0.江西兆驰半导体有限公司深圳兆驰股份LED外延片和芯片生产项目环境影响报告表

-1-建设项目基本情况建设项目基本情况项目名称项目名称深圳兆驰股份 LED 外延片和芯片生产项目建设单位建设单位江西兆驰半导体有限公司法人代表法人代表顾伟联系人联系人姚向荣通讯地址通讯地址南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路 18 号创业大厦 503、515 室联系电话联系电话13502897386传真传真/邮政编码邮政编码330096建设地点建设地点南昌高新区天祥大道以北、航空大道以东立项审批部门立项审批部门南昌高新区管委会批准文号批准文号2017-360198-39-03-013141建设性质建设性质新建改扩建技改行业类别行业类别及代码及代码C3970：电子器件制造占地面积占地面积(平方米平方米)161174绿化面积绿化面积(平方米平方米)22603.98总投资总投资(万元万元)1000000其中环保投资其中环保投资(万元万元)3106环保投资环保投资占总投资比例占总投资比例0.31%评价经费评价经费(万元万元)预期投产日期预期投产日期2018 年 12 月工程内容及规模：工程内容及规模：一、项目概况一、项目概况LED(Light Emitting Diode)是利用半导体芯片作为发光材料、直接将电能转换为光能的发光器件，是一种新型高效的光源。随着 LED 发光效率、发光强度的逐渐提高，以及发光光色对整个可见光谱范围的全覆盖，LED 光源的节能效果和实用性得以凸显，其应用领域也得到了空前的拓展。目前 LED 尤其是大功率、高亮度 LED已广泛应用于液晶屏背光源、户外大屏幕、光通信光源、交通信号灯、舞台灯、景观灯、汽车尾灯，并逐渐进入路灯、室内照明、汽车前灯等传统照明应用领域，并推动 LED 行业的新一轮高速增长。根据市场发展需求，江西兆驰半导体有限公司拟投资 100 亿元，在南昌高新区天祥大道北、航空大道以东，租赁南昌高新置业投资有限公司厂房，购置 MOCVD等设备及配套设施组成 LED 外延片和芯片生产线，形成年产 600 万片 4 寸 LED 外延片和 3024 亿颗芯片的生产规模，产品为高亮度或超高亮度 LED 芯片，属于中高端产品。按照环境影响评价法规定，项目在建设前应报批环境影响评价文件，至环评人员现场踏勘时，本项目尚未开工。根据建设项目环境影响评价分类管理名录-2-（2018 版），本项目属于第 82 项中的“电子器件制造”中“有分割、焊接、酸洗或有机溶剂清洗工艺的”，报批环境影响评价文件以报告表的形式，我单位评价人员在现场踏勘、工程分析、环境影响分析后，完成了本报告表，现呈报环境保护主管部门审批。二、项目地理位置二、项目地理位置本项目位于南昌高新区天祥大道以北、航空路以东，厂区中心经纬度为东经1161635.68、北纬 274141.49。项目具体地理位置图、总平面布置图、周边环境保护目标图见附图一、二、三、四。三、项目建设内容三、项目建设内容1、生产规模及产品方案生产规模及产品方案表表1项目产品、副产品及规模项目产品、副产品及规模序号序号 工程名称工程名称产品名称及规格产品名称及规格产品性能产品性能设计能力设计能力年运行年运行时数时数1外延片生产线4 寸 LED 外延片/600 万片/年7920h其中自用480 万片/年外卖120 万片/年2芯片生产线芯片波长：365560nm；亮度：20mW1023；电压：2.83.6V；发光效率：120lm/w 以上3024 亿颗/年其中倒装芯片907.2 亿颗/年7920h背光源芯片1209.6 亿颗/年高压芯片907.2 亿颗/年3氨气吸收氨水（副产品）约 20%32500 吨/年7920h注：根据中华人民共和国化学工业部部标准氨水（HG1-88-81），工业用含（NH3）量20%和25%两种规格，本项目副产氨水含 NH3约为 20%，满足要求。2、项目组成及建设规模、项目组成及建设规模本项目租赁厂房占地约 242 亩，总建筑面积约 302604.72 平米，包含主体工程、辅助工程、公用工程、仓储工程、服务工程及环保工程。本项目组成表见表 2，主要建筑物情况详见表 3。-3-表表 2本项目主要建设内容及组成情况一览表本项目主要建设内容及组成情况一览表序序号号工程工程性质性质工程内容工程内容组成说明组成说明运营期主运营期主要环保问要环保问题题1主体工程外延芯片厂房1 栋 4 层建筑，包括外延片生产设备区和芯片生产设备区及可靠性实验室，外延生产设备区位于 2层，芯片生产设备区位于 14 层；1 层：平片、化学品集中供应区、气体纯化区、原材料库、贵重库房、员工换鞋区、办公区、会议室、维修区、UPS 不断电区、变电室、配电室、空调机房、展厅、清洗区、退火区、纯水站、酸碱废液收集间、可靠性实验室等；2 层：外延加工区、Bench 槽、外延库房、高温炉区、气体纯化区、设备库房、量测区、UPS 不断电区、变电室、配电室、空调机房、办公区等；3 层：研磨区、切割间、检测区、分选区、蒸镀、空调机房、UPS 不断电区、变电室、配电室、化学品集中供应区、原辅料区、备品备件区、芯片成品间等；4 层：黄光区、刻蚀、化学品集中供应区、化学区、库房、检测区、UPS 不断电区空调机房、变电室、配电室、化学品集中供应区等。楼顶：安装废气处理设备废水、废气、噪声、固废2辅助工程氮气制备氮气装置区1 栋 1 层，包括氮气生产设备及储罐等；设置 4 个100m缓冲罐，4 个 100m液氮罐。废气、噪声、固废氢气制备氢气系统1 栋 1 层，包括氢气生产设备及储罐等；设置 2 个10m天然气罐，6 个 10m反应罐，2 个 10m粗氢罐，3 个 10m纯氢罐，3 个 10m供氢罐。氢气站1 栋 1 层，存放 6 辆氢气鱼雷车（临时备用，6 个车位，4 用 2 备）；设置 6 个 6.7m纯化罐，2 个6.7m氢储罐。其他1 栋 1 层中控室，1 栋 1 层氢气压缩机房氨气制备装置区1 栋 1 层，包括氨气生产设备及中间储罐等；设置4 个 30m原料罐，2 个 30m氨水罐，4 个 20m纯氨罐，2 个 20m供氨罐。氨气站存放 10 只液氨槽车（临时备用，10 个车位，8 用2 备），设置 4 个 20m氨水储罐，4 个 20m回收水罐，33 个 4.7m蒸氨罐，9 个 4.7m提纯罐，15个 4.7m纯化罐，4 个 20m纯氨罐。其他1 栋 1 层中控室，1 栋 1 层泵房，原料装卸区硅烷站1 栋 1 层，储存硅烷气体及硅烷气体供应区。废气车间1 栋 1 层，暂时不做规划。3共用工程动力站1 栋 2 层，设置 3 台 7MW 热水锅炉，1 台 4.2MW热水锅炉、冷冻站、空压站、中控室及配电房等。废气、噪声4仓储工程1#甲类仓库1 栋 1 层，存储甲 3、4 类化学品。/2#甲类仓库1 栋 1 层，存储甲 1、2、5、6 类化学品。乙类仓库1 栋 1 层，存储乙类化学品（含液氯仓库）。氨水储罐设置 5 个 100m氨水储罐。/5服务综合楼4 栋 14 层，14 层楼员工倒班住宿；生活污-4-工程14 层裙楼，为员工休闲娱乐，一层含食堂。水、油烟、生活垃圾门卫3 栋 1 层，保安岗亭。6环保工程废水1 栋 2 层，包括废水处理池及设备用房等；生产废水：酸碱废水、含氟含磷废水、有机废水、抛光研磨废水、地面拖洗废水、初期雨水分类收集，分类处理；生活污水：经隔油池、化粪池处理。/废气外延废气：过滤+膜吸收+水洗，设 2 根距地 45m排气筒；制氨废气：膜吸收+水洗，设 1 根距地 15m 排气筒；酸碱性废气及沉积废气：酸碱液喷淋，设 6 根距地45m 排气筒；有机废气：沸石转轮浓缩+RTO 燃烧，设 4 根距地45m 排气筒；转换炉废气：设 1 根距地 40m 排气筒；天然气锅炉烟气：设 1 根距地 45m 排气筒；食堂油烟：油烟净化器+楼顶排放。/噪声隔声、减震/固废一般固废间（360）、危废固废间（360）/环境风险事故池：2400m；/（2）建设规模表表 3本项目技术经济指标一览表本项目技术经济指标一览表名称名称层数占地面积建筑面积计容面积火灾危险性101外延芯片厂房432453.37138961.85138961.85丙类102动力站（含地下水池）2，-16595.2020043.5220043.52丁类103综合楼14，414856.81125766.01126866.33民用1041#甲类库1175175175甲 3、4 类105乙类库1110011001100乙 3 类库106废水站及废水池1，-1234049402340丁类107硅烷站1360360360甲 3、4 类1082#甲类库1825.6825.6825.6甲 1、2、5、6 类109事故池-1600600/丙类1101#门房1303030民用1112#门房1303030民用1123#门房1303030民用113氮气装置区11260/戊类114氨气罐区1110011002200乙类115废气车间12052.452052.454155.07乙类116氨气站1934.35934.35934.35乙类117-1氢气站138496384甲类117-2中控室 21384384384甲类117-3氢气系统1269926992963甲类117-4氢气压缩机房1114114114甲类118中控室 12339.18678678丙类合计68692.78300949.78302604.72注：上表数据为建设单位提供的最终规划数据，与项目备案批复的规划数据有一定差异，备案批复数据为项目的初步规划。本评价以建设单位最终规划数据为依据。-5-3、项目主要设备、项目主要设备详见工程分析专题。4、项目原料情况、项目原料情况及及理化性质理化性质详见工程分析专题。四、公用工程四、公用工程（1）给水给水自来水项目位于南昌高新技术产业开发区内，水源为市政自来水，由市政供水管网提供。厂内给水系统分为工业给水系统、生活给水系统、消防水系统三个系统，项目生产所需纯水由自行的配套设备制备。超纯水本项目 4 台 125m/h 超纯水制备系统，超纯水处理系统包含四大处理系统，即前处理系统、RO 反渗透处理系统、CDI/EDI 处理系统、超纯水处理系统。1）前处理系统该系统由板换加热组多介质过滤组活性碳过滤组三部分组成，可去除水中较大颗粒的悬浮杂质。超滤系统是前处理系统的关键设备，可去除大部分悬浮物、胶体、微生物，延长后续反渗透膜的使用寿命。2）RO 反渗透处理系统前处理系统出水经 5m 过滤器过滤后进入 RO 系统，RO 系统主要是进一步去除水中的细菌、胶质、有机物，使水能达到初期净化的目的，设有二级 RO 系统。一级 RO 浓缩水为软化水可作为冷却塔等补充用水，二级 RO 浓缩水可回至前处理系统。3）CDI/EDI 处理系统RO 系统出水经过紫外线照射杀菌和 0.45m 过滤器过滤后，进入 CDI/EDI 处理系统。CDI/EDI 又称连续电除盐，是利用混合离子交换树脂吸附给水中的阴阳离子，同时这些被吸附的离子又在直流电压的作用下，分别透过阴阳离子交换膜而被去除的过程。此过程离子交换树脂不需要用酸和碱再生。4）超纯水处理系统纯水经加压送至超纯水水箱(同时用于超纯水自使用点回流)，水箱加装 N2封系-6-统以保持水质不受空气影响。同时使用板式热交换器，利用温度控制系统达到稳定温度条件。使用紫外线进行照射，杀菌及消除 TOC。然后经过一级抛光混床系统进一步纯化，最后经 0.1m 绝对过滤器过滤后即为超纯水。本项目所制备的超纯水电导率 0.055us/cm。本项目超纯水制备流程见图 1。图图 1项目超纯水制备流程图项目超纯水制备流程图循环冷却水本项目外延片 MOCVD 以及芯片光刻制备等生产设备、暖通空调的制冷系统等设备需要循环冷却水，循环一定次数后，进行定期排污。（2）排水排水采用雨污分流制排水。场地及路面雨水由水沟及路边水井收集后集中排入雨水管，排入附近市政雨水管网。废水包括酸碱废水、含氟含磷废水、有机废水、抛光研磨废水和地面拖洗废水、初期雨水和生活污水等。工业废水经分质处