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3页新茂國際科技股份有限公司新茂國際科技股份有限公司 SM89516/89516A/5964/59264 APN SyncMOS Technologies Inc. XTAL FAE 03/12 1SyncMOS SM89516/89516A/5964/59264 XTAL 起振條件之差異起振條件之差異 說明: 說明: 振盪電路可能有不同的晶體振盪器特性¸針對每顆IC的XTAL2 Output Voltage也有差異(請 參考下表),如果要用一顆 Crystal 同時推動 2 顆 IC 時,其需注意 XTAL2 輸出之振幅需大於 4V 以上較為安全 1.此測試條件為在無負載情形下所量測之電壓值(peak to peak) 1.此測試條件為在無負載情形下所量測之電壓值(peak to peak) Part Number Voltage SM89516 SM89516ASM5964 SM59264 W78E65 P89C51RD2 XTAL1(IN) 3.6V 3.8V 3.6V 3.8V 5.0V 4.8V XTAL2(OUT) 4.4V 5V 4.4V 5V 6.5V 6.0V 2.此測試條件為在有負載情形下所量測之電壓值(peak to peak) 2.此測試條件為在有負載情形下所量測之電壓值(peak to peak) Slave(X2) Master(X1) SM5964 W78E65 P89C51RD2 SM89516 3.31V 3.84V SM5964 4.03V 4.59V SM59264 4.25V 4.62V W78E65 6.16V 6.00V P89C51RD2 5.34V 4.94V 2.測試線路 : SyncMOS –使用同一振盪器電路圖 2.測試線路 : SyncMOS –使用同一振盪器電路圖 U18032P2.021P2.122P2.223P2.324P2.425P2.526P2.627P2.728RD17WR16PSEN29ALE/P30TXD11RXD10EA/VP31X119X218RST9P0.039P0.138P0.237P0.336P0.435P0.534P0.633P0.732P1.0/T21P1.1/T2X2P1.23P1.34P1.45P1.56P1.67P1.78INT012INT113T014T115U28032P2.021P2.122P2.223P2.324P2.425P2.526P2.627P2.728RD17WR16PSEN29ALE/P30TXD11RXD10EA/VP31X119X218RST9P0.039P0.138P0.237P0.336P0.435P0.534P0.633P0.732P1.0/T21P1.1/T2X2P1.23P1.34P1.45P1.56P1.67P1.78INT012INT113T014T115Y1 12MHzC122pFC222pF3. 參考波形: 3. 參考波形: 新茂國際科技股份有限公司新茂國際科技股份有限公司 SM89516/89516A/5964/59264 APN SyncMOS Technologies Inc. XTAL FAE 03/12 2Figure 1:SM5964 to W78E65 Figure 2:SM5964 to P89C51RD2 Figure 3: P89C51RD2 to SM5964 Figure 4: P89C51RD2 to W78E65 Figure 5: W78E65 to SM5964 Figure 6: W78E65 to P89C51RD2 新茂國際科技股份有限公司新茂國際科技股份有限公司 SM89516/89516A/5964/59264 APN SyncMOS Technologies Inc. XTAL FAE 03/12 3Figure 7:SM59264 to P89C51RD2 Figure 8:SM59264 to W78E65 Figure9:SM89516 to P89C51RD2 Figure10:SM89516 to W78E65 4.建議: 4.建議: 因為共用同一因為共用同一Crystal需輸出較大之振幅而需輸出較大之振幅而SM89516的的XTAL2 輸出振幅較小輸出振幅較小,有可能會造 成極少部分的有可能會造 成極少部分的 IC起振不良起振不良,如需使用如上圖之線路如需使用如上圖之線路,請用請用 SM89516A及及 SM5964/264 來設計來設計,就不 會有起振不良的情形發生就不 會有起振不良的情形發生. 。












