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存储器的扩展最新,6.4 存储器的扩展,6.4.1 存储芯片的扩展 存储芯片的扩展包括位扩展、字扩展和字位同时扩展等三种情况 1位扩展 位扩展是指存储芯片的字(单元)数满足要求而位数不够，需对每个存储单元的位数进行扩展图6.17给出了使用8片8 K1的RAM芯片通过位扩展构成8K8的存储器系统的连线图存储器的扩展最新,存储器的扩展最新,图6.17 用8K1位芯片组成8K8位的存储器,存储器的扩展最新,2字扩展 字扩展用于存储芯片的位数满足要求而字数不够的情况，是对存储单元数量的扩展图6.18给出了用4个16 K8芯片经字扩展构成一个64K8存储器系统的连接方法图6.18 有16K8位芯片组成64K8位的存储器,存储器的扩展最新,图中4个芯片的数据端与数据总线D7D0相连；地址总线低位地址A13A0与各芯片的14位地址线连接，用于进行片内寻址；为了区分4个芯片的地址范围，还需要两根高位地址线A14、A15经24译码器译出4根片选信号线，分别和4个芯片的片选端相连各芯片的地址范围见表6.6存储器的扩展最新,表6.6 图6.16中各芯片地址空间分配表,存储器的扩展最新,可以看出，字扩展的连接方式是将各芯片的地址线、数据线、读/写控制线并联，而由片选信号来区分各片地址。

也就是将低位地址线直接与各芯片地址线相连，以选择片内的某个单元；用高位地址线经译码器产生若干不同片选信号，连接到各芯片的片选端，以确定各芯片在整个存储空间中所属的地址范围存储器的扩展最新,3字位同时扩展 在实际应用中，往往会遇到字数和位数都需要扩展的情况 若使用lk位存储器芯片构成一个容量为MN位(Ml，Nk)的存储器，那么这个存储器共需要(M/l)(N/k)个存储器芯片连接时可将这些芯片分成(M/l)个组，每组有(N/k)个芯片，组内采用位扩展法，组间采用字扩展法 图6.19给出了用2114(1K4)RAM芯片构成4K8存储器的连接方法存储器的扩展最新,图6.19 字位同时扩展连接图,存储器的扩展最新,图中将8片2114芯片分成了4组(RAM1、RAM2、RAM3和RAM4)，每组2片组内用位扩展法构成1K8的存储模块，4个这样的存储模块用字扩展法连接便构成了4K8的存储器用A9A0 10根地址线对每组芯片进行片内寻址，同组芯片应被同时选中，故同组芯片的片选端应并联在一起本例用24译码器对两根高位地址线A10A11译码，产生4根片选信号线，分别与各组芯片的片选端相连存储器的扩展最新,存储器的扩展最新,存储器的扩展最新,图6.20 6116与8086 CPU的连接,存储器的扩展最新,3存储器与地址总线的连接 前面已经提到，对于由多个存储芯片构成的存储器，其地址线的译码被分成片内地址译码和片间地址译码两部分。

片内地址译码用于对各芯片内某存储单元的选择，而片间地址译码主要用于产生片选信号，以决定每一个存储芯片在整个存储单元中的地址范围，避免各芯片地址空间的重叠片内地址译码在芯片内部完成，连接时只需将相应数目的低位地址总线与芯片的地址线引脚相连片选信号通常要由高位地址总线经译码电路生成地址译码电路可以根据具体情况选用各种门电路构成，也可使用现成的译码器，如74LS138(38译码器)等图6.21给出了74LS138的引脚图，表6.7为74LS138译码器的真值表存储器的扩展最新,图6.21 74LS138引脚,存储器的扩展最新,表6.7 74LS138译码器真值表,存储器的扩展最新,片间地址译码一般有线选法、部分译码和全译码等方法线选法是直接将某高位地址线接某存储芯片片选端，该地址线信号为1时选中所连芯片，然后再由低位地址对该芯片进行片内寻址线选法不需外加逻辑电路，线路简单，但不能充分利用系统的存储空间，可用于小型微机系统或芯片较少时全译码是除了地址总线中参与片内寻址的低位地址线外，其余所有高位地址线全部参与片间地址译码全译码法不会产生地址码重叠的存储区域，对译码电路要求较高部分译码是线选法和全译码相结合的方法，即利用高位地址线译码产生片选信号时，有的地址线未参加译码。

这些空闲地址线在需要时还可以对其他芯片进行线选部分译码会产生地址码重叠的存储区域存储器的扩展最新,6.5 几种新型存储器简介,1闪速存储器(Flash Memory) Flash存储器是1983年由Intel公司首先推出的，其商品化于1988年就其本质而言，Flash存储器属于E2PROM类型，在不加电的情况下能长期保持存储的信息F1ash存储器之所以被称为闪速存储器，是因为用电擦除且能通过公共源极或公共衬底加高压实现擦除整个存储矩阵或部分存储矩阵，速度很快，与E2PROM擦除一个地址(一个字节或16位字)的时间相同存储器的扩展最新,Flash存储器既有MROM和RAM两者的性能，又有MROM、DRAM一样的高密度、低成本和小体积它是目前惟一具有大容量、非易失性、低价格、可改写和较高速度几个特性共存的存储器同DRAM比较，F1ash存储器有两个缺点：可擦写次数有限和速度较慢所以从目前看，它还无望取代DRAM，但它是一种理想的文件存储介质，特别适用于编程的大容量、高密度存储领域 由于Flash存储器的独特优点，在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS，会使得BIOS升级非常方便，在Pentium 微机中已把BIOS系统驻留在Flash存储器中。

Flash存储器亦可用做固态大容量存储器由于Flash Memory集成度不断提高，价格降低，使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能存储器的扩展最新,2. 同步动态存储器SDRAM(Synchronous DRAM) SDRAM是同步动态存储器，又称为同步DRAMSDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据的同时，另一个已准备好读写数据通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提高理论上速度可与CPU频率同步，与CPU共享一个时钟周期SDRAM不仅可用做主存，在显示卡专用内存方面也有广泛应用对显示卡来说，数据带宽越宽，同时处理的数据就越多，显示的信息就越多，显示质量也就越高SDRAM也将应用于一种集成主存和显示内存的结构共享内存结构(UMA)当中许多高性能显示卡价格昂贵，就是因为其专用显示内存成本极高，UMA技术利用主存作显示内存，不再需要增加专门的显示内存，因此这种结构在很大程度上降低了系统成本存储器的扩展最新,3双数据传输率同步动态随机存储器DDR DRAM(Double Data Rate DRAM) 在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，采用延时锁定环(Delay-1ocked Loop)技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据(而不是第一代SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据，“DDR”即“双数据率”的意思)，这样就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍。

由于DDR DRAM需要新的高速时钟同步电路和符合JEDEC标准的存储器模块，所以主板和芯片组的成本较高，一般只能用于高档服务器和工作站上GeForce 256显卡大量采用了DDR存储器做显存，显示效果成倍提升存储器的扩展最新,4接口动态随机存储器DRDRAM(Direct Rambus DRAM) 从1996年开始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定出新一代RDRAM标准，这就是DRDRAM它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令而变，同一组引脚线可以被定义成地址线，也可以被定义成控制线其引脚数仅为正常DRAM的1/3当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加芯片引脚这种芯片可以支持400 MHz外频，再利用上升沿和下降沿两次传输数据，可以使数据传输率达到800 MHz同时通过把单个内存芯片的数据输出通道从8位扩展成16位，这样在100 MHz时就可以使最大数据输出率达到1.6 GB/s存储器的扩展最新,5带高速缓存动态随机存储器CDRAM(Cached DRAM) CDRAM是日本三菱电气公司开发的专有技术，通过在DRAM芯片上集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器Cache和同步控制接口，来提高存储器的性能。

这种芯片使用单一的+3 V电源，低压TTL输入输出电平目前三菱公司可以提供的CDRAM为4 MB和16 MB版本，其片内Cache为16 KB，与128位内部总线配合工作，可以实现100 MHz的数据访问流水线式存取时间为7 ns存储器的扩展最新,6虚拟通道存储器VCM(Virtual Channel Memory) VCM由NEC公司开发，是一种新兴的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRAM中采用它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制在实现高速数据传输(即“带宽”增大)的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM在设计上，系统(主要是主板)不需要做大的改动，便能提供对VCM的支持VCM可从内存前端进程的外部对所集成的这种“通道缓冲”执行读写操作对于内存单元与通道缓冲之间的数据传输，以及内存单元的预充电和刷新等内部操作，VCM要求它独立于前端进程进行，即后台处理与前台处理可同时进行由于专为这种“并行处理”创建了一个支撑架构，因而VCM能保持一个非常高的平均数据传输速度，同时不用对传统内存架构进行“大手笔”的更改采用VCM后，系统设计人员不必再受限于目前令人捉襟见肘的内存工作方式，因为内存通道的运行与管理，都可移交给主板芯片组自己去解决。

存储器的扩展最新,7快速循环动态存储器FCRAM(Fast Cycle RAM) FCRAM由富士通和东芝公司联合开发，数据吞吐速度可达普通DRAM/SDRAM的4倍FCRAM将目标定位在需要极高内存带宽的应用中，比如业务繁忙的服务器以及3D图形及多媒体处理等FCRAM最主要的特点便是行、列地址同时(并行)访问，而不像普通DRAM那样，以顺序方式进行(首先访问行数据，再访问列数据)此外，在完成上一次操作之前，FCRAM便能开始下一次操作为提高内存的数据吞吐速度，FCRAM和VCM采取了截然不同的两种方式前者从内部入手，后者则“内外一齐抓”，在拓宽内存(存储)单元、芯片接口、内存控制器的带宽上下大功夫FCRAM的开发计划自1999年2月初便已开始按照富士通和东芝公司的协议，它们将联合开发64 MB、128 MB和256 MB的FCRAM但和VCM、RDRAM内存技术不同的是，它面向的并不是PC机的内存，而是面向诸如显示内存等其他存储器。