7 K8 其它电子产品7 q. U, Q# n- H6 [  a磁控管：窗口击穿20%；阴极蜕化40%；放气30%；其它10% c2 V  h5 y$ e8 r0 b超小型电子管：蜕化90%；损坏10% W' d# z; T8 c; G# S( }6 u石英晶体：开路80%；不振荡10%；其它10%。

1 ]( i# L' Q8 Q# }) H指示灯：烧断75%；性能蜕化25%8 A; h. d! y9 o1 \白炽灯：性能退化90%；灯丝断、玻璃碎10%。