双向可控硅驱动电路改进设计.doc
4页
双向可控硅驱动电路改进设计使用带过零触发的光电双向可控硅驱动器MOC3061直接驱动双向可控硅的触发端原方案12133061KDC302130V-110V局220YU311：lQI泉悅龙Q?214i4LSOOBTA41roINTIR5是触发器输出限流电阻，R3用以消除漏电流，防止BTA41-600B或KP150的误触发養器件5B15双向可控硅型号：BTA41-600B,电流:41(A),反向电压:600(V),IGT<50mA加热电阻丝的选择：24.8Q,2000W,可控硅触发电路中三极管及其周围电阻的选择触发电流w50mARC电路中电阻选择100Q以内，电容选择卩f,则电路的阻抗是：318K-7K,1W-51.42W即电容选的大，电阻的功率就大建议电容选择不大于0.1卩f,则电阻的功率就不大于12W如果电阻选择在<2W,则电容选择应该是0.01卩f试验结果：1、通电后没有工作进行一系列测量，感觉LM311没有输出波形，MC14528在管脚的理解上面有问题，至于74LS00门没有输出说明同步脉冲电路有问题2、直接给MOC3061的第二脚加地，试图工作未遂为使光偶工作，不断地修正R3的电阻值，直到从1K到0.2K。
3、MOC3061的输出去控制双向可控硅，按现在的参数，流入可控硅的触发控制级的电流达到0.76A，可能已经烧了双向可控硅4、调整同步脉冲电路，先将LM311改成LM358,又将MC14528的外围连接改变，主要是5P、12P接法对换调整2P、14P外围的电路参数，如将0.33的电容改成103(0.01)，脉冲宽度发生了改变使用二极管作为或门，有0.7V的压降，改成用74LS32或门在修改后的电路图中的A点，测的同步的脉冲波形（下降沿）Iini仃in【门【h4IIHI町削一「I—n—n—n—n整州iI~i—!—i~ii—i::-:；:；:呗uuuI现在主要的问题在可控硅这里了BTA41-600B的触发电流小于50mAR5是触发器输出限流电阻，简单计算，R5应该在4.4K以上晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关短状态2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用3. 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。
4. 脉冲宽度大于20微秒改进方案一第一步，检查光电偶合电路，按下图进行，给MOC306一个输入，使其输入二极管端的电流在10mA左右，让其工作，输出接24V继电器继电器J线圈电阻是1.1K，流过的电流是21.45mA继电器J的常开触点闭合，表示工作正常R5选100Q电阻，可以根据实际情况调整或取消47012100(!*0(3061■+24V彳74LSOO第二步，改变负载用36VA安全灯（20W,驱动电流约是36mA检查等的工作情况如按功率计算，电阻上面消耗1.3W现手头有720Q1W电阻47011*0030611KII亠厂6L74LSOOKP150ETA41-600B双向可控硅的检查方法：用万用表电阻R*1Q挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。
再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压改进方案二此电路中的R电阻选1W的功率改进方案三图A魏型K)C3OS1驱动可控硅电路图B典型MOC3081驱动可控硅电路但取消了盟3在使用时发现图A,当可控硅有故障如开路时、接触不好，当MOC3081导通时由于负载电流没有流过可控硅，而通R17,MOC3081R23流过，这样当负载功率比较大时会将R17,R23,MOC308烧坏，冒烟，但如果使用图B,即去掉R23，就不会出现图A那种冒烟现象两个电路都可触发，提倡用B哪一种并把负载放在N那端我也一直用B的，不過應把R17加大，再R23改爲一電容的。
加R23那个电阻是为了降低可控硅的灵敏度防止误动作MOC3041datasheet推荐A烧电阻是用的电阻不好。
