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RCD 吸收电路的设计（开关电源） 对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件即要限制主 MOS 管最大反峰，又要 RCD 吸收回路功耗最小） 在讨论前我们先做几个假设， ① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ； ② RCD 中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）； ③ 在调整 RCD 回路前主变压器和 MOS 管，输出线路的参数已经完全确定 有了以上几个假设我们就可以先进行计算： 一﹑首先对一﹑首先对MOS管的管的VD进行分段：进行分段： ⅰ，输入的直流电压VDC； ⅱ，次级反射初级的VOR； ⅲ，主MOS管VD余量VDS； ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1 二﹑对于以上主二﹑对于以上主MOS管管VD的几部分进行计算：的几部分进行计算： ⅰ，输入的直流电压ⅰ，输入的直流电压VDC 在计算VDC时，是依最高输入电压值为准如宽电压应选择AC265V，即DC375V VDC＝VAC *√2 ⅱ，次级反射初级的ⅱ，次级反射初级的VOR VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的， 如输出电压为： 5.0V±5% （依Vo =5.25V计算） ， 二极管VF为 0.525V （此值是在 1N5822 的资料中查找额定电流下VF值） ． VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns ⅲ，主ⅲ，主MOS管管VD的余量的余量VDS．． VDS是依MOS管VD的 10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650 应选择DC65V． VDS＝VD* 10% ⅳ，ⅳ，RCD吸收吸收VRCD． MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。

实际选取的VRCD应为最大值的 90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响） VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90% 注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合． ② VRCD必须大于VOR的 1.3 倍．（如果小于 1.3 倍，则主MOS管的VD值选择就太低了） ③ MOS管VD应当小于VDC的 2 倍．（如果大于 2 倍，则主MOS管的VD值就过大了） ④ 如果VRCD的实测值小于VOR的 1.2 倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率 ⑤ VRCD是由VRCD1和VOR组成的 ⅴ，ⅴ，RC 时间常数时间常数 τ 确定．确定． τ 是依开关电源工作频率而定的，一般选择 10~20 个开关电源周期 三﹑试验调整三﹑试验调整VRCD值值 首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C=“10nF/1KV“再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载先低压后高压，再由轻载到重载的原则在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。

RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上） 一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值 四﹑试验中值得注意的现象﹑试验中值得注意的现象 输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压 重负载是指开关电源可能达到的最大负载主要是通过试验测得开关电源的极限功率 五﹑﹑RCD 吸收电路中吸收电路中 R 值的功率选择值的功率选择 R的功率选择是依实测VRCD的最大值，计算而得实际选择的功率应大于计算功率的两倍 编后语： RCD 吸收电路中的 R 值如果过小，就会降低开关电源的效率然而，如果 R 值如果过大，MOS 管就存在着被击穿的危险 (箝位电路参数对反激变换器的性能有重要的影响.选取不同R、 C值时,C取值较大,C上电压缓慢上升,副边反激过冲小,变压器原边能量不能迅速传递到副边;R、C值合适,C上电压在S截止瞬间冲上去,然后D截止,C通过R放电,到S开通瞬间,C上电压应放到接近(N1/N2)Uo;,R、C均偏小,C上电压在S截止瞬间冲上去,然后因为RC时间常数小,C上电压很快放电到等于(N1/N2)Uo,此时RCD箝位电路将成为反激变换器的死负载,消耗储存在变压器中的能量,使效率降低.)。