铌酸锂晶体电光调制器的性能测试---OK.doc
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word铌酸锂(LiNb03)晶体电光调制器的性能测试铌酸锂〔LiNbO3〕晶体是目前用途最广泛的新型无机材料之一，它是很好的压电换能材料，铁电材料，电光材料，非线性光学材料与外表波基质材料电光效应是指对晶体施加电场时，晶体的折射率发生变化的效应有些晶体部由于自发极化存在着固有电偶极矩，当对这种晶体施加电场时，外电场使晶体中的固有偶极矩的取向倾向于一致或某种优势取向，因此，必然改变晶体的折射率，即外电场使晶体的光率体发生变化铌酸锂调制器，应具有损耗低、消光比高、半波电压低、电反射小的高可靠性的性能 【实验目的】 1．了解晶体的电光效应与电光调制器的根本原理性能． 2. 掌握电光调制器的主要性能消光比和半波电压的测试方法3. 观察电光调制现象 【实验仪器】1．激光器与电源 2．电光调制器(铌酸锂) 3．电光调制器驱动源 4. 检流计 5．示波器 6．音频输出的装置7．光具台与光学元件【实验原理】1．电光效应原理某些晶体在外电场作用下，构成晶体的原子、分子的排列和它们之间的相互作用随外电场E的改变发生相应的变化，因而某些原来各向同性的晶体，在电场作用下，显示出折射率的改变。
这种由于外电场作用而引起晶体折射率改变的现象称为电光效应折射率N和外电场E的关系如下： (1)式中，为晶体未加外电场时某一方向的折射率，r是线性电光系数，R是二次电光系数通常把电场一次项引起的电光效应叫线性电光效应，又称泡克尔斯效应；把二次项引起的电光效应叫做二次电光效应，又称克尔效应其中，泡克尔斯效应只在无对称中心的晶体中才有，而克尔效应没有这个限制只有在无对称中心的晶体中，与泡克尔斯效应相比，克尔效应较小，通常可忽略目前普遍采用线性电光效应做电光调制器，这样就不再考虑〔1〕式中电场E的二次项和高次项因此〔1〕式为： (2) 利用电光效应可以控制光的强度和位相，其在光电技术中得到广泛的应用，如激光通讯、激光显示中的电光调制器、激光的Q开关、电光偏转等在各向同性的晶体中，折射率n与介电系数ε均为常量，且，但在各向异性晶体中，介电系数不再是个常量，而是一个二阶量，为，这样折射率n也就随介电系数的变化而呈现出各向异性的性质，在不同的方向上随的不同而有所不同为明确表示在各方向上相应的折射率值，因此把n写成，所以(2)式成为： (3)这里， 是一个三阶量，因为它仅映了一个二阶量和一个一阶量的关系。
三阶量应有33=27个分量，但由于介电系数εij是二阶对称量，它只有6个分量，这就便各最多只有18个分量，而不是27个分量了．因此通常将rijk的三个脚标简化为二个脚标，即： 的简化规如此如下：这样就缩写成rik，但在习惯上仍写作rij，并且可以写成六行三列的矩阵形式：通过脚标的简化，公式(3)就可写成： 〔4〕由于晶体的对称性，电光系数的18个分量，有些分量是相等的，有些 分量又等于零，因此吸有有限的几个独立分量，例如铌酸锂(LiNbO3)晶体，其电光系数只有四个独立分量，其形式如下：2．折射率椭球 对于各向异性的晶体来说，在不同方向上晶体具有不同的折射率如果在晶体中任选一点O，从O点出发向各个方向作矢量，使矢量长度等于该方向的折射率时，矢量的端点构成一个椭球面，称这个椭球面为折射率椭球，并用它来描述晶体的光学性质如果晶体是各向同性的，折射率椭球就简化为一个球面晶体的电光效应可以用折射率椭球随电场的变化来描述 在单轴晶体中，如果选取的直角坐标系的三个轴X1 ，X2 ，X3与折射率的三个主轴重合，如此在晶体未加外电场时，折射率椭球方程为： 〔5〕这里，n10，n20，n30为晶体的主折射率。
当在晶体上加一外电场E(E1，E2，E3)后，由于一次电光效应，晶体各方向上的折射率发生了变化，因而折射率椭球也相应地发生变化，此时折射率椭球的一般表达式为： 〔6〕在(6)式中包含了交叉项X3X2等等，表示X1、X2、X3不再是折射率椭球的主轴了下面讨论一下折射率椭球的变化规律，即怎样确定表征椭球的方程(6)中的各项系数当外电场E=0时，(6)式复原成(5)式，有：当在晶体上加一外电场(E1，E2，E3)后，如此根据泡克尔斯效应式(4)有如下关系： (7) (7)式以矩阵相乘的形式表示可以写成： (8) 3．电光调制本实验用的是铌酸锂晶体，至于别的晶体，由于其对称性不同，相应的电光系数也不同，其具体形式也有所不同，而对于同一类型的晶体，如果其工作状态不同，其具体形式也有所不同，但推理过程相类似本实验中，对于铌酸锂晶体利用其一次电光效应，制成调制器用来调制激光的光强，称为振幅调制图一图一所示，入射光经起偏振器射到晶体上，光通过晶体后由检偏器检测其起偏器的振动面平行与X1轴，检偏器的偏振面平行与X2轴，入射光沿X3即光轴方向传播，其中X1，X2，X3三个轴的方向就是晶体的三个结晶轴的方向，以上部件组成光振幅调制，其输出端的光强度〔经检偏器后〕将由加到晶体上的电压来调制。
具体情况如下：〔1〕铌酸锂晶体加电压后的折射率的变化，即折射率椭球随电场变化而变化的情况铌酸锂晶体是负单轴晶体，在λ=6238Å时，其n0=2.286， ne=2.200,当外电场零时，其折射率椭球方程为：〔9〕此方程表示是一个以X3轴为旋转轴的旋转椭球，如图二所示，n1＝n2＝no为寻常无折射率，n3=ne为非寻常光折射率图二图三如图一所示，当在铌酸锂晶体的X1方向加电场E1后，由于El≠0，E2=E3=0，此时晶体的折射率发生了相应的变化，把铌酸锂晶体的电光系数rij值和E值的相应局部代入(7)式，可得到在X1方向加电场的折射率的变化情况：图四〔10〕将(10)式代入(6)式：〔11〕把(11)式和(9)式比拟，沿LiNbO3晶体的X1方向加电场E1后，使折射率椭球的开状发生了变化，从(11)式可以看出，折射率椭球的主轴不再是X1，X2，X3其所表示的折射率椭球的形状如图三所示图一中光沿LiNbO3晶体的X3方向通过，X1方向加电场E1后，此时，过椭球中心而垂直于X3轴的平面截折射率椭球的截痕为一椭圆，而在外电场为零时，此截痕为圆，如图四所示图中实线为El=0时的截痕，虚线为El0时的截痕，并且从图中可以看出，椭圆的长、短半轴已不再是X1、X2，而是X11X21，并且在下面的表示过程中可知，X11X21为X1X2绕X3轴旋转450而得。
图中n1=n2=no，而n′1n′2，且有n′1 >n0,n′2
2)光在LiNbO3晶体中的传播情况，半波电压图一，入射光经起偏器P1后，获得光波矢量平行于Xl轴的偏振光，射到晶体上，当外电场El加到晶体上时，产生人工双折射，沿X3方向传播的光分解为沿X′1与X′2方向的两个偏振光，由于X1′、X2′为X1、X2绕X3轴旋转450而得，因此，在入射端可以认为这两个波的振幅是相等的，但当这两个光波进入晶体后，由于存在电场引起的双折射，相速度不再一样，两个光波各按自己的相速度传播到晶体的另一端设LiNbO3晶体X3方向的长度，X1方向的厚度为d，由于电场E的数值是不易测量的，故实验中用垂直于E的两个晶体外表上的电位差(V＝E∙d)来代替如此此两光波通过晶体时产生的位相差为：〔18〕当外加电场加到某一确定值时，两波通过晶体时产生的位相差正好等于，称此时的外加电场为半波电压，用Vπ或V来表示用半波电压这一概念形象地表示：加上这样的电压，晶体部的两个正交分量的光程差刚好等于半个波长，相应的位相差等于因此可以得到： (19)半波电压是标志电光调制器的一个重要参量，实际应用中希望愈小愈好从〔19〕式可知，半波电压的大小与制成调制器的材料与外形尺寸有关。
为获得半波电压低的电光调制器，首先要选用半波电压低的电光晶体材料〔必须注意：材料的半波电压以d:=1:1为标准〕，一旦材料确定以后，常用降低d/的比值来达到降低调制器的半波电压当半波电压确定以后，从〔18〕〔19〕两式中，可以得到两波通过晶体时的位相差和外加电压之间的关系： (20) (3)LiNbO3晶体调制器 本实验用的是铌酸锂(1iNbO3)晶体调制器，使用条件是沿X1方向加电场，沿X3方向通光图一中，起偏器P1和检偏器P2正交放置由于实验要求，沿X3方向的入射光经起偏器Pl后获得电矢量平行于X1轴或X2轴的线偏振光，由于外电场的作用，进入晶体的线偏振光又分解为沿X′1，X′2的两个方向的线偏振光，当这两光波通过检偏器P2时，其透射光强度为此两波在P2上投影迭加的结果具体表示如下： 图六中，N1、N2分别为偏振器P1、P2的主截面，而Z、Z1为晶体的主截面设经过P1的入射光的光强为I0=A2,,如此可得到：图六在入射光波刚进入晶体的瞬间，两光无位相差，当两光通过长的晶体后，由于电场引起的双折射，两光的相速度不同，产生一定的位相差，当具有这个相差的两光通过检偏器P2时，其在N1上的分量为： 由此可见，通过检偏器的两光是同频率、等振幅、振动在同一平面的两个相干光。
这两个相干光除有电场引起的位相差以外，还有在N2上投影所引入的位相差，因而此两光的总的位相差为(+)设从检偏器后得到的输出光强为I，如此根据偏振光干预的原理，可以得到光强I和输出光强I0之间的关系： (21)从(21)式可以看出，两线偏振光之间的位相差不同，与之对应的输出光强也就不同，也就是说，输出光强随外加电压的变化而变化，因而可以通过控制外加电压的方法来达到调制输出光强的目的图七 七七。
