低成本吸顶灯24w非隔离驱动方案cs6581.pdf

CS6581高精度非隔离恒流高精度非隔离恒流 LED 驱动电路驱动电路 本资料适用范围：CS6581AEO/BEO/EO/DEO/EP/FEP 第 1 页 共 8 页 1 概述概述 CS6581 是一款高精度的 LED 恒流控制芯片，应用于非隔离的降压型 LED 电源系统，适合全范围的交流电压输入或者 12V~500V 的直流电压输入；芯片内置 500V 功率MOS，只需很少的外围器件即可实现很高的电流精度芯片工作在电感电流临界模式，系统输出电流不随电感量和 LED 工作电压的变化而变化，具有优异的负载调整率；无需辅助绕组供电，简化设计，降低系统成本 CS6581 集成专利的交流输入电压欠压保护功能， 在交流输入电压过低时系统自动进入打嗝模式，防止在低输入电压时输入电流过大而损坏系统同时芯片还集成了多重保护功能来加强系统的稳定性和可靠性，包括VCC欠压保护，LED开路/短路保护，逐周期限流以及过温保护等，所有保护均具有自动重启功能 其特点如下： ● 边界控制模式，可以提高效率 ● 内置 500V MOSFET ● 低工作电流（4.5us图 2 最小关断时间 CS6581 第 3 页 共 8 页 2.2.6 前沿消隐前沿消隐 由于存在寄生电容，MOSFET 在导通瞬间，会产生一个脉冲电流。

CS6581 内部集成有前沿消隐功能，在 MOSFET 导通的瞬间，设计有 280ns 的前沿消隐时间，在这段时间内，电流比较器停止工作，避免脉冲电流让电流比较器发生误翻转，如下图所示： VCStTLEB=280ns图 3 前沿消隐 2.2.7 输出过压保护输出过压保护 输出过压保护功能可以避免输出电压过高而损坏器件CS6581 利用监测并联在 两端的电阻 RZCD1 和 RZCD2 的分压值实现输出过压保护功能 当 ZCD 电压高于 5.5V 时，芯片触发过压保护功能，关断功率 MOSFETVcc 电压会降到 UVLO 关断电压以下，系统再次启动，直到输出过压状态被解除，系统才开始正常工作输出电压过压保护点通过以下公式来设定： 121 _)(5 . 5ZCDZCDZCD OVPOUTRRRVV+×= 其中： VOUT_OVP为输出电压过压保护点 2.2.8 过温保护过温保护 为了避免温度过高而损坏器件，CS6581 内置过温保护功能当温度高于 160℃，过温保护模块将关断芯片并锁定，直到 Vcc 降到欠压保护关断电压，系统重启系统会不断检测芯片温度，当温度降到 130℃以下，系统重启后才能正常工作。

2. 3 引脚排列图引脚排列图 GNDVCCDRAINCSDRAINZCDGATECS6581CSCS6581 第 4 页 共 8 页 2. 4 引脚说明与结构原理图引脚说明与结构原理图 引脚 符 号 功 能 属性 结 构 原 理 图 1 GND 地 P 2 ZCD 零电流检测 I 3 VCC电源 P 4 GATE 内部高压功率管的栅极 I 5,6 DRAIN 内部高压功率管的漏极 O 7,8 CS 原边电感电流采样端 I 3 电特性电特性 3. 1 极限参数（极限参数（超过极限参数，芯片可能被损坏） 除非特别说明，Tamb= 25℃ 参 数 名 称 符 号 额 定 值 单 位 电源电压 VCC-0.3~30 V 内置高压功率管漏端 VDRAIN-0.3~500 V 内置高压功率管漏端最大 工作电流 IDRAIN0.5~4 A 低压模拟端口（CS，ZCD） -0.3~7 V 功耗 PDMAX0.45 W 热阻 θJA145 ℃/W 工作结温 TJ150 ℃ 储存温度 TSTG-65~150 ℃ ESD（HBM 模型） 3.5 kV CS6581 第 5 页 共 8 页 3. 2 电特性电特性 除非特别说明，Tamb= 25℃ 规 范 值 符 号 参 数 名 称 测 试 条 件 最小典型 最大 单位输入电源部分输入电源部分 VCC_CLAMPVCC钳位电压 Icc=5mA 12.3 V UVLO_ONUVLO 开启电压 VCC上升 8.7 V UVLO_OFFUVLO 关断电压 VCC下降 7.4 V UVLO_HYSUVLO 迟滞电压 1.3 V ICC_OFFVCC关断电流 VCC上升 VCC=10V 70 μA IQVCC静态电流 VCC=10V 无开关动作 0.25 0.5 mA ICC工作电流 开关频率 70kHz 0.5 1 mA 误差放大器误差放大器 VREF电压反馈 输入阈值电压 VCC=10V 592500508 mV GEA误差放大器跨导 80 µA/VVEA误差放大器电压增益 400 V/V零电流检测零电流检测 VZCDLZCD 下降阈值 ZCD 下降 0.3 V VZCDHZCD 上升阈值 ZCD 上升 0.8 V VZCD_OVPZCD 过压保护阈值 5.5 V TOFF_MIN最小关断时间 4.5 μs 转下页 接上页 规 范 值 符 号 参 数 名 称 测 试 条 件 最小典型 最大 单位电流采样电流采样 TLEB电流采样前沿 消隐时间 500 ns TDELAY关断延迟 120250 ns 重启计时器重启计时器 TSTART重启计时器周期 150300 μs 驱动部分驱动部分 V(BR)dss内置 MOSFET 源漏电压 VGS=0V，ID=250uA 500 V 过温保护过温保护 TSD过温关断温度 160 ℃ TSD_HYS过温关断延迟 30 ℃ CS6581 第 6 页 共 8 页 4. 1 ：原理图：原理图4. 2 ：B O M 表1 8 W 驱动电路B O M 表（1 5 0 M A / 1 2 0 V ）：B O M 表1 8 W 驱动电路B O M 表（1 5 0 M A / 1 2 0 V ）CS6581 第 7 页 共 8 页 5 封装尺寸与外形图（单位：封装尺寸与外形图（单位：mm）） 5. 1 CS6581AEO/BEO/EO/DEO Symbol Min. Max. Symbol Min. Max. A 1.350 1.750 E 3.800 4.000 A1 0.100 0.250 E1 5.800 6.200 A2 1.350 1.550 e 1.270 (BSC) b 0.330 0.510 L 0.400 1.270 c 0.170 0.250 θ 0° 8° D 4.700 5.100 5. 2 CS6581EP/FEP CS6581 第 8 页 共 8 页 Symbol Min. Nom. Max. Symbol Min. Nom. Max. A 3.60 3.80 4.00 c1 0.23 0.25 0.27 A1 0.51 - - D 9.05 9.25 9.45 A2 3.00 3.30 3.40 E1 6.15 6.35 6.55 A3 1.55 1.60 1.65 e 2.54BSC b 0.44 - 0.53 eA 7.62BSC b1 0.43 0.46 0.48 eB 7.62 - 9.30 B1 1.52BSC eC 0 - 0.84 c 0.24 - 0.32 L 3.00 - - 产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有毒有害物质或元素 部件名称 铅 （Pb） 汞（Hg） 镉（Cd）六价铬 （Cr+6） 多溴联苯 （PBB） 多溴联苯醚 （PBDE） 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 说明 ○： 表示该有毒有害物质的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。

×：表示该有毒有害物质的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求注意注意 建议您在使用产品之前仔细阅读本资料 希望您经常和有关部门进行联系，索取最新资料，因为产品在不断更新和提高 本资料中的信息如有变化，恕不另行通知 本资料仅供参考，不承担任何由此而引起的损失 不承担任何在使用过程中引起的侵犯第三方专利或其它权利的责任 代理商：深圳市同创利电子有限公司联系人：胡凯 ：0 7 5 5 - 2 9 1 9 3 5 1 8 ：1 3 5 1 0 7 1 4 9 2 6 深圳公司：宝安区西乡大道与宝源路交汇处·中央大道A 座6 C中山分公司：中山市横栏镇顺兴南路君兰豪庭6 8 栋4 0 2。