1、1 第9章章 COMS逻辑电路 的高级技术 逻辑电路 的高级技术 2/56 本章概要本章概要 镜像电路镜像电路 准准nMOS电路电路 三态电路三态电路 时钟控制时钟控制CMOS 动态动态CMOS电路电路 多米诺逻辑多米诺逻辑 双轨逻辑电路双轨逻辑电路 3/56 9.1 镜像电路镜像电路 什么是镜像电路?什么是镜像电路? 电路的电路的nFET和和pFET部分具有相同的拓扑结构。部分具有相同的拓扑结构。 nFET和和pFET部分的晶体管尺寸可以有不同, 以便使电特性对称。 部分的晶体管尺寸可以有不同, 以便使电特性对称。 镜像电路的特点:镜像电路的特点: 速度较快速度较快。 pFET与与nFET版图较为一致。版图较为一致。 4/56 9.1 镜像电路镜像电路实现实现XOR的镜像电路的镜像电路(1) 电路对称 版图结构 电路对称 版图结构 5/56 9.1 镜像电路镜像电路实现实现XOR的镜像电路的镜像电路(2) 开关模型开关模型 2.2 rp t 2 poutppp CRC R 2.2 fn t 2 noutnnn CRC R Elmore时间常数时间常数 6/56 9.1 镜像电路镜像电
2、路实现实现XOR的镜像电路的镜像电路(3) 镜像电路:镜像电路:2个个pFET对对 Cp有贡献,有贡献,tr较小较小 AOI电路:电路:4个个pFET对对Cp 有贡献,有贡献,tr较大较大 7/56 9.1 镜像电路镜像电路实现实现XNOR的镜像电路的镜像电路 镜像电路实现镜像电路实现AOI电路实现电路实现 8/56 9.2 准准nMOS电路电路有比逻辑有比逻辑 如何减少静态如何减少静态CMOS中的晶体管数?中的晶体管数? VDD VSS PDN In1 In2 In3 F RL Load VDD VSS In1 In2 In3 F VDD VSS PDN In1 In2 In3 F VSS PDN Resistive Depletion Load PMOS Load (a) 电阻负载电阻负载(b) 耗尽型耗尽型NMOS负载负载(c) 伪伪NMOS VT1变化。变化。 反相器还可以用来驱动电平恢复晶体管。反相器还可以用来驱动电平恢复晶体管。 42/56 9.6 多米诺逻辑多米诺逻辑特点特点 优点优点 抗噪声抗噪声能力强:输出反相器可根据扇出来优化 开关速度非常快:只有输出上升沿的延时(
3、tpHL=0) 抵抗电荷泄漏能力强:反相器加1个pMOS管即可构成电平恢复器 缺点缺点 非反相门,难以实现诸如XOR、XNOR这样需要NOT运算的逻 辑,这是主要限制因素(单纯用多米诺逻辑的设计很少) 必须有时钟 43/56 9.6 多米诺逻辑多米诺逻辑基本逻辑门基本逻辑门 多米诺逻辑门实例多米诺逻辑门实例 44/56 9.6 多米诺逻辑多米诺逻辑逻辑链构成逻辑链构成 123 123 0CCCf fff 预充电:、同时进行,使所有的 置0 1求值: 、 、 依次进行,有如“多米诺骨牌” 45/56 9.6 多米诺逻辑多米诺逻辑名称由来名称由来 只有当所有前级的电平转换已完成,本级才会有动作。只有当所有前级的电平转换已完成,本级才会有动作。 预充电 求值 46/56 9.6 多米诺逻辑多米诺逻辑电荷保持电路电荷保持电路1:同前面动态电路中的方法。同前面动态电路中的方法。 0 x VGMK C 始终导通 提供一个电流来补充上的电荷 x W MK L C 很小弱导通 不至于过多影响 上电荷的释放 47/56 9.6 多米诺逻辑多米诺逻辑电荷保持电路电荷保持电路2:同前面动态电路中的方法。同前
4、面动态电路中的方法。 xx xx CVMK CVMK 充电时,较大导通提供附加充电电流加速充电 放电时,较小不导通不提供附加电流不影响放电 反馈控制的保持电路 48/56 动态逻辑设计难度动态逻辑设计难度 由于其高阻的本质,动态逻辑电路的设计很复杂,需要在电路 级格外小心进行。 难以实现设计自动化综合、自动布局布线等这些基于静态 CMOS标准单元的设计流程。 动态逻辑的功耗通常更大。 一点不比标准CMOS容易 动态逻辑的主要优点是可以达到更高的速度更高的速度性能。 49/56 9.7 双轨逻辑电路双轨逻辑电路DCVSL:结构结构 使输出结果保持到 输入发生变化时为 止 使输出结果保持到 输入发生变化时为 止 Sw1和和Sw2互 补,一个断开, 另一个必闭合 互 补,一个断开, 另一个必闭合 (Differential Cascode Voltage Switch Logic) 50/56 9.7 双轨逻辑电路双轨逻辑电路特点特点 优点优点 速度快;大约是单轨电路的速度快;大约是单轨电路的2倍倍 同时实现非反相逻辑和反相逻辑同时实现非反相逻辑和反相逻辑 缺点缺点 输入、输出数加倍输入、输
5、出数加倍 电路复杂,布线开销大,设计难度高电路复杂,布线开销大,设计难度高 51/56 9.7 双轨逻辑电路双轨逻辑电路 52/56 9.7 双轨逻辑电路双轨逻辑电路DCVSL: 结构化设计结构化设计 简单的简单的nFET逻辑对 堆叠的 逻辑对 堆叠的逻辑对逻辑对 以以nFET逻辑对为基本单元,堆叠形成各种逻辑逻辑对为基本单元,堆叠形成各种逻辑 53/56 9.7 双轨逻辑电路双轨逻辑电路DCVSL:结构化设计实例结构化设计实例1 用用nFET对构成的逻辑对构成的逻辑树树 f f f 0 1 1 0 逻辑树选通某一通路时,表示该路顶端信号将为逻辑树选通某一通路时,表示该路顶端信号将为0,如果这时,如果这时f要求为要求为 0,则该通路顶端就为,则该通路顶端就为f,否自为,否自为“f的非的非”。 54/56 9.7 双轨逻辑电路双轨逻辑电路DCVSL:结构化设计实例结构化设计实例2 具有具有3层逻辑层逻辑树树的的动态动态CVSL电路电路 55/56 9.7 双轨逻辑电路双轨逻辑电路CPL :AND/NAND 互补传输管逻辑互补传输管逻辑( Complimentary Pass Transistor Logic) a baaba b 反相器的作用是电平恢复和增加驱动能力。反相器的作用是电平恢复和增加驱动能力。 56/56 9.7 双轨逻辑电路双轨逻辑电路CPL: OR/XOR 电路结构相同,但是输入顺序不同可以构成版图的输入门。 优点:电路简单,版图结构可以复用 缺点:阈值电压损失,驱动能力弱,一个输入变量需要接多个 电路结构相同,但是输入顺序不同可以构成版图的输入门。 优点:电路简单,版图结构可以复用 缺点:阈值电压损失,驱动能力弱,一个输入变量需要接多个FET
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