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设计规则——N-well,设计规则——active,设计规则——active,设计规则——active,设计规则——poly,设计规则——poly,设计规则——Select,设计规则——Select,设计规则——Select,设计规则——Poly contact,定义为金属1与多晶硅的所有连接！,设计规则——Active contact,定义为金属1与有源区的所有连接,设计规则——metal1,设计规则——Via,定义为两层金属之间的连接孔,设计规则——Via,设计规则——metal2,可用于电源线、地线、总线、时钟线及各种低阻连接,设计规则总结： 大绘图层对小绘图层的最小围绕，例如： 阱对有源区的最小围绕； n_select/p_select对有源区的最小围绕； n_select/p_select对有源区接触孔的最小围绕； 有源区对有源区接触孔的最小围绕； 多晶硅对多晶硅接触孔的最小围绕； 金属1对有源区接触孔的最小围绕； 金属1对多晶硅接触孔的最小围绕； 金属对通孔的最小围绕绘图层的最小宽度，例如： 阱的最小宽度； 有源区最小宽度； 多晶硅最小宽度； n_select/p_select最小宽度； 多晶硅接触孔最小宽度； 有源区接触孔最小宽度； 金属1最小宽度； 金属2最小宽度； 通孔最小宽度。

绘图层与绘图层的最小间距，例如： 阱跟阱的最小间距； 有源区最小间距； 阱跟阱外有源区最小间距； 多晶硅最小间距； n_select/p_select最小间距； 有源区接触孔最小间距； 多晶硅接触孔最小间距； 有源区接触孔与栅最小间距； 金属1最小间距； 通孔间距等等,练习：用该设计规则，分别设计NMOS管和PMOS管的版图，并组装成CMOS反相器的版图 要求：1、版图面积最小 2、NMOS管和PMOS的沟道宽度均为22λ,,NMOS晶体管： 多晶硅：2*26 有源区：13*22 N-select：17*26 有源区接触孔：2*2 NMOS晶体管衬底： 有源区接触孔：2*2 有源区：5*5 P-select：9*9,,PMOS晶体管： 多晶硅：2*26 有源区：13*22 P-select：17*26 N-well：23*32 有源区接触孔：2*2 PMOS晶体管衬底： 有源区接触孔：2*2 有源区：5*5 P-select：9*9 N-well：11*11,。