ARRAY-制程TFT等效电路.ppt

ARRAY-ARRAY-制程制程TFTTFT等效电等效电路路Array 制程制程素玻璃素玻璃上光阻上光阻成膜成膜显影显影蚀刻蚀刻曝光曝光基板测试基板测试送至送至Cell厂厂OKNG进行维修进行维修重重复复五五次次（（五五层层膜膜））剥膜剥膜统称黄光统称黄光IVO ConfidentialTFT各层名称各层名称玻璃基板玻璃基板(Glass)(Glass)Gate Gate 电极电极GI - SINxGI - SINxGIN - SINxGIN - SINxGIN – a-SiGIN – a-SiGIN – N+a-SiGIN – N+a-SiS S 电极电极D D 电极电极ITOITO电极电极P-SINxP-SINx第二层第二层第一层第一层第三层第三层第三层第三层第四层第四层第五层第五层IVO ConfidentialPhoto ResistThin FilmGlass  工艺流程工艺流程曝光曝光LightPhoto Mask剥剥膜膜Thin FilmGlass成膜成膜Photo Resist显显影影蚀蚀刻刻IVO ConfidentialTFT等效电路等效电路G(G(栅电栅电极或闸极或闸极极) )GateGate= =G(G(栅电极或闸极栅电极或闸极) )GateGateS(S(源电极源电极) )SourceSourceClcClcGateGate线（栅线（栅线线/ /闸线闸线/ /扫扫描线）描线）DataData线线( (信号线信号线/ /数据线数据线) )S(S(源电极源电极) )SourceSource有源层有源层a - Sia - SiD(D(漏电极漏电极) )DrainDrainCsD(漏电极漏电极)Drain扫描线控制扫描线控制TFT的栅极，来决定的栅极，来决定TFT是否选通，源信号线连接是否选通，源信号线连接TFT的源极的源极对液晶电容进行充电。

当加在对液晶电容进行充电当加在G极和极和S极的电压极的电压Vgs大于阀值电压大于阀值电压Vth时，时，源极和漏极导通，液晶电容充电，源极和漏极导通，液晶电容充电，达到显示效果；当达到显示效果；当Vgs小于阀值电小于阀值电压压Vth的时候，的时候，TFT开关断开，液晶开关断开，液晶电容保持充电电压到下一扫描周期电容保持充电电压到下一扫描周期液晶电容液晶电容储存电容储存电容IVO ConfidentialArray 5PEP 制程简述制程简述1 PEP : Gate电极与电极与Cs(common)线线2 PEP : a - Si 岛岛  (Island)3 PEP : 源源/漏漏 (S/D) 电极电极 4 PEP : 钝化保护层钝化保护层 P-SiNx5 PEP : 象素电极象素电极 ITOIVO Confidential1 PEP : Gate 电极与电极与Cs  (Common) 线线（即（即G线和线和Com线）线）IVO Confidential1PEP俯视图俯视图后续所有剖面图后续所有剖面图是从此处剖开是从此处剖开Gate线线Common线线IVO Confidential1 PEP 剖面图剖面图玻璃基板玻璃基板1.金属膜材料金属膜材料: AL-Nd/Mo2.成膜方式成膜方式 : 溅射溅射(PVD)3.刻蚀方式刻蚀方式: 湿蚀刻湿蚀刻4.作用：扫描电极，作用：扫描电极，控制控制“开关开关”的导通或断开。

的导通或断开Gate线线PVD：物理气象沉积，即非化学反应成膜物理气象沉积，即非化学反应成膜IVO ConfidentialGate线线Common线线1PEP剖面图（剖面图（2））IVO Confidential等效电路等效电路G(G(栅电极或闸极栅电极或闸极) )GateGate电极电极扫描线扫描线CsCsG线，对应剖面图中如下位置：线，对应剖面图中如下位置：Common线，对应剖面图中如下位置：线，对应剖面图中如下位置：IVO Confidential2 PEP : a-si 岛岛 (Island)（（TFT的主要工作层）的主要工作层）（起到（起到“开关开关”的作用）的作用）IVO Confidential2PEP俯视图俯视图IVO Confidential2 PEP 剖面图剖面图1、非金属膜、非金属膜 : 栅绝缘膜栅绝缘膜SiNx ; 半导体半导体                    层层a-Si ; 欧姆接触层欧姆接触层N+ a-Si 2、成膜方式、成膜方式 : 等离子等离子 CVD（（PECVD））3、刻蚀方式、刻蚀方式: 干蚀刻干蚀刻4 、作用：、作用：TFT的工作层（有源层）的工作层（有源层）                 等效电路中的等效电路中的“开关开关”GI-SiNxGIN-SiNxGIN - a-SiGIN – N+a-SiCVD：化学气象沉积，即化学反应方式成膜：化学气象沉积，即化学反应方式成膜IVO Confidential玻璃基板玻璃基板GI-SiNxGIN-SiNx1.GI-SiNx层：层：一次成膜；一次成膜；目的在于阻止目的在于阻止G线和线和S线之间线之间Short.2.GIN-SiNx层：层：二次成膜；二次成膜；一次成膜后，一次成膜后，Array会清理膜上的异物避免会清理膜上的异物避免G线和线和S线线Short，但是一些大，但是一些大的异物可以去除，细小的异物难以去除，因此会有二次成膜，来进一步阻的异物可以去除，细小的异物难以去除，因此会有二次成膜，来进一步阻止止G线和线和S线线Short.2PEP下面两层的作用下面两层的作用IVO ConfidentialGIN - a-Si（（a-Si层）层）GIN – N+a-Si（（N plus层）层）材料及作用：材料及作用：1.N plus层：材料中加入了层：材料中加入了P(磷磷)（提供电子）（提供电子），增大导电性。

增大导电性2.a-Si层：半导体层层：半导体层开关开关”原理：原理：当当G电极提供高电平时，电极提供高电平时，a-Si层中的电子向层中的电子向a-Si的的底层吸附，使底层吸附，使a-Si上层形成正极，上层形成正极，N plus层中层中P的的电子则会向电子则会向a-Si层靠拢，使层靠拢，使a-Si岛能导电，导通岛能导电，导通Source极和极和Drain极，使极，使“开关开关”处于闭合状态，即处于闭合状态，即导通反之，则不导通反之，则不导通G电极无高电平给入时：电极无高电平给入时：正负离子排列杂乱无章正负离子排列杂乱无章+++++++++++----------------+++++++---------++++++++---------+++++++++G电极给入高电平时：电极给入高电平时：a-Si层中负离子向下偏移，由于总电荷为层中负离子向下偏移，由于总电荷为0，，一次正离子向上偏移，一次正离子向上偏移，使使N plus中的负离子向下吸附，正离子向上中的负离子向下吸附，正离子向上吸附因此吸附因此“开关开关”导通导通2PEP上面两层的作用上面两层的作用IVO Confidential等效电路等效电路CsCs有源层有源层a - Sia - Si当有高电平给入时，当有高电平给入时，“开关开关”打开，打开，S极和极和D极导通；极导通；给入低电平时，给入低电平时，“开关开关”关闭，关闭，S极和极和D极断开。

极断开IVO Confidential3 PEP : 源源/漏漏(S/D)电电    极极(Source/Drain) （（S线）线）IVO Confidential3PEP俯视图俯视图IVO Confidential3 PEP剖面图剖面图1.金属膜材料金属膜材料 : Mo/Al/Mo2.成膜方式成膜方式 : 溅射（溅射（PVD））3.刻蚀方式刻蚀方式 : 湿蚀刻湿蚀刻M2                    干蚀刻沟道干蚀刻沟道 (N+a-Si)4.作用：数据电极作用：数据电极     （提供信号，对液晶电容进行充电）（提供信号，对液晶电容进行充电）信号线信号线、源电极、源电极(source(source极极) )漏电极漏电极(drain极极)Source线线Drain极极沟道沟道IVO Confidential等效电路等效电路CsCsD(D(漏电极漏电极) )DrainDrainS(S(源电极源电极) )SourceSource信号信号线线( (数数据线据线) )DataDataS极，对应剖面图中如下位置：极，对应剖面图中如下位置：D极，对应剖面图中如下位置：极，对应剖面图中如下位置：IVO Confidential4 PEP : 钝化保护层钝化保护层 P-SiNx（绝缘层）（绝缘层）IVO Confidential4PEP俯视图俯视图IVO Confidential4 PEP剖面图剖面图1.非金属膜非金属膜 : 钝化层钝化层 P-SiNx 2.成膜方式成膜方式 : 等离子等离子 CVD（（PECVD））3.刻蚀方式刻蚀方式 : 干蚀刻干蚀刻4.作用：阻隔从作用：阻隔从TFT外部来的不純物外部来的不純物,保护保护TFT器件，并起到绝缘的作用。

器件，并起到绝缘的作用钝化保护层钝化保护层IVO Confidential过孔过孔导通导通D极极（（3PEP））和和象素电极象素电极象素电极象素电极ITOITO（（（（5PEP5PEP））））过孔过孔（下文中会讲到）（下文中会讲到）IVO Confidential4PEP 等效电路等效电路CsCs过孔：使漏极过孔：使漏极（（D D极）极）与与ITOITO相连相连IVO Confidential5 PEP : 象素电极象素电极 ITOIVO Confidential5PEP俯视图俯视图IVO Confidential5 PEP剖面图剖面图金属膜材料金属膜材料 : 氧化铟和氧化锡的混合氧化铟和氧化锡的混合                        物物(In2O3、、SnO2)成膜方式成膜方式 :  溅射溅射刻蚀方式刻蚀方式 :  湿蚀刻湿蚀刻象素电极象素电极ITO，，与与CF形成液晶电容，分形成液晶电容，分布在每个布在每个Pixel的方格子中间的方格子中间象素电极（象素电极（ITO层）层）IVO Confidential等效电路等效电路CsCs象素电极象素电极(ITO)IVO Confidential象素电极象素电极液晶液晶共通电极共通电极CFITOArray制作的制作的ITO（象素电极）（象素电极）与与Cell采购的采购的CF（共通电极）（共通电极）之间形成液晶电容。

那么，之间形成液晶电容那么，CF的的Power是如何形成的呢？是如何形成的呢？框胶框胶IVO ConfidentialCF中的中的Power是如何给的是如何给的CF层层Common线线在在Cell厂内，有一个步骤为厂内，有一个步骤为ODF，即为贴框胶在框胶，即为贴框胶在框胶内，加入了导电晶球（类似内，加入了导电晶球（类似于于ACF），当），当CF Bonding上去时，导电晶球被压破，上去时，导电晶球被压破，使使CF和和Common线导通因此因此CF中的中的Power是由是由Common线提供的线提供的通过导电晶球压破，使通过导电晶球压破，使CF和和Common线导通线导通CF与与Common线中线中竖直方向的线竖直方向的线导通导通ITO此处充液晶，此处充液晶，形成液晶电容形成液晶电容IVO ConfidentialArray 5PEP 完整制作过程模拟完整制作过程模拟IVO Confidential1PEP成膜成膜⇒剥离剥离⇒涂光刻胶涂光刻胶 ⇒刻蚀刻蚀⇒曝光曝光⇒显影显影IVO Confidential2PEP成膜成膜⇒剥离剥离⇒涂光刻胶涂光刻胶 ⇒刻蚀刻蚀 ⇒曝光曝光⇒显影显影IVO Confidential3PEP成膜成膜⇒剥离剥离⇒涂光刻胶涂光刻胶 ⇒刻蚀刻蚀 ⇒曝光曝光⇒显影显影IVO Confidential4PEP成膜成膜 ⇒剥离剥离⇒涂光刻胶涂光刻胶 ⇒刻蚀刻蚀 ⇒曝光曝光⇒显影显影IVO Confidential5PEP成膜成膜 ⇒剥离剥离⇒涂光刻胶涂光刻胶 ⇒刻蚀刻蚀 ⇒曝光曝光⇒显影显影IVO ConfidentialThanks！！IVO Confidential 结束语结束语谢谢大家聆听！！！谢谢大家聆听！！！40。