带关断的低温漂cmos带隙基准电压源.doc

杭州中科微电子有杭州中科微电子有杭州中科微电子有杭州中科微电子有限公司限公司≡CR0508≡带关断的低温漂带关断的低温漂CMOSCMOS带隙基准电压源带隙基准电压源一一．概述．概述采用 CMOS 技术设计的带隙式电压基准源，输出电压为：VREF=1.29371V其设计思想是利用 PTAT 电流产生的正温度系数电压与晶体管的射基级负温度系数电压相加，来产生理论上温度系数可为零的高精度高稳定性基准电压另外还设计了一种快速启动电路使得芯片能够很快进入工作状态二二．特性．特性在 Vdd＝5V，T＝27℃时，输出电压 Vref=1.29371V静态电流 Iq=21.3uA输出电压漂移 18.8ppm温度漂移 25.8ppm 电源抑制比 PSRR＝-76dB三三．应用．应用适用于需要高精度高稳定性的参考电压应用场合下，范围非常广四四．引脚说明．引脚说明名称说明I/O 方向功能备注Vdd电源输入电源2.0-5.5VGnd参考地输入参考地SHUTDOWN关断输入高电平有效，进入低功耗状态，低电平电路正常工作VREF基准输出输出输出基准参考电压五五．电气参数．电气参数 没特殊指明，电源电压为5V在正常工作模式下：符号参数条件标准限制单位2.0V(最小)Vdd电源电压55.5V(最大)Vref输出电压1.293711.29392VIq静态电流20.320.9uA⊿Vref/⊿Vdd电压漂移4V到5V测试25.827.5ppm⊿Vref/⊿T温度漂移-30℃到125℃测试18.828.8ppmPSRR电源抑制比VRIPPLE=0.707Vrms-76dBIsd关断电流SHUTDOWN为高电平48．662.3pA杭州中科微电子有杭州中科微电子有杭州中科微电子有杭州中科微电子有限公司限公司六六．系统架构图．系统架构图七七．典型工作特性．典型工作特性 (1) 输出基准电压 Vs 电源电压（图 1）(2) 输出基准电压Vs温度（图2）图 1 图 2(3) 电源抑制比PSRR (图3)杭州中科微电子有杭州中科微电子有杭州中科微电子有杭州中科微电子有限公司限公司图 3(4) 电源启动瞬态特性（图4）(5) SHUTDOWN启动瞬态特性（图5）图4 图5八、工艺：八、工艺： CSMC 0.6 um。