半导体三极管和场效应管的低频小信号模型.docx

本文格式为Word版，下载可任意编辑半导体三极管和场效应管的低频小信号模型 一、晶体三极管的低频小信号模型 在上述条件下，把晶体三极管看成一个双口网络，并把b-e作为输入口，c-e为输出口，则网络外部的端电压和电流关系就是晶体管的输入特性和输出特性如图所示： 可以写成如下关系式：，式中，是各电量的瞬时总量在低频小信号条件下，讨论各变化量之间的关系，对两关系式求全微分得：，式中，代表的变化量部分，则有： 晶体三极管的低频小信号模型如下： 由电路网络理论得出： ，其中，是晶体管输出沟通短路时的输入电阻(动态输入电阻)；是晶体管输入沟通开路时的内电压反馈系数(很小)；是晶体管输出沟通短路时的电流放大系数；是输入沟通开路时的输出电导(晶体管输出电阻的倒数) 由于内电压反馈系数很小，常略而输出电导也很小，输出电阻很大所以，晶体三极管的低频小信号模型如下： 在应用三极管低频小信号模型时应留意： ①只适用于低频小信号条件下； ②变化量或沟通重量，不允许消失直流量或瞬时量符号； ③模型中的参数，与Q点有关，不是固定常数； ④电流源“βib” 方向和大小由ib 打算； ⑤β和rbe可用H参数测试仪测得，而rbe可用公式估算 ：，其中，rbb′为晶体三极管的基区体电阻，约为100～300Ω；VT＝26mV(室温下，是电压的温度档量)；IEQ为放射极静态电流。

rbe公式的推导可参阅《模拟电子技术基础》高教出版社出版，清华高校童诗白，华成英主编(三版) 二、场效应管的低频小信号模型 晶体三极管的低频小信号模型相同，场效应管在低频小信号的条件下，在特性曲线Q点四周的某一小段曲线，同样可以等效成一条直线不管是结型的还是MOS场效应管，由于栅极都不取电流，而漏源之间相当于是电压掌握电压源，所以有如下的低频小信号模型 图中gm：低频跨导，它表征了ΔVGS对ΔiD的掌握力量rds：输出电阻(动态电阻)，通常可忽视受控电流源方向：对6种类型FET都适用 第 1 页 共 1 页。