(完整word版)《半导体集成电路》考试题目及参考答案.doc.docx

(完整word版)《半导体集成电路》考试题目及参考答案.doc 第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、 wafer size、die size、摩尔定律？ 第 1 章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？ 3.简单叙述一下pn 结隔离的NPN 晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅 p 阱 CMOS 的光刻步骤？ 5.以 p 阱 CMOS 工艺为基础的 BiCMOS 的有哪些不足？ 6.以 N 阱 CMOS 工艺为基础的 BiCMOS 的有哪些优缺点？并请提出改进方法。

7.请画出 NPN 晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型 8.请画出 CMOS 反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子 第 2 章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？ 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3.什么是 MOS 晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是 MOS 晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5.消除“ Latch-up ”效应的方法？ 6.如何解决MOS 器件的场区寄生MOSFET 效应？ 7.如何解决 MOS 器件中的寄生双极晶体管效应？ 第 3 章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS 集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些 3.为什么基区薄层电阻需要修正 4.为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线 5.运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200 欧，阻值为 1K 的电阻，已知耗散功率为20W /c ㎡ , 该电阻上的压降为5V, 设计此电阻。

第 4章 TTL 电路 1.名词解释 第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 5.什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6.名词解释：集成度、 wafer size、die size、摩尔定律？ 第 1 章集成电路的基本制造工艺 1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2.在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？ 3.简单叙述一下pn 结隔离的NPN 晶体管的光刻步骤？ 4.简述硅栅 p 阱 CMOS 的光刻步骤？ 5.以 p 阱 CMOS 工艺为基础的 BiCMOS 的有哪些不足？ 6.以 N 阱 CMOS 工艺为基础的 BiCMOS 的有哪些优缺点？并请提出改进方法 7.请画出 NPN 晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型。

8.请画出 CMOS 反相器的版图，并标注各层掺杂类型和输入输出端子 第 2 章集成电路中的晶体管及其寄生效应 1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？ 2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？ 3.什么是 MOS 晶体管的有源寄生效应？ 4. 什么是 MOS 晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响? 5.消除“ Latch-up ”效应的方法？ 6.如何解决MOS 器件的场区寄生MOSFET 效应？ 7.如何解决 MOS 器件中的寄生双极晶体管效应？ 第 3 章集成电路中的无源元件 1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS 集成电路中常用的电阻都有哪些？ 2.集成电路中常用的电容有哪些 3.为什么基区薄层电阻需要修正 4.为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线 5.运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200 欧，阻值为 1K 的电阻，已知耗散功率为20W /c ㎡ , 该电阻上的压降为5V, 设计此电阻 第 4章 TTL 电路 1.名词解释 。