带关断的低温漂CMOS带隙基准电压源.doc

CR0508三带关断的低温漂CM%隙基准电压源一•概述采用CMOS技术设计的带隙式电压基准源，输出电压为： VREF=1.29371V其设计思想是利用 PTAT电流产生的正温度系数电压与晶体管的射基级负温度系数电压相加，来产生理论上温度系数可为零的高精度高稳定性基准电压 另外还设计了一种快速启动电路使得芯片能够很快进入工作状态二•特性在 Vdd = 5V,T = 27 C 时，输出电压Vref=1.29371V静态电流lq=21.3uA输出电压漂移18.8ppm温度漂移25.8ppm电源抑制比PSRR = -76dB三•应用适用于需要高精度高稳定性的参考电压应用场合下，范围非常广 四•引脚说明名称说明I/O方向功能备注Vdd电源输入电源2.0-5.5VGnd参考地输入参考地SHUTDOWN关断输入高电平有效，进入低功耗状态， 低电平电路正常工作VREF基准输出输出输出基准参考电压五.电气参数没特殊指明，电源电压为 5V在正常工作模式下:符号参数条件标准限制单位Vdd电源电压52.0V（最小）5.5V（最大）Vref输出电压1.293711.29392VIq静态电流20.320.9uA"Vref/ " Vdd电压漂移4V到5V测试25.827.5ppm"Vref/ " T温度漂移-30 C到125 C测试18.828.8ppmPSRR电源抑制比Vripple =0.707Vrms-76dBIsd关断电流SHUTDOWN为高电平48. 662.3pA六•系统架构图VFFF七.典型工作特性（1） 输出基准电压Vs电源电压（图1）⑵输出基准电压Vs温度（图2）DC RsponM'.29411；：/VREF1.294031.29407^129405L294031.294011.29 邨1.2910宀1,25501.2320「 一融轴.0lamp (C )图2电源抑制比PSRR （图3）-10-213-30-40-50-eo-70-8BW0 1K 1SK W(fraq { Hz }IM（4）电源启动瞬态特性（图4）⑸SHUTDOW启动瞬态特性（图5）1.69i.2»W-rB.K>1.^IJ1,30霞內RfF「- 1r )r 1 「-LBff733m4.93.0挪 2&闪 此.* U.luH 存 £ I )+3*rn -斗 li.Quliriia 4 « h閑.Qu八、工艺：CSMC 0.6 um。