光生伏特效应及器件.ppt

第二节第二节 光电传感器光电传感器2 2 本章学习光电效应、光电本章学习光电效应、光电元件的结构、工作原理、特性元件的结构、工作原理、特性以及光电传感器以及光电传感器 9/9/20241 一一 内光电效应及器件内光电效应及器件 当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应，它多发生于半导体内根据工作原理的不同，内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类： 1 光电导效应及器件 (1)光电导效应 在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应基于这种效应的光电器件有光敏电阻<#>9/9/20242过过程程：：当光照射到半导体材料上时，价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，如图，使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加，从而使电导率变大导带价带禁带自由电子所占能带不存在电子所占能带价电子所占能带Eg9/9/20243材料的光导性能决定于禁带宽度，对于一种光电导材料，总存在一个照射光波长限λ0，只有波长小于λ0的光照射在光电导体上，才能产生电子能级间的跃进，从而使光电导体的电导率增加。

式中ν、λ分别为入射光的频率和波长为了实现能级的跃迁，入射光的能量必须大于光电导材料的禁带宽度Eg，即9/9/20244⑵光敏电阻①光敏电阻的工作原理和结构 光敏电阻结构 (a) 光敏电阻结构； (b) 光敏电阻电极； (c) 光敏电阻接线图9/9/20245②光敏电阻演示   当光敏当光敏电阻受到光照电阻受到光照时，时，光生电子光生电子—空穴对增加，空穴对增加，阻值减小，电阻值减小，电流增大暗电流（越小越好）暗电流（越小越好）9/9/20246光电池的示意图+光PN－SiO2RL(a)  光电池的结构图I光(b)  光电池的工作原理示意图 P  N2 光生伏特效应及器件 ⑴光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应 基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管 ⑵光电池 光电池是利用光生伏特效应把光直接转变成电能的器件 ①光电池的结构和工作原理 硅光电池的结构如图所示。

9/9/202479/9/20248⑶光敏二极管①光敏二极管的结构和工作原理        光敏二极管符号如图        光敏二极管的结构与一般二极管相似、它装在透明玻璃外壳中，其PN结装在管顶，可直接受到光照射光敏二极管在电路中一般是处于反反向向工工作作状状态态，如图所示PN光光敏二极管符号RL 光PN光敏二极管接线 9/9/20249光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态光敏二极管的光照特性是线性的，适合检测等方面的应用R R R RL L L L 光光光光P P P PN N N NP P P PN N N N光光光光⑶光敏二极管①光敏二极管的结构和工作原理9/9/202410②②光敏二极管外形光敏二极管外形           将光敏二极管的将光敏二极管的PN 结设置在透明管结设置在透明管壳顶部的正下方，光壳顶部的正下方，光照射到光敏二极管的照射到光敏二极管的PN结时，电子结时，电子-空穴空穴对数量增加，光电流对数量增加，光电流与照度成正比与照度成正比 9/9/202411 ③③光敏二极管的反向偏置接线光敏二极管的反向偏置接线（参考上页图）及光电特性演示（参考上页图）及光电特性演示  在没有光照时，由于二在没有光照时，由于二极管反向偏置，反向电流极管反向偏置，反向电流（暗电流）很小。

暗电流）很小        当当光照增加光照增加时，时，光电流光电流IΦ与光照度成正与光照度成正比关系 光敏光敏二二极管的极管的反向偏反向偏置接法置接法UO+—光照光照9/9/202412光敏三极管光敏三极管  光敏三极管有两光敏三极管有两个个PN结结与普通三极管相似，有电流增益，灵敏度比光三极管相似，有电流增益，灵敏度比光敏二极管高多数光敏三极管的基极没敏二极管高多数光敏三极管的基极没有引出线，有引出线，只有正负（只有正负（c、、e））两个引脚，两个引脚，所以其外型与光敏二极管相似，从外观所以其外型与光敏二极管相似，从外观上很难区别上很难区别 9/9/202413⑷光敏三极管光敏三极管有PNP型和NPN型两种，如图其结构与一般三极管很相似，具有电流增益,只是它的发射极一边做的很大,以扩大光的照射面积,且其基极不接引线当集电极加上正电压,基极开路时,集电极处于反向偏置状态当光线照射在集电结的基区时,会产生电子-空穴对,在内电场的作用下,光生电子被拉到集电极,基区留下空穴,使基极与发射极间的电压升高,这样便有大量的电子流向集电极,形成输出电流,且集电极电流为光电流的β倍。

 PPNNNPe b bc RL Eec9/9/202414集电结一边做得很大，以扩大光的照射面积，且基极一般不接引线P PP PN N becN NN NP Pe bc⑷光敏三极管9/9/202415普通三极管普通三极管IC CIB BeEB BEC CIE ERC CRb bcbNNP9/9/202416光敏三极管基区很薄，基极一般不接引线；集电极面积较大IC CeEC CIE ERC CcNNPb9/9/202417光敏三极管外形光敏三极管外形 9/9/202418光敏三极管内部结构光敏三极管内部结构 a) 内部组成内部组成     b)管芯结构管芯结构     c））结构简化图结构简化图     1—集电极引脚集电极引脚  2—管芯管芯  3—外壳外壳  4—玻璃聚光镜玻璃聚光镜           5—发射极引脚发射极引脚  6—N+ 衬底衬底 7—N型集电区型集电区  8—SiO2保护圈保护圈         9—集电结集电结   10—P型基区型基区   11—N型发射区型发射区   12—发射结发射结 9/9/202419硅光敏晶体管的光谱特性硅光敏晶体管的光谱特性  电磁波频谱电磁波频谱9/9/202420。