2022年模拟电路总复习知识点.pdf

第一章绪论1． 模拟信号和数字信号·模拟信号：时间连续、幅度连续的信号（图1.1.8） ·数字信号：时间、幅度离散的信号（图1.1.10）2．放大电路的基本知识·输入电阻iR：是从放大器输入口视入的等效交流电阻iR是信号源的负载，iR从信号源吸收信号功率·输出电阻oR：放大器在输出口对负载LR而言，等效为一个新的信号源（这说明放大器向负载LR输出功率oP） ，该信号源的内阻即为输出电阻·放大器各种增益定义如下：端电压增益：oViVAV源电压增益：oiVSVssiVRAAVRR电流增益：oIiIAI互导增益：oGiIAV互阻增益：oIiVAI负载开路电压增益（内电压增益）：0LoViRVAV，00LVVLRAARR功率增益：0||||PVIiPAAAP·VA、GA、RA、IA的分贝数为20lg A；pA的分贝数为20lgpA·不同放大器增益不同，但任何正常工作的放大器，必须1PA·任何单向化放大器都可以用模型来等效，可用模型有四种（图1.2.2） ·频率响应及带宽：o()()()ViVjAjVj或()()VVAA()VA—— 幅频相应（图1.2.7） ：电压增益的模与角频率的关系)——相频相应：输出与输入电压相位差与角频率的关系。

BW ——带宽：幅频相应的两个半功率点间的频率差HLBWff·线性失真：电容和电感引起，包括频率失真和相位失真（图1.2.9）·非线性失真：器件的非线性造成第二章晶体二极管及应用电路一、半导体知识1．本征半导体·单质半导体材料是具有4 价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（ Ge） （图 2.1.2） ，一些金属化合物也具有半导体的性质如砷化镓GaAs前者是制造半导体IC 的材料，后者是微波毫米波半导体器件和IC 的重要材料·本征半导体：纯净且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体·本征激发（又称热激发或产生）：在一定的温度下，本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对温度越高，本征激发越强精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页，共 19 页·空穴：半导体中的一种等效q载流子空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示q电荷的空位宏观定向运动（图2.1.4） ·复合：在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。

2．杂质半导体·在本征硅（或锗）中渗入微量5 价（或 3 价）元素后形成N 型（或 P 型）杂质半导体（P 型：图 2.1.5，N 型：图 2.1.6） ·电离：在很低的温度下，N 型（ P 型）半导体中的杂质会全部，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）·载流子：由于杂质电离，使N 型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P 型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子·在常温下，多子>>少子（图1-7） 多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数·在相同掺杂和常温下，Si 的少子浓度远小于Ge的少子浓度二、 PN 结在具有完整晶格的P型和 N 型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN 结（图 2.2.2） ·PN 结（又称空间电荷区） ：存在由N 区指向 P区的内电场和内电压；PN 结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；PN 结内的电场是阻止结外两区的多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层）·单向导电特性：正偏PN 结（P 区电位高于N）时，有随正偏电压指数增大的电流；反偏PN 结（ P 区电位低于N 区） ，在使 PN 结击穿前，只有很小的反向。

即PN 结有单向导电特性（正偏导通，反偏截止）·反向击穿特性：当反偏电压达到一定值时，反向电流急剧增大，而PN 结两端的电压变化不大（图2.2.6） · PN 结的伏安方程为：/(1)Tv VSiIe，其中，在T = 300K 时，热温度当量26mVTV三、半导体二极管·普通二极管内就是一个PN 结， P 区引出正电极，N 区引出负电极（图2.3.1） ·在低频运用时，二极的具有单向导电特性，正偏时导通，Si 管和 Ge 管导通电压典型值分别是0.7V 和 0.3V；反偏时截止，但Ge管的反向饱和电流比Si 管大得多（图2.3.2、图 2.3.3） ·低频运用时，二极管是一个非线性电阻，其交流电阻不等于其直流电阻二极管交流电阻：1DdDQdirdv二极管交流电阻dr估算：dTDrVI二极管直流电阻：DDDVRI·二极管的低频小信号模型：就是交流电阻dr，它反映了在工作点Q 处，二极管的微变电流与微变电压之间的关系·二极管的低频大信号模型：是一种开关模型，有理想开关、恒压源模型和折线模型三、二极管应用1．单向导电特性应用二极管正向充分导通时只有很小的交流电阻，近似于一个0.7V（Si 管）或 0.3V（Ge 管）的恒压源。

·整流器：半波整流，全波整流，桥式整流·限幅器：顶部限幅，底部限幅，双向限幅·钳位电路 * 2．反向击穿及应用·二极管反偏电压增大到一定值时，反向电流突然增大的现象即反向击穿·反向击穿的原因有价电子被碰撞电离而发生的“雪崩击穿”和耗尽层中价电子强场激发而发生的“齐纳击穿”·反向击穿电压十分稳定，可以用来作稳压管（图2.5.2） ·稳压管电路设计时，要正确选取限流电阻，使稳压管在一定的负载条件下正常工作3．特殊二极管·光电二极管、变容二极管、稳压二极管、激光二极管精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页，共 19 页第三章双极型晶体三极管及其放大电路一、半导体BJT 结构及偏置·双极型晶体管（BJT）分为 NPN 管和 PNP 管两类（图 3.1.3 和 3.1.2） 电流控制器件·当 BJT 发射结正偏，集电结反偏时，称为放大偏置在放大偏置时，NPN 管满足CBCVVV；PNP 管满足CBEVVV· 放大偏置时，作为PN 结的发射结的V－I 特性是：/BETvVEESiIe（NPN） ，/EB TvVEESiIe（PNP） 。

·电流分配（图3.1.4） ：在 BJT 为放大偏置的外部条件下，发射极电流Ei将几乎转化为集电流Ci，而基极电流较小·电流放大系数： 在放大偏置时， 令CNEii（CNi是由Ei转化而来的Ci分量） ，导出两个关于电极电流的关系方程：CECBOiiI(1)CBCBOBCEOiiIiI其中1，CEOI是集电结反向饱和电流，(1)CEOCBOII是穿透电流·放大偏置时，在一定电流范围内，Ei、Ci、Bi基本是线性关系，而三个电流与BEv都是非线性指数关系·放大偏置时：三电极电流主要受控于BEv，而反偏CBv，对电流有较小的影响影响的规律是；集电极反偏增大时，CI，EI增大而BI减小·发射结与集电结均反偏时BJT 为截止状态，发射结与集电结都正偏时，BJT 为饱和状态二、 BJT 静态伏安特性曲线三端电子器件的伏安特性曲线一般是画出器件在某一种双口组态时输入口和输出口的伏安特性曲线族BJT 常用共射伏安特性曲线：输入特性曲线：()CEBBEVif v=常数（图 3.1.7）输出特性曲线：()BBCEiif v=常数（图 3.1.7）·输入特性曲线一般只画放大区，典型形状与二极管正向伏安特性相似。

·输出特性曲线族把伏安平面分为4 个区（放大区、饱和区、截止区和击穿区）放大区近似的等间隔平行线，反映近似为常数（图3.3.5） ·当温度增加时，会导致增加，CBOI增加和输入特性曲线左移三、BJT 主要参数·电流放大系数：直流，直流；交流0limCEQii和0limCBQii，、也满足1·极间反向电流：集电结反向饱和和电流CBOI；穿透电流CEOI·极限参数：集电极最大允许功耗CMP；基极开路时的集电结反向击穿电压()BR CEOV；集电极最大允许电流CMI·特征频率TfBJT 小信号工作，当频率增大时使信号电流ci与bi不同相，也不成比例若用相量表示为cI，BI，则cBII称为高频Tf是当高频的模等于 1 时的频率四、 BJT 小信号模型·放大作用：无论是共射组态或共基组态，其放大电压信号的物理过程都是输入信号使正偏发射结电压变化，经放大偏置BJT 内部的BEv的正向控制过程产生较大的集电极电流变化（Ci出现信号电流ci） ，ci在集电极电阻上的交流电压就是放大的电压信号（图3.2.1） ·小信号：当发射结上交流电压5||bevmV 时， BJT 的电压放大才是工程意义上的线性放大。

·BJT 混合小信号模型是在共射组态下推导出的一种物理模型（图3.7.5） ，模型中有七个参数：基区体电阻bbr——由厂家提供、高频管的bbr比低频管小基区复合电阻ebr—— 估算式：(1)(1)Tb eeEVrrI，er——发射结交流电阻精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页，共 19 页跨导mg—— 估算300/38.5KmCTCgIVI（ms） ，mebmebgrgr:,关系基调效应参数cer—— 估算CAceIVr/，AV——厄利电压cbr——估算cecbrr以上参数满足：emebcecbrgrrr1高频参数：集电结电容cbC——由厂家给出；发射结电容ebC—— 估算cbTmebCfgC2* ·最常用的BJT 模型是低频简化模型（1）电压控制电流源（cmb eig v）模型（图3.7.5c）（2）电流控制电流源（cbii）模型（图3.7.5d，常用），其中ebbbberrr五、放大电路基本概念·向放大器输入信号的信号源模型一般可以用由源电压Sv串联源内阻SR来表示， 接受被放大的信号的电路模型一般可以用负载电阻LR来表示（图3.4.4a） 。

·未输入信号（静态）时，放大管的直流电流、电压在特性曲线上对应的点称为放大器的工作点工作点由直流通路求解·放大器工作时，信号（电流、电压）均迭加在静态工作点上，只反映信号电流、电压间关系的电路称为交流通路·放大器中的电压参考点称为“地”，放大器工作时，某点对“地”的电压不变（无交流电压），该点为“交流地” ·交流放大器中的耦合电容可以隔断电容两端的直流电压，并无衰减地将电容一端的交流电压传送到另一端，耦合电容上应基本上无交流电压（交流短路） 傍路电容也是对交流电流短路的电容·画交流通路时应将恒压源短路（无交流电压），恒流源开路（无交流电流）；耦合、傍路电容短路（无交流电压）（图 3.4.4b） ·画直流通路时应将电容开路（电容不通直流），电感短路（电感上直流电压为零）六、 BJT 偏置电路1．固定偏置电路（图3.4.4a）·特点：简单，虽然BI随温度变化小；但输出特性曲线上的工作点（CEV、CI）随温度变化大·Q 点估算：CCBEBbVVIR，BCII，CCCCCERIVV·直流负载线CCCECCVviR·作图求 Q 点：在输出特性曲线上，直流负载线与BBiI的交点2．基极分压射极偏置电路（图3.5.1）·特点：元件稍多。

但在满足条件10ER（21// RR）时，工作点Q（CEV，CI）随温度变化很小，工作点稳定原因是存在直流负反馈·Q 点估算：EBECCECRVRRRVII/)(212，()CECCCECVVRRI直流负载线ECCEECCCCRRvRRVi以上近似计算在满足)//(1021RRRE时有足够的准确性七、基本共射放大器的大信号分析精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页，共 19 页·交流负载线（图3.3.4）是放大器工作时，动点（CEv，Ci）的运动轨迹交流负载线经过静态工作点，且斜率为LCRR//1·非线性失真：因放大器中晶体管的伏安特性的非线性使输出波形出现失真非线性失真使输出信号含有输入信号所没有的新的频率分量大信号时，使BJT 进入饱和区产生饱和失真；使BJT 进入截止区，产生截止失真NPN 管 CE 放大器的削顶失真是截止失真；削底失真是饱和失真对于PNP 管 CE 放大器则相反·将工作点安排在交流负载线的中点，可以获得最大的无削波失真的输出2．CE、CB、CC 放大器基本指标vA，管端输入电阻iR，管端输出电阻0R。

用电流控制电流源（cbii）BJT 低频简化模型（图2-24）导出的三个组态的上述基本指标由表3-1 归纳3． 高输入电阻和电流放大系数可采用复合管（图3.6.4、3.6.5）复合 BJT 是模拟 IC 中的一种工艺（又称达林顿组态）表 3.6.1 BJT 三种基本放大器小信号指标八、放大器的频率响应1. 基本知识·对放大器输入正弦小信号，则输出信号的稳态响应特性即放大器的频率响应·在小信号且不计非线性失真时，输出信号仍为正弦信号故可以用输出相量oX与输入相量iX之比，即放大器的增益的频率特性函数()A j来分析放大器的频率响应的特性·()()/()joiA jXXAe——()A表示输出正弦信号与输入正弦信号的振幅之比，反映放大倍数与输入信号频率的关系，故称()A为增益的幅频特性 （图3.7.15b） ；——()是输出信号与输入信号的相位差，它反映了放大器的附加相移与输入信号频率的关系，故称()为增益的相频特性· 放大器在低频段表现出增益的频率特性的原因是电路中的耦合电容和旁路电容在频率很低时不能视为交流短路，使交流通路中有电抗元件，从而造成输出的幅度和附加相位与信号频率有关；放大器在高频段表现出增益的频率特性的原因是晶体管内部电抗效应在高频CE 放大器CB 放大器CC 放大器简化交流通路AV beLrR（大，反相）(rb’e>>rbb’) beLrR（大，同相）(rb’e>>rbb’) LbeLRrR11（<1，同相）(rb’e>>rbb’) iRrbe(中) (1+β)re (rb’e>>rbb’) 1ber(小) re (rb’e>>rbb’) rbe+(1+β)LR(大) (1+β)(re+LR) (rb’e>>rbb’) oR0.5rce—rce (大， 与信号源内阻有关) rce—0.5rb’c (很大，与信号源内阻有关) 1SbeRr(小，与 RS有关 ), (BSSRRR//) 应用功率增益最大，Ri﹑Ro适中，易于与前后级接口， 使用广泛。

高频放大时性能好，常与CE 和CC 组态结合使用如CE-CB 组态﹑ CC-CB 组态Ri大而 Ro小，可作高阻抗输入级和低阻抗输出级，隔离级和功率输出级精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页，共 19 页时必须考虑（如PN 结电容的容抗不能再视为） ，使等效电路中存在电抗，造成输出与频率有关·当信号频率降低（或升高）到使()A下降到中频段增益0A的 0.707倍时所对应的频率称为放大器的低频截止频率Lf（或高频截止频率Hf） ·放大器的通频带是BW定义为HLBWff,BW又称 3dB 带宽·当对放大器输入频带信号，若输入信号频率的范围超过BW时，输出波形会因此发生畸变，此即放大器的频率失真频率失真分为幅频失真和相频失真前者是()A变化所致，后者是()不与成正比所致·频率失真与非线性失真的重要区别：对于前者，输出信号没有新的频率分量，且只有输入信号频超过BW时才有频率失真的问题·在直角坐标系下画出的() ~A曲线称为幅频特性曲线；() ~曲线称为相频特性曲线2. 波特图——放大器对数频率特性曲线·波特图的频率轴按lg定刻度位置，但仍标示频率的值。

对数频率轴的特点是每10 倍频程相差一个单位长度，且0点在频率轴处·幅频波特图的纵坐标按()A的分贝刻度，即所谓分贝线性刻度相频波特图的纵坐标仍按()的角度刻度·波特图的优点是易于用渐近线方法近似作频率特性曲线渐近线波特图绘法* ：·首先要判断)( jA是低频段还是高频段的频率特性函数（全频段)( jA另行讨论）)( jA的通式为：1212()()()()()()()mnKjzjzjzA jjPjPjP若mn，则为)( jAL；若mn，则为)( jAH1．低频波特图画法·将每个极零点因子化成以下形式)1()1)(1()1()1)(1 ()(21210jPjPjPjzjzjzAjAnmL（mn，0iP）（1）画幅频波特图；在幅频特性平面上画出每个因子（包括中频增益0A）的幅频渐近线波特图，然后相加每个因子对幅频波特图的贡献如下：·0A的贡献为||lg200A，即一条与无关的水平线；·极点因子)1(jPi在极点频率iP左侧贡献负分贝，斜率为20dB/dec·零点因子)1(jzi在零点频率iz右侧贡献正分贝，斜率为20dB/dec2）画相频波特图：在相频特性平面上画出每个因子（包括0A）的相频渐近线波特图，然后相加。

每个因子的贡献如下：·00A，则对相频波特图贡献为0o精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页，共 19 页·00A，则对相频波特图贡献为o180·极点因子)1(jPi，在||10iP频点的左而贡献正角度在||1.0|~|10iiPP区间斜率为45o/deciP频点为 45o，小于||1.0iP处保持 90o·零点因子)1(jzi在||10iz左侧贡献角度，在||10|~|1.0iizz区间斜率为o45/dec；在||iz频点处为 45o（或o45） ，在 0.1||iz处为 90o（或o90） ，小于 0.1||iz时保持 90o（或o90） ，角度的符号与零点因子幅角的符号一致2．高频波特图的画法将)( jAH中每个极零点因子化成以下形式)1 ()1)(1()1()1)(1()(21210nmHPjPjPjzjzjzjAjA（mn，0iP）（1）画幅频波特图画出每个因子（包括0A）对幅频波特图的贡献，然后相加，其规律如下：·0A贡献的分贝为||lg200A，即一条与无关的水平线·极点因子)1(jPi在||iP右侧贡献负分贝，斜率是20dB/dec。

iP右侧贡献正分贝，斜率是20dB/dec· 零 点 因 子 在（2）画出相频波特图画出每个因子对相频波特图的贡献，然后相加其规律如下：·0A的贡献是 0o（00A）或 180o（00A） 1.0iP右侧贡献负角度，斜率o45/dec；在10 ||iP时，贡献·极点因子在达到o900.1||iZ右侧贡献角度，斜率为45o/dec（或o45/dec） 在· 零点因子在10 ||iZ时，贡献达到并保持90o（或o90） 角度符号与零点因子幅角的符号相同3．全频段)( jA波特图的绘制首先要画出放大电路的交流通路，大电容视为短路，将BJT 的高频小信号模型带入其中，得到高频等效电路，求出高频()HAj；保留大电容，将BJT 的低频小信号模型带入，求出低频()LAj识别)( jA中的高、低频极点和零点，然后将极、零点因子分别写成)1 (1iPj)1 (jzi(1)ijZ精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页，共 19 页绘波图所需形式，再按前面两节的方法绘出波特图从中频除法遇到的高、低频段第一个柺点所对应的频率即为上限频率Hf和下限频率Lf。

第四章场效应管（ FET）及基本放大电路场效应管（ FET）是电压控制半导体器件，体积小、重量轻、耗电省、寿命长；输入阻抗高，在大规模和超大规模集成电路中得到了广泛的应用一、场效应管（FET ）原理·FET 分别为 JFET 和 MOSFET 两大类每类都有两种沟道类型：N 沟道和 P 沟道而 MOSFET 又分为增强型和耗尽型（JFET 属耗尽型） ，故共有 6 种类型 FET（表 4.3.1） ·JFET 和 MOSFET 内部结构有较大差别，但内部的沟道电流都是多子漂移电流一般情况下，该电流与GSv、DSv都有关·沟道未夹断时， FET 的 D-S 口等效为一个压控电阻（GSv控制电阻的大小） ，沟道全夹断时，沟道电流Di为零；沟道在靠近漏端局部断时称部分夹断，此时Di主要受控于GSv，而DSv影响较小这就是FET 放大偏置状态；部分夹断与未夹断的临界点为预夹断·在预夹断点，GSv与DSv满足预夹断方程：耗尽型 FET 的预夹断方程：PGSDSVvv（PV——夹断电压）增强型 FET 的预夹断方程：TGSDSVvv（TV——开启电压）·各种类型的FET，偏置在放大区（沟道部分夹断）的条件由下表总结。

FET 放大偏置时GSv与DSv应满足的关系极性放大区条件VDS N 沟道管：正极性(VDS>0) VDS>VGS－VP(或 VT)>0 P 沟道管：负极性(VDS<0) VDSVP(或 VT) P 沟道管： VGS

该电路仅适用于耗尽型FET有一定稳Q 的能力，求解该电路工作点的方法是解方程组：22() [FET() ]GSDDSSdGSTPGSS DviIvik vVVvR i对于增强型, 用关系式·混合偏压电路（图4.4.1b） 该电路能用于任何FET，在兼顾较大的工作电流时，稳Q 的效果更好求解该电路工作点的方法是解方程组：DsCCGSiRRRRVv212平方律关系式以上两个偏置电路都不可能使FET 全夹断，故应舍去方程解中使沟道全夹断的根三、 FET 小信号参数及模型·迭加在放大偏置工作点上的小信号间关系满足一个近似的线性模型（图4.4.2b 低频模型，图4.4.3c 高频模型）·小信号模型中的跨导QGSDmvigmg反映信号gsv对信号电流di的控制mg等于 FET 转移特性曲线上Q 点的斜率mg的估算：耗尽管DDSSPmIIVg||2增强管DmkIg2·小信号模型中的漏极内阻DsdsDQvridsr是 FET“沟道长度调效应”的反映，dsr等于 FET 输出特性曲线Q 点处的斜率的倒数四、基本组态FET 小信号放大器指标1．基本知识·FET 有共源（ CS） 、共漏（ CD）和共栅（ CG）三组放大组态。

·CS 和 CD 组态从栅极输入信号，其输入电阻iR由外电路偏置电阻决定，iR可以很大·CS 放大器在其工作点电流和负载电阻与一个CE 放大器相同时，因其mg较小，||VA可能较小，但其功率增益仍可能很大·CD 组态又称源极输出器，其1VA在三种 FET 组态中， CD 组态输入电阻很大，而输出电阻较小，因此带能力较强·由于 FET 的电压电流为平方关系，其非线性程度较BJT 的指数关系弱因此，FET 放大器的小信号线性条件对GSv幅度限制会远大于 BJT 线性放大时对bev的限制（bev5mV） 2．CS、CD 和 CG 组态小信号指标由表 4.4.1 归纳总结精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 9 页，共 19 页表 4.4.1FET 基本组态放大器小结CS 组态CD 组态CG 组态简化交流通路AV LdsmRrg//大，反相放大器LdsmLdsmRrgRrg//1//小于 1，同相放大器LmRg( 条件：LdsRr) 大，同相放大器iR∞，很大∞，很大mLmdsLgRgrR11，较小(条件：mLdsgRr1) oRrds，较大mmdsggr11//，较小>rds ，最大AI决定于 RG ，AI>> 1决定于 RG ，AI>> 1 AI<1 类似CE 放大器CC 放大器CB 放大器第五章功率放大器1．基本概念·功率放大器作为多级放大器输出级，目的是提高输出信号的功率。

器件工作于大信号状态，故小信号等效电路分析方法不适用·功放关注的指标主要有：效率OCCPP平均输出信号功率电源消耗的平均总功率最大输出信号功率maxoP非线性失真系数D ·功放管工作于接近极限参数状态，故功放管安全使用是设计功放要考虑的问题对 BJT 功放管，使用中不能超过CMP，CEOBV和CMI·按功放管的导通的时间不同，功放可分为甲类（A 类） 、乙类（ B 类） 、丙类（ C 类）和丁类（ D 类） 对阻性负载功放，只能工作在甲类或乙类（双管电路） 丙类功放一般是以LC 回路作负载的高频谐振功放·甲类和乙类电阻负载功放比较：甲类乙类功放管单管（图 5.2.1b）对管（图 5.2.1a）非线性失真优于乙类有交越失真问题精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 10 页，共 19 页电源功率CCP与输入信号无关，静态时仍消耗功率输入越大，CCP越大静态时电源几乎不消耗功率管耗CP静态时最大静态时为零，激励在某一状态时CR最大效率<25% <78.5% 对功放管的功率容量的利用低，CMoPP5.0max高，CMoPP5max2．OCL 和 OTL 电路·OCL 电路：正负双电源供电的NPN-PNP 互补推挽功放（图5.2.1） 。

· OCL 电路的分析计算：功放管工作在大信号状态，用图解法分析（图5.2.2）·OTL 电路：正负单电源供电的NPN-PNP 互补推挽功放（图5.3.4） ·OTL 正常工作的条件是： （1）静态时两发射极连接的节点处电压12KCCVV；（2）耦合电容必须足够大，使一个周期内，CV保持12CCV几乎不变·OTL 电路存在的问题及解决：自举电路（图5.3.5）OCL 和 OTL 功放的公式汇集OCL 功放OTL 功放原理电路指标Pomax LCCRV221（满激励时）LCCRV281（满激励时）PCCmax LCCRV22（满激励时）LCCRV221（满激励时）max4（满激励时）4（满激励时）PT1max maxOLCCP.RV20122[)/(64.0LCCcmRVI时] maxOLCCP.RV204122[)/(64.0LCCcmRVI时] 极限BVCEO CCCEOVBV2CCCEOVBV精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 11 页，共 19 页参数限制ICM LCCCMR/VILCCCMRVI2PCM maxOCMP.P20maxOCMP.P203. 功率 BJT 的选择：1maxmax0.2CMToPPP；()2BR CEOCCVV;CCCMLVIR4. 甲乙类功放：乙类功放在输入信号过零时，因功放管未导通而使输出为零的现象称为交越失真（图5.3.1b） 。

可以给功放管加一定的放大偏置使其工作在甲乙类（图5.3.2、5.3.3）来消除交越失真但效率也会有所降低第六章集成电路（ IC）运算放大器一、半导体IC 电路特点在半导体集成电路中，晶体管工艺简单且占芯片面积小；电路结构与元件参数具有对称性；可制小电阻（用半导体体电阻实现），但大电阻用有源器件替代， ；可实现小电容无法集成大电容及任何电感；多采用复合结构的电路根据IC 工艺的这些特点，IC 电路设计思想是尽量多用晶体管，少用电阻（特别是阻值大的电阻），尽量不用电容二、恒流源1．恒压源与恒流源基本概念·恒压源与恒流源都是耗能的电路装置·恒压源的特点是：端口电压随电流变化很小，或即内阻0r很小·恒流源的特点是当端口电压变化时，流过恒流源的电流变化很小，或即内阻0r很大二者比较如下表：恒 压 源恒 流 源理想模型伏安特性曲线实际线性近似模型2．模拟 IC 中的恒流源·镜像恒流源（图6.1.1，图 5-13a）参考电流RVVIBECCR1精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 12 页，共 19 页恒流源电流/212RCII特点：1时RCII2，故2CI是RI的镜像。

该恒流源内阻不够大，镜像精度不高·微电流恒流源（图6.1.3）参考电流RVVIBECCR1恒流源电流关系式：222lnCRTCIIRVI特点： 用不大的电阻两个可以实现A 级的恒流源，故易于集成该恒流源内阻大2CI对电源电压波动不敏感·多路恒流源（图6.1.4）参考电流CCBEREFeVVIRR恒流源电流1212,eeCREFCREFeeRRIIIIRR特点： 内阻大，使用灵活3．恒流源在模拟IC 的应用·IC 放大器中的偏置电路（如恒流源差放图6.2.1，6.2.6）·用恒流源作（集电极）有源负载放大器（图6.1.5） ：采用集电极有源负载的CE 放大器，在后级输入电阻很大的条件下，可以大大提高电压增益三、差分式放大电路（图6.2.2）1．基本知识·任模输入信号1sv，2sv的差模和共模分量差模输入电压：21ssidvvv（输入端的一对差模分量是2idv）共模输入电压分量：)(2111ssicvvv·差放是一种具有两输入端的电路对称、元件配对的平衡电路，它可以有效地放大差模信号（有用信号）；依靠对称性和共模负反馈，差放可以有效抑制共模输入信号（一般为干扰信号）·零点漂移：当放大电路的输入端短路时，输出短还有缓慢变化的电压产生，是由温度变化及电源电压波动而引起。

·差放作直流放大器，可以有效地抑制零点漂移这是因为零漂可以等效为共模干扰信号而被差放抑制·差放基本指标的定义差模增益idodvdvvA（有单端输入和双端输入，双端输出和单端输出）共模增益icocvcvvA（有双端输出和单端输出两种方式）共模抑制比vcvdCMRAAK2．差放指标的计算方法——单边等效电路法精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 13 页，共 19 页· 当信号差模输入时， 理想对称差放在对称位置上的点都是交流地（图 6.2.3） 据此，可画差放的差模单边交流通路，由该电路计算vdA·当信号共模输入时，两对称支路交汇成的公共支路上的交流电流是每支路的两倍（图6.2.4） 据此可画出差放的共模单边交流通路（图 6.2.5） ，由该电路求vcA理想对称差放的0)(双vcA·对任意输入信号，可以将其分解成差模和共模分量后，按单边等效电路法求出输出，然后相加，其一般表式为：)(0CMRicidvdicvcidvdocodKvvAvAvAvvv·差放增益的符号与idv参考方向、odv（或ocv）以及单端输出时输出端都有关。

·采用恒流源偏置的差放可以增大共模负反馈，使CMRK增大·各种输入、输出情况下的差模增益、共模增益、差模输入电阻、共模输入电阻、单端输出电阻和双端输出电阻见表6.2.1 3．差放的小信号范围及大信号限幅特性·由于差放的对称性能有效抑制非线性输出的偶次谐波分量，故差放的小信号范围单管放大器宽恒流源CE 差放的小信号条件是28||idvmV·恒流源 CE 差放当100||idvmV 时，输出有明显的限幅特性该特性在通信电子电路中得到应用四、 多级放大电路1. 基本概念 : ·多级放大器的级间耦合方式主要有电容耦合（阻容耦合）、变压器耦合和直接耦合（图6.3.2）三种方式·对于直接耦合放大器，其工作频率的下限可以为零（称为直流放大器） ，但输出易发生所谓 “零点漂移”（输出端静态电压缓慢变化），形成假信号零点漂移的主要原因是前级工作点随温度变化，这种变化因级间直接耦合被逐级放大在输出端出现可观的漂移电压·直流放大器由于输入输出不能使用隔直耦合电容，希望在无输入信号时，输入端口和输出端口的静态直流电压为零只有用正负双电源供电的直流放大器才能实现零输入和零输出2. 多级放大器指标计算·后级放大器的输入电阻是前级放大器的负载，在计算前级放大器的增益时，一定要把这个输入电阻计为负载来计算增益。

·第一级放大器的输入电阻即多级放大器的输入电阻；末级放大器的输出电阻即多级放大器的输出电阻·计算多级放大器电压增益的一般方法是求出各级增益，再将其相乘· BJT 两种重要的组合放大电路是共射—共基和共集—共基组态，应能画出并计算这两个电路的指标第七章负反馈反馈放大电路放大器的输出电压（或电流）经反馈网络在放大器输入端产生反馈信号，该反馈信号与放大器原来输入信号共同控制放大器的输入，即构成反馈放大器（图3.5.1） 一、单环负反馈理想模型分析1．基本定义：放大器及增益（开环增益）oidXAX输出信号净输入信号网络及反馈系数ofXFX反馈信号输出信号idxxAFixxfxxoxx精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 14 页，共 19 页反馈放大器增益（闭环增益）oifXAX输出信号输入信号当fAA，即净输入大于原输入时为正反馈；反之则为负反馈2． 基本反馈方程基本反馈方程由信号流图给出的理想反馈模型导出：1fAAAF3．深负反馈及公式·当11AF时称深负反馈，此时1AF. ·深负反馈的特征是：反馈信号fx接近原输入信号ix，使净输入idx很小；此时，闭环增益fA只由反馈网络决定。

4．反馈类型及用双口网路表示的理想模型·由于基本放大器与反馈网络在输出口的接法不同，取样信号0x可能是输出电压或输出电流；由于基本放大器与反馈网络在输入口的接法不同，求和信号（idx，fx，ix）也可能为电压或电流因此有四种不同的反馈类型，表7.3.1 给出了这四种类型的总结表 7.3.1 四种反馈类型各物理量的含义物理量类型xs、xf、xIxoA Af F 电压取样电压求和反馈（电压串联反馈）图 7.1.1 图 7.1.2 电压电压电压比电压比电压比电流取样电流求和反馈（电流并联反馈）图 7.1.3 图 7.1.4 电流电流电流比电流比电流比电压取样电流求和反馈（电压并联反馈）图 7.1.5 图 7.1.6 电流电压互阻互阻互导电流取样电压求和反馈（电流串联反馈）图 7.1.7 图 7.1.8 电压电流互导互导互阻二、实际放大器反馈类型和极性判断1．反馈类型·输出节点有反馈电阻（或网络）接至输入口是电压取样―――电压反馈·输入节点有反馈电阻（或网络）接至输出口是电流求和―――并联反馈2．反馈极性判断——瞬时极性法假设输入信号（电压或电流）任一瞬时的极性（即sv对地为＋或－；si流入或流出） ，分析由此极性产生的反馈信号的极性。

若反馈信号削弱了输入信号，使净输入减小，即为负反馈；反之则为正反馈三、负反馈对放大器性能的影响1．负反馈可以提高闭环增益fA的稳定性精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 15 页，共 19 页闭环增益相对变化率ffAA是开环增益相对变化率AAd的F12．负反馈可以扩展闭环增益的通频带开闭环截正频率有如下关系：(1),(1)LHfHLfAFAF，(1)AF是中频段的反馈深度3．负反馈可以减小非线性失真4．直流负反馈可以稳定放大器工作点基极分压射极偏置电路采用电流（CI）取样电压求和直流负反馈稳定工作点电流CI5．负反馈改变输出电阻与取样方式有关电压取样负反馈使输出电阻减小；电流取样负反馈使输出电阻增大6．负反馈改变输入电阻与求和方式有关电流求和负反馈使输入电阻减小；电压求和负反馈使输入电阻增大四、深负反馈条件下fA和vsfA的估算1．判别反馈类型，正确识别并画出反馈网络注意电压取样时不要把直接并在输出口的电阻计入反馈网络；电流求和时不要把并在输入口的电阻计入反馈网络2．在反馈网络输入口标出反馈信号：电压求和为开路电压fv，电流求和时为短路电流fi，再由反馈网络求出反馈系数F。

要注意标fv时在反馈网络入口标上正下负；标fi时必须在反馈网络入口以上端流入为参考方向3．求闭环增益1fAF，注意不同的反馈类型fA的量纲不同4．由fA求闭环源电压增益vsfA电压取样电压求和时：0vsfsvAv电压取样电流求和时：00fvsfssssAvvAvi RR电流取样电压求和时：00LvsffLssviRAA Rvv电流取样电流求和时：00fLLvsfssssA RviRAviRR其中：0i是输出管的管端输出电流，即取样电流LR是取样电流0i过的输出负载电阻五、负反馈放大器的稳定性1．由于电抗元件（管外与管内，主要是电容），产生的附加相移，使一个中频段的负反馈放大器在高、低频段可能为成正反馈正反馈满足一定条件，会导致放大器自激2．自激振荡条件精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 16 页，共 19 页一般情况下，可将开环增益和反馈系数表示成频率特性函数，分别为)( jA和()Fj（对于电阻反馈网络，F 为常数）则自激条件为1AF振幅条件：1AF相位条件()()(21)afn3．使()()(21)afn的频率P称为相位交叉频率。

它就是自激振荡频率使1AF的频率g称为增益交叉频率4．增益裕量0dB20lg()mPGT相位裕量| )(|180ogTmmG和m是衡量反馈系统远离自激的程度稳定的反馈系统0mG，0m第八章信号的运算与处理电路一、通用集成运放的特点集成运放（ OA ）是模拟 IC 中最重要的品种它是一个以差动放大器作输入级的高增益直接耦合电压放大器，一般具有很高的输入电阻和很低的输出电阻的特点通用集成运放741 电路分析（图6.3.3） ：·输入级： CC-CB 差放（41~ TT） ，有源负载（75~ TT） ，恒流源偏置（98~ TT）·第一隔离级：射极输出器（16T）·中间高增益级：共射组态（17T） ，有源负载（12T，aT13）·第二隔离级：射级输出器（aT24） ，有源负载（12T，bT13）·输出级： NPN-PNP 互补 OCL 电路（14T，18T） ，克服交越失真的偏置（15T，23T）·保护电路：（1）输出保护电路（19T，20T）（2）中间级保护电路（22T，21T） ，20T工作时，启动该电流源对16T提供保护相位补偿电路：内部电路中唯一的电容具有单位增益补偿功能，使741 在闭环增益为1 时仍不会自激。

二、集成OA 的主要指标·开环增益vdA，一般在 80~120dB·差模输入电阻idR，数十6k~10 M·输入失调电压IOv及其温度系数TVIOdd·输入失调电流IOI及其温度系数ddIOIT 两个失调参数是衡量高精度运放的指标·电源电压：一般在36V 以下有双电源和单电源运放之分轨到轨”运放是指最大输出几乎等于电源电压的运放低电压工作运放是手持通信设备所需的品种·增益带宽积GBW：指频率升高使1vdA时的频率值射频运放的GBW可高达 1GHz 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 17 页，共 19 页以上GBW是衡量运放放大高频小信号能力的参数·转换速度SR：运放对输入大信号的上升沿和下降沿的响应速度SR 是衡量运放对高速信号处理的能力，高速OA 的 SR 可达到 4000V/s三、理想运放及理想运放分析法1．集成 OA 具有vdA、idR极大，0R很小的接近理想电压放大器的特点在 OA 负反馈应用电路中，往往满足深负反馈条件故在分析这类应用电路时，把OA 视为“理想运放” 分析理想运放应用电路时，可采用理想运放满足的“虚短路（VV） ”和“虚开路（0II） ”的条件。

2．运放的两种基本负反馈放大器采用理想运放分析法可获得运放同相和反相放大器的一些指标总结为表8-2表 8-2 反相放大器与同相放大器比较类 型比较量反相输入放大器同相输入放大器简化电路电压增益 vo/vs -Rf/R1 1+Rf/R1(>1) 输入电阻 Rif R1 ∞输出电阻 Rof 0 0 共模输入电压vic0 vs 反馈类型和极性电压取样电流求和负反馈电压取样电压求和负反馈当上述电路中电阻为阻抗时，有关公式仍然成立，如：10zzVVfs（反相组态）011fszVVz（同相组态）四、集成OA 线性应用（举例）1．代数和运算电路4422110vRRvRRvRRvRRvfssfff上式成立的条件是：NPfRRRRRRR//////////4321由上述电路可获得OA 组成的基本差动放大器（图8.1.3） ，公式如下：)(1210iifvvRRv精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 18 页，共 19 页2．基本反相积分器（图8.1.5）公式：ttvRCtviod)(1)(3．基本反相微分器（图8.1.8）公式：ttvRCtviod)(d)(4. 理想运放分析法应用时的一些要点：（1）利用虚短和虚断的概念。

2）两信号以上输入时，可采用迭加原理求输出0v3）当电路含有电抗元件时，可采用相量法（或复频域）分析因为电抗上的电流电压是微分关系，作时域分析会涉及微分方程，使得在一个以上电抗存在时，求解困难4）运用VV，0II时，不可将运放同相与反相端之间短路或将两输入电极开路来分析，只能在列方程时应用这些条件5）对结果作量纲检查，可发现一些低级错误，如：543210RRRRRvvi，221RCVVio都肯定是错误的结果（为什么？）第九章信号产生电路一、正弦波振荡电路的振荡条件二、RC 正弦波振荡器三、LC 正弦波振荡器四、非正弦信号产生电路第十章直流稳压电源一、 小率整流滤波电路二、串连反馈式稳压电源精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 19 页，共 19 页。