南京邮电大学模拟电子线路答案-黄丽亚-杨恒新-机械.-2.doc

模拟电子线路作业题参考答案第1章1.1解：（1）cm ，=cm 该半导体为N型2）cm =cm该半导体为P型1.3 解：（1）=53mA (2) =13.2 =0.491.4解：（1）mA （2）mA （3）mA （4） （5）E增加，直流电流增加，交流电阻下降1.6解：(1)在图(a)中，V2导通，V1截止，U0＝5V2)在图(b)中，V1导通，V2截止，U0＝0V3)在图(c)中，V1、V2均导通，此时有1.7解：(1)在图(a)中：当ui＞一2.7V时，V管截止，u0＝一2V；当ui≤一2.7V时，V管导通，u0＝ui+0.7当ui＝5sinωt(V)时，对应的u0波形如图答图1.7(a)所示2)在图(b)中：当ui＞1.3V时，V管截止，u0＝ui；当ui≤1.3V时，V管导通，u0＝1.3V其相应波形如答图1.7 (b)所示答图1.71.9解：该电路为高电平选择电路，即u1、u2中至少有一个为3V，则u0＝3一0.7＝2.3Vu1、u2均为0时，uo＝一0.7V其波形答图1.9(c)所示答图1.91.10解：当ui≥5V时，Vz击穿，u0＝5V当ui≤一0.7V时，Vz正向导通，u0＝一0.7V。

当一0.7V＜ui＜5V时，Vz截止，u0＝ui由此画出的u0波形如答图1.10所示答图1.101.11 解：（1）因为式中，因，所以=0，V 式中 mA,V=18V 选择R应满足：400

当RB2开路时，则有 2.14 解：图（a），输出信号被短路，不能进行电压放大图（b），输入信号被短路，不能进行电压放大图（c），e结零偏，管子截止，不能正常放大图（d），e结零偏，不能进行放大图(e)，会使e结烧坏且输入信号短路，电路不能正常放大图(f)，电路可以正常放大2.17解：（1）不变，不变，故不变斜率变，故变化，若减小，移至，增加，移至 （2）负载线斜率不变，故不变变，不变，故变若，增加，工作点移至，反之，，下降，工作点移至 2.18C1RB 500kRC2kC2T+uo(a)CERE1k(b)题图2.182468101221345610A20A30A40A50A60AuCE/ViCE/mA①②③④0ui+解：（1）输出特性理想化，2）先求工作点 （A），直流负载线，取两点，可得直流负载线如图2.18（b）中①线，工作点Q(V，mA)，交流负载线的斜率为，可得图2.18（b）中②线（交流负载线）3）此时直流负载线不变，仍如图2.14（b）中①线，而交流负载线的斜率为，如图2.18（b）中③线4）为得最大，工作点应选在交流负载之中点将图2.18（b）中③线（=1k）平移使之与直流负载线①线的交点是此交流负载线之中点，即点（V，mA）。

此时，=3V 调节使A，则，解得k2.20解：（1）要求动态范围最大，应满足所以，(2)由直流负载线可知：2.23解：（1）计算工作点和、已知A，则（mA） (V)由以上关系式可以看出，因电路输出端没有隔直电容，负载电阻与工作点有关由上式解得Ｖ而（k），（k）（2）计算源电压放大倍数先画出图2.23电路的小信号等效电路如下图所示ii=ibRCRLrceicioUo++Us+()RoRiRs （3）计算输入电阻、输出电阻k，kibUs+RLRERo+UiRi+RC(b)2.27电路如题图2.27所示，BJT的，，mA，基极静态电流由电流源IB提供，设A，RS=0.15kW,k试计算、和电容C对信号可视为短路ibUoRSCVRL++UoUs+UiIBRiRoRE题图2.27RS解： （mA） （k）其小信号等效电路如图(b)所示k）用辅助电源法可求得输出电阻为 2.29解：其交流通路和小信号等效电路分别如图2.29（b）和（c）,则VRCRERLRSvs++viRiRo+vo(b)RSUs++UiRiRErbeRCRLβibicieioRo(c)图2.29+Uoib 用辅助电源法可求得晶体管共基组态的输出电阻为 2.30 2.34V1V2RBRCRERiRoRL+Ui+Uo题图2.34UCC+UiRBV1V2RERiRi1Ri2RoRCRL+Uo(a)(b)解:（1）该电路的交流通路如图2.34(b)所示。

2）k， k2.36解: (1)交流通路和直流通路分别如题图2.36(b)(c)所示RS+UsRE1R3R4R6RL+UoV1V2(b)UCCV1R2R3R1RE1V2R4R5R6VCC(c)题图2.36R5 (2) V1组成共基电路，V2组成共射电路，信号与电路输入端、输出端与负载、级间均采用阻容耦合方式 (3) R1和R2是晶体管V1的基极偏置电路R1短路将使V1截止 (4) RE1开路，V1无直流通路，则V1截止第3章3.1 解：FET有JFET和MOSFET，JFET有P沟（只能为正）和N沟（只能为负）之分MOSFET中有耗尽型P沟和N沟（可为正、零或负），增强型P沟（只能为负）和N沟（只能为正） 图 (a)：N沟耗尽型MOSFET，=2mA,V 图 (b)：P沟结型FET，=-3mA, V 图 (c)：N沟增强型MOSFET，无意义 ，V3.3解：图 (a)中，N沟增强型MOSFET，因为VV，VV，所以工作在恒流区与可变电阻区的交界处（预夹断状态） 图 (b)中,N沟耗尽型MOSFET，VV，VV，所以工作在可变电阻区。

图 (c)中，P沟增强型MOSFET，VV，VV，所以工作在恒流区 图（d）中，为N沟JFET，VV，所以工作在截止区3.5解(1) 解得：(2) 解得：3.12 第4章4.1解：(1)由题图4.1可得：中频增益为40dB，即100倍，fH=106Hz, fL=10Hz（在fH和fL处，增益比中频增益下降30dB），2)当时，其中f=104Hz的频率在中频段，而的频率在高频段，可见输出信号要产生失真，即高频失真当时，f=5Hz的频率在低频段，f=104Hz的频率在中频段，所以输出要产生失真，即低频失真ω /Mrad/s4.3 402004004040.4ω /Mrad/s0-90-45(b)题图4.3 其相频特性的近似波特图如图4.3(b)所示4.4解：（1）输入信号为单一频率正弦波，所以不存在频率失真问题但由于输入信号幅度较大（为0.1V）,经100倍的放大后峰峰值为0.1×2×100＝20V，已大大超过输出不失真动态范围（UOPP=10V）,故输出信号将产生严重的非线性失真（波形出现限幅状态）2）输入信号为单一频率正弦波，虽然处于高频区，但也不存在频率失真问题。

又因为信号幅度较小，为10m V,经放大后峰峰值为100×2×10＝2V，故也不出现非线性失真3) 输入信号两个频率分量分别为10Hz及1MHz，均处于放大器的中频区，不会产生频率失真，又因为信号幅度较小（10m V）,故也不会出现非线性失真4）输入信号两个频率分量分别为10Hz及50KHz，一个处于低频区，而另一个处于中频区，故经放大后会出现低频频率失真，又因为信号幅度小，叠加后放大器也未超过线性动态范围，所以不会有非线性失真5）输入信号两个频率分量分别为1KHz和10MHz，一个处于中频区，而另一个处于高频区，故信号经放大后会出现高频频率失真同样，由于输入幅度小不会出现非线性频率失真4.6+VCCUo+RB500k RC2k RERL2k C1 10uF RS0.9k C210uF (a)+RS UsRB rbb’Ub’eCb’eCb’cgmUb’eRC//RL +Uo+rb’e(b)Us10uF 解：(1)高频等效电路如题图4.6(b)所示： (1) 利用密勒近似，将Cb’c折算到输入端，即4.7RS+Us+UoUDDRS+UsgmUgsCdsCgd+UgsCgs(a)(b)RD+UoRDT解：（1）高频等效电路如图4.7(b)所示。

1) 在图4.7(b)中，考虑Cgd在输入回路的米勒等效电容，而忽略Cgd在输出回路的米勒等效电容及电容Cds，则上限频率ωH为 第5章5.2 解：图5.2是具有基极补偿的多电流源电路先求参考电流， （mA）则 （mA） （mA） （mA）5.4 解:(1)因为电路对称，所以(2)。