半导体英文词汇.docx

Aｃcｅptor - Aｎ　ｅlｅment, such as boron， indium,　ａｎｄ　gａllｉum ｕsed　to creaｔe a　fｒee ｈole in ａ semiｃｏｎducｔoｒ．　Ｔｈｅ acｃeｐｔoｒ ａtｏmｓ arｅ　requireｄ　to ｈave　onｅ ｌesｓ vａlence electron thａｎ ｔhe sｅmｉconductoｒ．ﻫ受主 －　一种用来在半导体中形成空穴的元素，例如硼、铟和镓受主原子必须比半导体元素少一价电子Ａliｇｎｍｅnt Preｃisｉｏｎ - Disｐlａcemenｔ　ｏf　ｐattｅrｎs that ｏccｕｒｓ duｒing the　ｐhoｔoｌiｔｈｏgｒapｈｙ ｐrｏceｓs.套准精度 － 在光刻工艺中转移图形的精度ﻫAnisoｔroｐｉｃ - A pｒoｃess ｏf etchinｇ tｈat haｓ ｖeｒy　little oｒ　no　uｎｄercｕtting 各向异性　-　在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻Aｒｅａ　Ｃontaminatiｏｎ － Any ｆｏｒeigｎ pａrｔicleｓ ｏr　matｅriaｌ　that　aｒe　found　on tｈｅ　surfａce of ａ ｗａfer.　Ｔhｉs　is ｖｉewed as disｃoloreｄ or smｕｄgeｄ,　ａnd it　ｉs the resｕlt oｆ ｓtａins, fingｅrprints, waｔeｒ　spoｔｓ, ｅtc.沾污区域 - 任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。

由沾污、手印和水滴产生的污染Ａｚimｕｔh,　ｉn Ｅlliｐsoｍｅtry - Ｔhe ａngle mｅasｕrｅd　ｂeｔｗeeｎ the pｌａne　ｏf ｉnｃｉdence and　ｔｈe　major　axis oｆ thｅ eｌlｉｐse.椭圆方位角 - 测量入射面和主晶轴之间的角度ﻫBａｃｋsidｅ - The bottｏｍ　surface　ｏf a ｓｉｌicｏn　ｗafeｒ．　(Notｅ： Ｔhis terｍ is not prｅｆerｒｅd;　ｉnｓteａd, use ‘baｃk　surfａcｅ’．)背面 - 晶圆片的底部表面注：不推荐该术语,建议使用“背部表面”)ﻫBａse Ｓｉlicｏn Layer - The sｉlicon wafer　that ｉs　lｏcated ｕndeｒneaｔh　thｅ iｎsuｌatｏr lａｙｅr, wｈich ｓuppｏrts the　silicoｎ　ｆilm　on toｐ of tｈｅ wａfｅｒ.底部硅层　- 在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基本Bｉpoｌar － Trａｎsiｓtors thaｔ ａre able ｔo use botｈ　holｅｓ ａnd ｅlｅｃtroｎｓ as charｇe carriｅrｓ．ﻫ双极晶体管 - 可以采用空穴和电子传导电荷的晶体管。

ﻫBonded　Ｗafeｒs - Two ｓilicon waｆｅrs that hａvｅ　been boｎded together　by sｉｌiｃon dioxide, which acts as ａn insulating lａyｅｒ.绑定晶圆片 - 两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层ﻫＢｏndｉｎg Interｆace - The areａ ｗhere the bonｄing oｆ twｏ wafers oｃcurs.ﻫ绑定面 - 两个晶圆片结合的接触区ﻫＢｕried Lａyer - A path of low　rｅsisｔance　for　a cｕrｒeｎt　ｍoｖｉng in　ａ ｄevice．　Mａny of　ｔｈｅse dｏpants are aｎｔimonｙ and arｓeniｃ．埋层 －　为了电路电流流动而形成的低电阻途径,搀杂剂是锑和砷Bｕried Oxｉdｅ Ｌayｅr　(BOX) － Thｅ layer　thaｔ inｓulatｅｓ betｗｅeｎ　thｅ two wafｅrs.ﻫ氧化埋层(BＯX)　－　在两个晶圆片间的绝缘层ﻫＣarrieｒ － Vａlence hoｌｅs ａnｄ conduｃtioｎ　ｅlectroｎs　thａt arｅ cａpable ｏf ｃａrryｉng　a cｈarge thrｏugh　a solid sｕrｆacｅ iｎ a ｓiliｃｏn wａfer.载流子 - 晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。

ﻫChemicaｌ-Meｃｈaｎiｃal　Ｐolish (CMP) - Ａ procｅss oｆ flatteniｎg　ａnｄ　ｐolisｈinｇ wafｅrｓ tｈat　utiｌizes both cheｍical removal ａnｄ　ｍｅchaｎicａl　bufｆing. Iｔ is　used dｕring　thｅ faｂriｃation ｐrocｅss.化学-机械抛光(ＣＭP) - 平整和抛光晶圆片的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式此工艺在前道工艺中使用Chuck Mａrk - A maｒｋ ｆｏｕnd ｏｎ eithｅr ｓurface oｆ a　wafer，　cａuｓed　by ｅither ａ　robotiｃ end efｆeｃtor， a cｈuck,　oｒ a wand．卡盘痕迹 -　在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘导致的痕迹Clｅaｖaｇe　Pｌane - A fracｔurｅ plａne ｔｈaｔ is　preｆerrｅd.ﻫ解理面 －　破裂面Crａcｋ - A mａrk ｆound oｎ a wafer　that　iｓ ｇrｅatｅr than 0．25　mｍ　ｉn lenｇth.ﻫ裂纹 － 长度不小于0.２5毫米的晶圆片表面微痕。

Cｒaｔｅr - Visｉble　unｄer diｆfuｓed illumｉｎatｉｏn, a　suｒfａｃｅ iｍperfectｉoｎ oｎ a wafer that can be ｄistingｕisｈeｄ　ｉndiviｄuａｌly.微坑 - 在扩散照明下可见的,晶圆片表面可辨别的缺陷Ｃｏndｕctivity (eｌectｒｉcal) － A ｍeasureｍｅnt　ｏf ｈow eａsily chargｅ caｒｒｉeｒs ｃａｎ ｆlow throｕghout a ｍateｒiaｌ.传导性（电学方面) － 一种有关载流子通过物质难易度的测量指标 Conductivity Tｙpe -　Ｔｈe tyｐe of　chａrge　cａrriers in　a　waｆｅｒ, suｃh　as　“N-type”　aｎd “P-ｔype”．ﻫ导电类型 － 晶圆片中载流子的类型，N型和P型ﻫConｔａｍinａｎt, Paｒtiｃｕlａte (see ligｈt ｐoint defeｃt)ﻫ污染微粒 (参见光点缺陷)Ｃontａｍinatｉon Area　- Ａn ａrea tｈaｔ contains ｐarｔｉcｌeｓ　ｔhaｔ caｎ negaｔivｅly　afｆｅｃｔ ｔhe cｈaracｔerｉstiｃs ｏf ａ ｓiｌicｏn ｗafｅr．沾污区域 - 部分晶圆片区域被颗粒沾污，导致不利特性影响。

Contａmｉnａtion Parｔicｕlatｅ　- Parｔｉcleｓ　found on　ｔhe surfaｃｅ of　ａ ｓｉlｉcoｎ wａfeｒ.ﻫ沾污颗粒　- 晶圆片表面上的颗粒ﻫCrystａl Defecｔ - Parts ｏf tｈｅ cryｓtal ｔhat　contａin vａｃａｎcieｓ ａnd diｓlｏcatｉons　tｈat can have　ａｎ　ｉmpact on　a　ｃirｃuｉt’ｓ electriｃaｌ pｅｒfｏｒmanｃe．晶体缺陷 -　部分晶体涉及的、会影响电路性能的空隙和层错Ｃrｙstal Ｉndiｃｅs （seｅ　Mｉlｌｅr indiｃｅs)晶体指数 (参见米勒指数)Deplｅtioｎ Lａyer － A region oｎ　a ｗａfｅｒ ｔhat containｓ an　eｌectrical fieｌd that sweepｓ out chaｒgｅ cａｒrｉｅrs.ﻫ耗尽层 -　晶圆片上的电场区域,此区域排除载流子ﻫＤｉmpｌｅ　－ A conｃaｖe deｐｒession found on tｈe ｓｕrfaｃe ｏｆ a　wafer thaｔ is　ｖｉsｉble to the eyｅ　ｕnder thｅ ｃorrｅct　ｌightｉｎｇ ｃonｄｉｔionｓ.ﻫ表面起伏 - 在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。

ﻫDｏnor － Ａ cｏntaminate tｈａt　has doｎａted extrａ　“fｒee” eｌeｃｔronｓ, ｔｈus mａkiｎg a wafeｒ “N－Tｙpe”.施主 - 可提供“自由”电子的搀杂物,使晶圆片呈现为Ｎ型Dopａnt - An eｌemeｎｔ tｈat contｒibuｔes an　ｅlectroｎ　or a hole to the conduction pｒocess, thｕs ａlｔｅrｉnｇ ｔhｅ ｃonductivity． Dopａｎts　for siliｃon　ｗafers　ａrｅ　ｆoｕnｄ iｎ Groupｓ　III and V of tｈe　Pｅｒiｏdｉc Table of thｅ Elemｅnts.搀杂剂 － 可觉得传导过程提供电子或空穴的元素,此元素可以变化传导特性晶圆片搀杂 剂可以在元素周期表的IIＩ 和 Ｖ族元素中发现Ｄｏping - Thｅ　procｅss　ｏf tｈｅ ｄonation　of an electron or hoｌｅ　to the coｎductｉｏn ｐrocess　by a ｄopant.掺杂 -　把搀杂剂掺入半导体,一般通过扩散或离子注入工艺实现。

Edgｅ Chip and Ｉndｅnｔ - An eｄge ｉｍperfection that ｉs greａter ｔhan 0.２5 ｍm.ﻫ芯片边沿和缩进 －　晶片中不完整的边沿部分超过0．2５毫米ﻫＥdge Eｘclusioｎ Arｅa －　The ａrea locａted bｅtween tｈｅ fixed　ｑuality area and ｔhe　pｅｒｉphery ｏf　a ｗａfer. (Thiｓ　ｖaｒies accordｉng ｔｏ thｅ dimensiｏｎs ｏf　ｔhｅ wａfer.)ﻫ边沿排除区域 - 位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域根据晶圆片的尺寸不同而有所不同)ﻫＥdge Eｘclusion,　Ｎominal (EE)　-　Thｅ ｄiｓtａncｅ　between　ｔｈe fixed quality ａｒea and thｅ periphｅry of a waｆer.名义上边沿排除(ＥＥ) -　质量保证区和晶圆片外围之间的距离Edgｅ Profiｌe - Ｔhｅ edgｅs ｏf two bonded waferｓ thａｔ　hａve　beｅn sｈapeｄ eithｅｒ ｃｈemｉcalｌｙ ｏr mｅchａnically．ﻫ边沿轮廓 - 通过化学或机械措施连接起来的两个晶圆片边沿。

Etch - A　proceｓs ｏf chemiｃａｌ reａctions　oｒ physｉcaｌ ｒｅmovａl　to rid ｔhe wａfer　of excess materials.蚀刻 -　通过化学反映或物理措施清除晶圆片的多余物质Fixed Quality 。