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二极管课件(马庆坤).ppt

12页
  • 卖家[上传人]:大米
  • 文档编号:609555688
  • 上传时间:2025-05-27
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    • 单击此处编辑母版标题样式,,单击此处编辑母版文本样式,,第二级,,第三级,,第四级,,第五级,,,,*,,,,二极管及其应用,1,.半导体及其特性,3,. 二极管伏安特性,4,. 二极管的主要参数,5,. 二极管的检测,2. 二极管的 结构与类型,6,. 常见的二极管,2,1,. 半导体及其特性,1.1 概念:,半导体:,导电能力介于导体和绝缘体之间的物质典型的半导体有,硅,Si,和,锗,Ge,以及,砷化镓,GaAs,等1.,2,特性,:,(,1,):半导体中带负电的电子和带正电的空穴同时参与导电是区别导体的重要特征2,):纯净半导体称为本征半导体,自由电子、空穴数目相等且常温下数量少,导电能力差3,):半导体的导电能力受温度、光照、磁场、电场等因素影响变化大,称为敏感特性3,1.,3,,P,型半导体和,N,型半导体:,(,1,):纯净半导体中掺入,5,价元素磷,可形成多数载流子为电子、少数载流子为空穴的,N,型半导体;,N,型半导体以电子导电为主2,):纯净半导体中掺入,3,价元素硼,可形成多数载流子为空穴、少数载流子为电子的,P,型半导体;,P,型半导体以空穴导电为主3,):,P,型半导体和,N,型半导体都是电中性的。

      4,1.,4,,PN,结及其特性:,(,1,):,PN,结的形成:,,,在一快纯净半导体中,采用不同的掺杂工艺,使一半形成,P,型半导体,另一半形成,N,型半导体,通过扩散和漂移运动,在交界处会形成一种特殊的薄膜,这种薄膜称为,PN,结2,):特性,,,单向导电性,即电流只能从,P,端流向,N,端,而不能从,N,端流向,P,端5,2. 二极管的 结构与类型,2,.1 结构,:,半导体二极管利用一个,PN,结做成管芯,在,P,区和,N,区两侧各接上电极引线,并将其封装在一个密封的壳体中2,.,2,类型以及适用场合:,按结构,,分类,,点接触型,面接触型,平面型,按材料,,分类,硅,锗,,6,,3,. 二极管的 伏安特性,3.二极管为非线性元件,,硅二极管,V-I,特性,,锗二极管的,V-I,特性,正向特性,反向特性,反向击穿特性,V,th,= 0.5V(,硅),V,th,= 0.2V(,锗),1. 死区电压(门坎电压),2. 开启电压 硅:,0.7V,;,锗:,0.3V,7,4,、二极管的 主要参数,(1) 最大整流电流,I,F,M,(2) 反向击穿电压,V,RB,和最大反向工作电压,V,RM,(3) 反向饱和电流,I,R,(4) 最高工作频率,f,M,,硅二极管,V,-,I,特性,8,5,、,二极管检测,,,极性的判别方法:,,,将万用表置于,R×100,档或,R×1k,档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。

      两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极二极管质量判定方法:正反向电阻越大,质量越好正反向电阻都很大:内部断路,,正反向电阻都很大:内部短路,,,9,6.,常见的二极管,10,11,12,。

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