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集成电路版图设计全解.ppt

49页
  • 卖家[上传人]:pu****.1
  • 文档编号:590696691
  • 上传时间:2024-09-15
  • 文档格式:PPT
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    • Full-custom设计系统环境完整的Full-custom设计环境包含设计资料库 - Cadence Design Framework II-电路编辑环境- Text editor / Schematic editor– 电路仿真工具– Spice/ADS/Spectre– 版图设计工具- Cadence virtuoso / (Ledit)– 版图验证工具– Diva/Assura/Calibre/dracula系统环境– 工作站与unix-based操作系统–PC与windows操作系统(非主流)1 •与Cadence有关的几个重要文件• .cshrc shell环境设定执行档• .cdsinit Cadence 环境设定档• cds.lib Cadence 环境资料库路径设定档• display.drf Cadence Layout editor 颜色图•样设定档• Technology file 包含与工艺相关的参数2 3 4 原理图编辑与仿真流程1. 建库2. 建底层单元3. 电路图输入4. 设置电路元件属性5. Check & Save6. 生成symbol5 一、建立自己的library ,cell和view Library自己将要设计的版图所要存放的库 Cell 设计的每一模块单元 View  单元的格式,有 schematic ,symbol ,layout等1. 建库6 • 在自己的目录下启动Cadence: icfb& • 选择CIW中的菜单:File->New->Library…• 指定库名、路径和工艺文件• 或直接利用前面已经建好的library: lab7 8 9 10 11 12 13 新建一个库文件新建一个库文件2. 创建基本单元14 库名定义为库名定义为mydesign1,然后连接到所需要的库中,然后连接到所需要的库中(gpdk)15 •选择CIW中的File->New-•>Cell View…• 选择library name:• 输入cell name: inverter• 选择Tool: Composer-•schematic,这时View name•自动变为: schematic• 按OK进入schematic editor16 新建一个新建一个cell,用来制作反相器,用来制作反相器17 18 3. 电路图输入19 利用利用Add-instance添加元件,添加一个添加元件,添加一个pmos20 修改长度为修改长度为350nm,宽为,宽为1um21 同样生成一个同样生成一个nmos,长,长350nm,宽,宽500nm22 4. 定义元件属性23 24 Wire连接•单击wire(narrow)按钮•鼠标单击选中起始点;•再点击鼠标选中第二点;•双击——画出终点;•Wire(wide)的绘制方法与此相同,二者无本•质区别。

      25 添加wire name•点击wire name按钮• 输入节点名• 点击目标wire,放置• Wire name相当于给•节点命名,同名节•点被认为是一个电•气节点26 基本编辑操作•复制/移动:点击工具栏复制/移动按钮或按“c”/ “m”;– 单击操作对象,该对象就会粘到鼠标指针上,如果想把几个对象作为一个整体一起移动,则要先选中所有操作对象;再次单击一下鼠标,放置对象• 删除: 点击delete按钮或按“d”, 选中要删除的对象;27 基本编辑操作•Undo:点击Undo按钮或按“u” ;• 改变编辑模式:在按过功能按钮后系统会保持相应的编辑状态,因此可以连续操作• 模式切换:按其它按钮•退出当前模式:按Esc键• 查看、更改属性:点击”Instance properties”按钮或按“q”28 生成以后进行连线,添加生成以后进行连线,添加IO口之后得到如下图口之后得到如下图29 5. 电路检查与保存•点击check&save按钮• 错误内容:CIW窗口会显示错误说明•常见的错误有: 节点悬空、 输出短路、 输入开路30 6. 自动创建symbol•选择COMPOSER的菜单:Design->Create Cellview->From Cellview…• 弹出窗口中已自动设置好library:cellview,检查无误OK31 自动创建symbol•设置PIN的名字和位置32 修改symbol view33 二版图编辑与验证•– 建新的design library:lab•• 点击File Æ new Æ library 弹出new library窗口•• 在name框键lab,右边选attach to an existing techfile•• 在弹出的窗口中选工艺库: chrt35rf•– 在lab下建立一个cellview:inv : layout•• 点击File Æ new Æ cellview弹出create new file窗口•• Library name: lab; cell name: inv; tool: 选virtuoso1. 新建一个library/cell/view34 进入进入XL进行编辑进行编辑35 36 在在virtuoso中使用中使用gen from source命令生成器件,命令生成器件,IO口修改为第一层金属,然后口修改为第一层金属,然后apply37 38 点点OK之后出现下图之后出现下图进行进行display设置设置39 修改修改display levels 和和 单元间距单元间距然后就可以对器件进行然后就可以对器件进行放置,连线等放置,连线等OK40 设置一个命令,此后每当你选择一个命令之后都会弹出设置一个命令,此后每当你选择一个命令之后都会弹出一个菜单,根据需要可以修改相应的参数。

      一个菜单,根据需要可以修改相应的参数41 使用使用path命令命令弹出一个菜单,要连接栅极弹出一个菜单,要连接栅极选择选择GT,修改宽度,修改宽度0.3542 点击要连线的地方:点击要连线的地方:43 最最后后得得到到的的反反相相器器版版图图44 2. 版图编辑操作•选取版图的层•– 矩形(recangle)、线(path)•– 标尺(ruler)的使用•– 图形尺寸调整(stretch)•– 图形的移动和旋转•– 图形的复制,删除•– 图形属性修改45 版图编辑操作•图形的合并(merge)•– 加contact(四种,三种接触孔,一种过孔)•– 定义multipath•– 加Pin•– 调用已画单元(cell)•– 注意热键的使用•– 注意ESC 的使用46 •f:全景图 ctrl+z:放大 shift+z:缩小•shift+f:详细版图(非symbol) u:undo•w:上一界面 i:调用器件•q:看属性 r:画矩形• p:固定长度的可折线 l:lable 标注端口、电源、地等所标识的金属层,用该层TEXT层标识如,M6层金属则选择M6TEXT层• s:拉伸收缩• Shift+C:把线断开(注意:先选中线,再操作)• Shift+M: merge(同上,先选中线)• k:标尺• shift+k:取消标尺•shift+x: 进入调用器件的下层 •shift+b:返回上层•在ICFB窗口的OPTIONS里选择USER PREFERENCES,改变undo次数。

      47 3. 版图验证•由于加工过程中的一些偏差,版图设计需满足•工艺厂商提供的设计规则要求,以保证功能正•确和一定的成品率•–DRC:Design rule check48 作业•1建立一个工作目录,姓名学号简称,然后进入该工作目录•2将display.drf 拷到工作目录下•3用Vi编写cds.lib 加入INCLUDE•4启动ic5141•5在工作目录下新建一个库并用gpdk工艺,用最小尺寸做一个cell名为inv,画一个反相器•6 生成symbol•7再做一个cell为invtest加入电源、地和vpulse(周期为1ns)•8仿真看瞬态波形5ns•9打开inv生成layout•10 用DRC检查直到error为0.•写实验报告,电子版内容包括实验名称、实验内容、实验结果包括(电路图、symbol、测试电路、仿真结果(输入输出信号的波形)、版图、DRC报告(错误图及说明(中文)、修改结果)49 。

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