
电介质物理讲稿固体中的介电弛豫.ppt
47页固体中的介电弛豫———第4,第5章Dielectric Relaxation in Solids, A.K. JonscherChapter 4, “The Dynamic Response of Idealised Physical Models” Chapter 5, “Exprimental Evidence on the Frequency Response” 张冶文 同济大学物理系玻耳固体物理研究所 同济大学电子与信息工程学院l感谢电介质物理专委会让我有机会仔细地重 温这本书,大约在87-88年曾经浏览过l很不容易在一个小时之内讲完成这二章的内 容,只能是粗略地讨论交流,谈谈我自己的理 解与体会假设各位都已经具备电介质物理的 基础知识l该书的描述方式与我们通常的电介质物理的 体系不相同,与我们的理解习惯也不一样,但 自成体系,很有特点,很有价值lFischer,费舍尔,菲舍尔,(前德国外长,奥地利总统,诺 贝尔化学奖得主,影星,音乐家,国际象棋棋手等多人;一种测厚仪品牌 )/47/47第4章 理想物理模型的动态响应l与通常的习惯不同,作者是以简谐振子模型为基 础,从中导出各种物理状况下的极化模型,如偶极 子极化模型(原始的德拜模型),离子跃迁极化模 型等。
l很有特点的是,作者讨论了与介电过程相关的半 导体现象,如肖特基势垒(这通常是仅作为电导与 击穿模型讨论的),如p-n结,如产生-复合过程, 这些通常是不与极化结合讨论的l这样的扩散模型仅仅用单粒子模型是不够的,因 而已经涉及到了多粒子协作系统/47/474.2 谐振子l质量为m,电荷量为-e的质点,恢复力弹性系数 ,阻尼系数ms,外加电场Eexp(it),则运动方程为 :l解这个方程,在振子之间无相互作用的情况下, 极化强度 P=-eNy,P=0E,复极化率 可 以写为:/47/47p即等离子振荡频率,即自由电子气的固有频率 (光频,金属的介电常数问题) 而为无阻尼情况下的谐振子固有频率 /47/47l纵坐标较为特殊;l上升段,惯性不起 主要作用,此时是弛 豫而不是谐振;l下降段,反常色散 ,谐振极化;l负值,表示反相位 移,振子的惯性作用 ,等效于负质量;l表示可以有负的r ;l不同的k值,表示 不同的阻尼系数,大 阻尼时就不存在反常 色散/47/47l当驱动场不是简谐力,而是冲激函数激励时,就不能得到 稳态解,而是时间解l这也就是介质响应函数。
l频域-时域响应的关系,傳里叶变换,实部与虚部构成希 尔伯特对l随时间t的初始上升体现为质量效应,而后,体现为恢复 力和阻尼的作用等效电路:质量——电感阻尼——电阻或者电导惯性力——电容机械位移——电荷/47/47KCl在 7K时的THz范围的复介电系数lTHz,红外与微波重叠的波段,离子位移极化的例子;l用迈克尔逊干涉仪测量;lLO模,(纵向光学模,质点运动沿平衡位置的连线) TO模,(横向光学模,质点运动垂直于平衡位置连线)l电磁波是横波 ,所以TO模的 作用效果明显 ;l由复折射率的 测量得出复介 电系数/47/47阻尼谐振子的极化率复平面l类似于Cole-Cole图 的意义与作用,lk=0.1时,谐振lk=1, 10时,类似于 理想的Debye行为,具 有很大的阻尼,与前面 的讨论相同/47/474.3 有恢复力的无惯性系统l标题中”Intertialess”疑为”Inertialess”,但是有的论文中也能 够见到”Intertialess”l无惯性,即质量为零;此时阻尼,阻力,粘滞占支配地位 ,也等效于Debye的“漂浮”偶极子l但是不能简单地在谐振子方程中令 m=0l可以得出复极化率l实部与虚部分别为:l与德拜的偶极子弛豫形式相同/47/47l同样能够得出类似于Cole-Cole图的半圆l在p=1/时介质损耗最大l在忽略质量的粘性体系中,复极化率的实 部是单调下降的,不同于有惯性情况下的反 常色散/47/474.4 有碰撞的自由电荷载流子l有惯性,有阻尼,无恢复力的谐振子l对应于未定义平衡位置的自由电荷载流子l冲激响应解为l等离子振荡频率,与前面定义的相同l但是,这个解是不可接受的,因为l当t很大时,f(t)趋于一个定值。
这意味着函数激 励产生了永久极化,这是不可能的/47/47l对于冲激激励,合理的趋势应该是响应函数在长 时间后消失为零l因此,人为地将响应函数“纠正”为:l与无惯性的表达式相比,明显地多了负号l这样,能够得出极化率的实部为负值l相应的复介电系数的实部为l在 时,介电系数为0,/47/47l在此以下的频率, 介电系数为负值,折 射率n为纯虚数,电 磁波不能够传播l类似于导体的行为 ,等效的交流电导率 上升l可以理解为金属在 较低的频率下的介电 系数为负值/47/474.5 在粘性流体中的偶极子漂浮l与Debye原创的弛豫讨论相同l无惯性,无质量,有阻尼;因而,无谐振,无反常色散零频率时,与无相互 作用的偶极子弱取向 极化关系相同,频率 关系与无惯性的谐振 子相同/47/47l损耗峰值:l损耗峰值与频率:(a) 单一活化能的德拜体系的损耗频率关系,(b) 多活化能体系的损耗峰的温度关系 /47/474.6 双势阱电荷跃迁l即热离子松弛极化,为 时间响应比较慢的位移极 化l在玻璃类的物质中比较 常见l与Debye弛豫形式很相 似/47/474.7 半导体中的介电现象l本节为该书的独特之处l电子与离子型的半导体在THz以下不显示为介电行 为,这是所讨论的极限l在较低频率下,电导损耗(0/)占支配地位l例如,硅,约200GHz时,’=”;高阻硅,也不低 于MHzl介电行为适合于自由载流子,红外范围,高碰撞率l界面特性比体特性更为重要l绝缘的肖特基势垒,p-n结占重要地位,在此区域内 ,载流子耗尽,剩下的晶格表现为介电特性/47/47l将耗尽区考虑为由其晶格决定纯实数的介电材料 ,l慢响应过程决定其介质损耗l空间电荷弛豫,s=0/,在MHz到GHz范围l在p-n结中,入陷-脱陷过程l对于离子晶格,载流子的慢跃迁过程/47/47l本征半导体,价带 对于电子电导无贡献l掺杂半导体有共聚 物重要的意义lW~0.01-0.05eV ,很小,在常温下的 热能—热离子极化l平衡态密度,费米 -狄拉克统计,费米 能级,1/2几率/47/47肖特基势垒与p-n结l(a) 势能图,肖特基 势垒宽度l1与l2,注意 坐标与单位。
l(b) 自由载流子密度 分布图,横轴为空间 电荷位置坐标,l为密 度的侧向位移,阴影 为空间电荷l宽度:/47/47l1eV时,大约在1nm~10µm,电容大约为0.1F/m2l金属-半导体界面问题在1930年代第一次得到解 释,称为肖特基势垒l单位面积上的表面电荷 eNll单位面积上的电容l 考虑到半导体的体电阻,可以用串联RC等效电 路表示,类似于理想的Debye体系/47/47p-n结的空间电荷分布与能级图l与外加电压的关系l偶极现象所导致的复 电容l的量级,典型的本 征值:10-11s;而电导 所导致的“介电”现象, ms量级/47/47问题?l为何在这里不涉及内电场Ei?/47/47第5章 频率响应的实验证据l传统的方式是线性的”与’-对数频率l而对数-对数坐标能够展现更丰富的信息l线性的Cole-Cole图是非常不敏感的l不是针对特定的材料进行讨论,而是从整个材料特 性中抽取出一类响应与物理机制l除去一些次要的细节之后再进行讨论研究,how dielectrics should respond, instead of how they do respond. (预计介质所应该作出的响应——即使他们实际上并不那么响 应)l讨论介质行为的共同模式/47/475.2 似德拜响应l很少例子能够明确 表示理想的德拜响应l与图3.23比较l对数斜率-2与-1l归一化值与理论德 拜响应非常一致l学会运用实验数据 的分析与处理,在论 文中避免直接列出实 验数值最接近德拜响应的一个例子:磷酸二氢 铯铁电单晶的介电谱,居里温度点/47/47第3.7节的内容回顾l复介电系数频率谱 用双对数座标表示, 其斜率体现了弛豫的 物理机制lCole-Cole关系:l为用双对数座标 表示的斜率/47/47水在20ºC的介电谱分析l实部已减去 =3.80l它违背了真实 的德拜关系l而通常水是被 认作典型的德拜 介质/47/47冰的介电损耗谱lc-轴,238.1Klc-轴,201.5Kl垂直于c-轴,235.9Kl垂直于c-轴,202.6Kl”m,fm,损耗峰值/47/47冰的Cole-Cloe图lc-轴,不同温度l峰值在约几kHzl在约231K(~-42ºC) 时峰值频率最低, ~0.1kHzl温度越高,图形越 圆, (~-3ºC),电荷 载流子的传输类 型/47/47p-n结的复电容频谱l包含少量深陷阱的硅 p-n结l空间电荷层的宽度是 变化的,因此难以给出 介电系数,故以复电容 表示l低频下很大的电导损 耗l归一化的损耗,斜率 能够得出活化能/47/475.3 展宽与不对称的偶极损耗峰l主要是针对有机介质与聚合物介质lTricyclohexl carbinol (TCHC,三环己烷甲醇), 109-1011Hz,归一化的,/47/47聚合物材料的介电谱l玻璃化温度对应于松 弛lpolyvinyl acetate (聚乙 烯乙酸酯,PVAc)l纵坐标为线性座标,类 德拜的1/T行为l还有很多类似相关的例 子/47/47lpolyethyl methacrylate (聚甲 基丙烯酸乙酯 )l极化弛豫机制与温 度相关/47/47有效温度与频率窗l可观察的活化能 ,0.3-1.0eV/47/47低温下的偶极响应l轻微氧化的 polyethylene (PE,聚乙烯)l(a) 1.24- 17.1K, (b) 4.8- 0.029Kl临界温度在 0.2K,德拜宽 度在1.144l有轻微的不 对称/47/475.4 p-n结的介电行为l归一化,硅n+-p,0.7MeV电子轰击,80-293Kl三个损耗峰/47/475.5 没有损耗峰的介电响应l电导而不是真正的介电损耗l氟化铅,活化能0.25eV,约为直流电导活化能 的一半/47/47lsodium betha alumina 单晶,没有可检测到直流 电导,20-300Kl减去了,归一化,为了能够看到所有温度下的 损耗峰,基本上与温度无关l活化能0.13-0.17eV/47/475.6 强低频色散l氧化铝单晶,在低频有强色散与缓变化电导,“低 温”为873K!离子电导引起,/47/47离子导体Hollandite(锰钡矿,碱硬锰矿)l在高温下强烈的低 频色散l(b)在强烈色散范围 内的两个温度下的复 阻抗,非直流电导型/47/47不同的活化能产生不同的弛豫过程l强烈色散类似于直流电 导,高频部分源于局域的 电荷跃迁“类偶极子”l(a)串联组合,高色散的 串联部分(表面),低色 散的并联部分(体积)l(b)并联组合,两种不色 散机制的单一体材料/47/475.7 与频率无关的损耗lSi3N4陶瓷,MgO/Si3N4陶瓷,Sialon Si2Ai4O4N4 陶瓷,室温,可见的低频色散,而在高频区与频率 无关,直至微波10GHz/47/47l离子导体锰钡矿的 复介电频谱,双对数 ,温度关系l与频率的关系很小/47/475.8 不同弛豫机制的叠加lpolyvinylidene difluoride (聚偏二氟乙烯,PVDF)l多种弛豫机制的组合,强低频色散,变斜率损耗峰,低温 高频下平坦的损耗(即与频率无关的损耗)l该图未标明晶相,PVDF的性能与晶相关系很大,铁电性/47/475.9 频率响应信息的小结/47/47问题?l再次谢谢各位!/47/47。
