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射 频 电 路 设 计,,,,目录,,RFID系统射频电路优化设计,何洪喜,,CMOS射频前端电路设计中的低噪声、高线性度研究,【作者】 林敏； 【导师】 陈弘毅；李永明；,,超高频RFID读写器射频电路设计,【作者】 孙甲； 【导师】 刘开华；,,GSM900/1800双频移动射频电路设计,【作者】 邵一祥； 【导师】 吕英华；,RFID系统射频电路优化设计,射频识别(RFID,Radio Frequency Identification)技术是利用无线信道实现双向通信的一种自动识别技术近些年来,中低频的射频识别系统的应用领域日益扩大,现己涉及到人们日常生活的很多方面;而国内UHF频段的RFID系统在设计和应用的水平上还有较大差距主要原因在于,工作在UHF频段的射频电路,电路中的分布效应比较严重,器件的高频特性、电路的布线工艺和电路的电磁兼容性都将直接影响射频电路的性能,而国内相应的技术与生产水平还比较落后 本文基于ISO/IEC18000-6 Type B协议,设计了一种中心频率为915MHz的RFID系统射频电路,并通过了项目验收;在此基础上进行了优化设计,进一步提高了电路性能。

首先,对RFID的基本原理和协议标准进行了研究,并按照协议要求和设计指标完成了样机的设计和制作样机电路划分为发射电路和接收电路两部分发射电路中,频率源采用锁相环的方式,实现了频率的步进;调制器由一个具有开关功能的低噪声放大器实现,同时实现了对信号的预放大;功率放大器选用了增益可调的模块,提高了电路的集成度;应用单刀双掷的射频开关实现了多通道读写接收电路采用了零中频方式,相对于超外差方式,明显简化了电路结构,仅由混频器、差分放大器和电压比较器组成;为了提高零中频电路的接收灵敏度和对模糊点的消除性能,采用了两组解调电路的方式—3—,—LOGO—,,【作者基本信息】 北京邮电大学， 电子与通信工程， 2007， 硕士,全球数字移动通信系统(GSM)是一项成功的技术，已经成为一个世界标准，在中国更是得到了飞速的发展目前国内很多企业也在开发GSM产品本项目正是在这一背景下产生的本论文主要讨论了基于MOTOROLA芯片组的GSM900／1800双频段数字移动射频电路的设计GSM移动射频电路的设计涉及电路理论、传输线理论、电路调试、GSM标准、仪表使用、安装工艺、CAD软件应用等多方面的知识，在移动设计中，射频电路属于较难的一部分。

由于工作频率的增加会使电路板的分布参数的影响越来越大，理论计算与实际调试之间的差异也会加大因此，射频电路设计曾经被称为“黑色艺术”GSM900/1800双频移动射频电路设计,—LOGO—,,,沁砚6010射频功率放大器输出功率(dBm)/输入控制电压,—LOGO—,,,超高频RFID读写器射频电路设计,射频识别技术(RFID)是一项利用射频信号通过空间耦合实现无接触信息传递,并通过所传递的信息达到识别目的的技术其中超高频RFID技术具有识别距离远、传送数据速度快、可靠性强和寿命高等特点,得到了世界各国的重视和各大企业的青睐本文基于ISO 18000-6C对902~928MHz频段RFID读写器射频电路进行分析和设计在理论分析阶段,对读写器射频收发电路原理进行了详细分析基于ISO 18000-6C提出了,发送电路采用通断键控调制的体系结构,接收电路采用双通道零中频体系结构然后利用EDA工具(ADS仿真软件)对读写器射频收发电路进行S参数仿真、谐波仿真、包络仿真和瞬时仿真,验证了读写器收发电路理论的正确性—LOGO—,,,读写器向标签通信射频包络,—LOGO—,,所属学科：,,图片来源：,孙甲. 超高频RFID读写器射频电路设计 , 2009>>查看本文图片摘要,读写器包络标签载波电平,图 2-2 读写器向标签通信射频包络（7）读写器上电和下电波形读写器上电和下电射频包络应符合图2-3和表2-4规定。

若载波电平上升10%以上，则上电包络应单调上升直至波纹限制 M1读写器不能在表 2-4 所示的最大稳定时间间隔结束之前(即在 Ts 之前)发送命令若载波电平下降 90%以下，则下电包络应单调下降直至断电限制 Ms若电源已经关闭，则必须至少在 1 毫秒钟之后才能再次启动读写器电源图片上下文：,计算机软件及计算机应用,图片关键词：,—LOGO—,,,读写器上电断电射频包络,—LOGO—,,所属学科：,,图片来源：,孙甲. 超高频RFID读写器射频电路设计 , 2009>>查看本文图片摘要,读写器包络载波电平,图 2-2 读写器向标签通信射频包络（7）读写器上电和下电波形读写器上电和下电射频包络应符合图2-3和表2-4规定若载波电平上升10%以上，则上电包络应单调上升直至波纹限制 M1读写器不能在表 2-4 所示的最大稳定时间间隔结束之前(即在 Ts 之前)发送命令若载波电平下降 90%以下，则下电包络应单调下降直至断电限制 Ms若电源已经关闭，则必须至少在 1 毫秒钟之后才能再次启动读写器电源图 2-3 读写器上电断电射频包络14,图片上下文：,计算机软件及计算机应用,图片关键词：,—LOGO—,,,FHSS读写器射频包络,—LOGO—,,所属学科：,,图片来源：,孙甲. 超高频RFID读写器射频电路设计 , 2009>>查看本文图片摘要,频率图环境图波形读写器包络跳频扩展频谱,第二章 超高频 RFID 系统协议（9）跳频频谱扩展波形当读写器使用跳频扩展频谱(FHSS)发信时，该读写器的射频包络应符合5 和表 2-5 规定。

读写器不可在表 2-5 所示的最大稳定时间间隔结束之前(即s 之前)发出命令跳频时间间隔与跳频期间最小射频关闭时间之间最大时间应符合地方规定要求10）跳频扩展频谱多路化根据标准规定，用于单读写器环境的读写器应符合地方有关扩展频谱多路规定；用于多读写器环境或密集读写器环境的读写器，应按照 FCC 第 47 标 15 部分规定，操作时应具备使其 R=＞T 发信集中于宽度和中心频率如表示的信道内图片上下文：,计算机软件及计算机应用,图片关键词：,—LOGO—,,,多读写器环境下传输信道,—LOGO—,,所属学科：,,图片来源：,孙甲. 超高频RFID读写器射频电路设计 , 2009>>查看本文图片摘要,功率图传输信道信道读写器例外情况功率发送信道,（11）传输规范标准协议规定，按照本协议操作的读写器应符合当地有关信道外和频带外射频发射的规定在读写器环境下操作的读写器除应符合当地规定外还应符下多读写器传输规范：多读写器传输规范：对于在信道 R 和其它 S≠R 信道传输的读写器，信集成功率 P(S)与信道 R 的集成功率 P(R)的比率不应超过：·∣R-S∣=1：10log10(P(S)/P(R))＜-20dB·∣R-S∣=2：10log10(P(S)/P(R))＜-50dB·∣R-S∣=3：10log10(P(S)/P(R))＜-60dB·∣R-S∣＞3：10log10(P(S)/P(R))＜-65dB在上式中，P()表示规定信道中的集成功率。

本规范图示见图 2-6，dBch及基准信道的集成功率的分贝对于发送信道 R，允许两种例外，条件是·这两种例外情况均超过-50 分贝·这两种例外情况均超过地方规定要求,图片上下文：,计算机软件及计算机应用,图片关键词：,,Thank You,,Here add your name,2018/10/7,—LOGO—,。