强激光辐照硅材料等离子体机理研究.doc

光学专业毕业论文光学专业毕业论文 [ [精品论文精品论文] ] 强激光辐照硅材料等离子体机理强激光辐照硅材料等离子体机理研究研究关键词：强激光关键词：强激光 等离子体等离子体 单晶硅单晶硅 发射光谱发射光谱 破坏机理破坏机理摘要：脉冲激光烧蚀技术应用领域越来越广泛，但激光与固体相互作用、等离 子体的形成及膨胀等过程尚未完全清楚强激光辐照靶产生的等离子体光谱的 研究，是探索上述过程的有效途径之一本论文主要在单晶硅的光电性质基础 上，利用光谱法分析单晶硅的激光等离子体发射光谱以 Nd：YAG 调 Q 固体激 光器为激发光源，硅作为样品通过改变激光输出能量，在 380nm－1200hm 范 围内观测到激光烧蚀 Si 产生的等离子体发射光谱及空间分布特征在近靶面 5mm 左右的范围内，Si 等离子体的发射光谱主要是连续辐射形成的连续谱和叠 加于连续谱上的分立谱，其中连续辐射主要由电子的韧致辐射和复合辐射产生 并在此基础上分析激光在硅靶材中的热学、力学破坏机理正文内容正文内容脉冲激光烧蚀技术应用领域越来越广泛，但激光与固体相互作用、等离子 体的形成及膨胀等过程尚未完全清楚强激光辐照靶产生的等离子体光谱的研 究，是探索上述过程的有效途径之一。

本论文主要在单晶硅的光电性质基础上， 利用光谱法分析单晶硅的激光等离子体发射光谱以 Nd：YAG 调 Q 固体激光器 为激发光源，硅作为样品通过改变激光输出能量，在 380nm－1200hm 范围内 观测到激光烧蚀 Si 产生的等离子体发射光谱及空间分布特征在近靶面 5mm 左 右的范围内，Si 等离子体的发射光谱主要是连续辐射形成的连续谱和叠加于连 续谱上的分立谱，其中连续辐射主要由电子的韧致辐射和复合辐射产生并在 此基础上分析激光在硅靶材中的热学、力学破坏机理 脉冲激光烧蚀技术应用领域越来越广泛，但激光与固体相互作用、等离子体的 形成及膨胀等过程尚未完全清楚强激光辐照靶产生的等离子体光谱的研究， 是探索上述过程的有效途径之一本论文主要在单晶硅的光电性质基础上，利 用光谱法分析单晶硅的激光等离子体发射光谱以 Nd：YAG 调 Q 固体激光器为 激发光源，硅作为样品通过改变激光输出能量，在 380nm－1200hm 范围内观 测到激光烧蚀 Si 产生的等离子体发射光谱及空间分布特征在近靶面 5mm 左右 的范围内，Si 等离子体的发射光谱主要是连续辐射形成的连续谱和叠加于连续 谱上的分立谱，其中连续辐射主要由电子的韧致辐射和复合辐射产生。

并在此 基础上分析激光在硅靶材中的热学、力学破坏机理 脉冲激光烧蚀技术应用领域越来越广泛，但激光与固体相互作用、等离子体的 形成及膨胀等过程尚未完全清楚强激光辐照靶产生的等离子体光谱的研究， 是探索上述过程的有效途径之一本论文主要在单晶硅的光电性质基础上，利 用光谱法分析单晶硅的激光等离子体发射光谱以 Nd：YAG 调 Q 固体激光器为 激发光源，硅作为样品通过改变激光输出能量，在 380nm－1200hm 范围内观 测到激光烧蚀 Si 产生的等离子体发射光谱及空间分布特征在近靶面 5mm 左右 的范围内，Si 等离子体的发射光谱主要是连续辐射形成的连续谱和叠加于连续 谱上的分立谱，其中连续辐射主要由电子的韧致辐射和复合辐射产生并在此 基础上分析激光在硅靶材中的热学、力学破坏机理 脉冲激光烧蚀技术应用领域越来越广泛，但激光与固体相互作用、等离子体的 形成及膨胀等过程尚未完全清楚强激光辐照靶产生的等离子体光谱的研究， 是探索上述过程的有效途径之一本论文主要在单晶硅的光电性质基础上，利 用光谱法分析单晶硅的激光等离子体发射光谱以 Nd：YAG 调 Q 固体激光器为 激发光源，硅作为样品通过改变激光输出能量，在 380nm－1200hm 范围内观 测到激光烧蚀 Si 产生的等离子体发射光谱及空间分布特征。

在近靶面 5mm 左右 的范围内，Si 等离子体的发射光谱主要是连续辐射形成的连续谱和叠加于连续 谱上的分立谱，其中连续辐射主要由电子的韧致辐射和复合辐射产生并在此 基础上分析激光在硅靶材中的热学、力学破坏机理 脉冲激光烧蚀技术应用领域越来越广泛，但激光与固体相互作用、等离子体的 形成及膨胀等过程尚未完全清楚强激光辐照靶产生的等离子体光谱的研究， 是探索上述过程的有效途径之一本论文主要在单晶硅的光电性质基础上，利 用光谱法分析单晶硅的激光等离子体发射光谱以 Nd：YAG 调 Q 固体激光器为 激发光源，硅作为样品通过改变激光输出能量，在 380nm－1200hm 范围内观 测到激光烧蚀 Si 产生的等离子体发射光谱及空间分布特征在近靶面 5mm 左右的范围内，Si 等离子体的发射光谱主要是连续辐射形成的连续谱和叠加于连续 谱上的分立谱，其中连续辐射主要由电子的韧致辐射和复合辐射产生并在此 基础上分析激光在硅靶材中的热学、力学破坏机理 脉冲激光烧蚀技术应用领域越来越广泛，但激光与固体相互作用、等离子体的 形成及膨胀等过程尚未完全清楚强激光辐照靶产生的等离子体光谱的研究， 是探索上述过程的有效途径之一。

本论文主要在单晶硅的光电性质基础上，利 用光谱法分析单晶硅的激光等离子体发射光谱以 Nd：YAG 调 Q 固体激光器为 激发光源，硅作为样品通过改变激光输出能量，在 380nm－1200hm 范围内观 测到激光烧蚀 Si 产生的等离子体发射光谱及空间分布特征在近靶面 5mm 左右 的范围内，Si 等离子体的发射光谱主要是连续辐射形成的连续谱和叠加于连续 谱上的分立谱，其中连续辐射主要由电子的韧致辐射和复合辐射产生并在此 基础上分析激光在硅靶材中的热学、力学破坏机理 脉冲激光烧蚀技术应用领域越来越广泛，但激光与固体相互作用、等离子体的 形成及膨胀等过程尚未完全清楚强激光辐照靶产生的等离子体光谱的研究， 是探索上述过程的有效途径之一本论文主要在单晶硅的光电性质基础上，利 用光谱法分析单晶硅的激光等离子体发射光谱以 Nd：YAG 调 Q 固体激光器为 激发光源，硅作为样品通过改变激光输出能量，在 380nm－1200hm 范围内观 测到激光烧蚀 Si 产生的等离子体发射光谱及空间分布特征在近靶面 5mm 左右 的范围内，Si 等离子体的发射光谱主要是连续辐射形成的连续谱和叠加于连续 谱上的分立谱，其中连续辐射主要由电子的韧致辐射和复合辐射产生。

并在此 基础上分析激光在硅靶材中的热学、力学破坏机理 脉冲激光烧蚀技术应用领域越来越广泛，但激光与固体相互作用、等离子体的 形成及膨胀等过程尚未完全清楚强激光辐照靶产生的等离子体光谱的研究， 是探索上述过程的有效途径之一本论文主要在单晶硅的光电性质基础上，利 用光谱法分析单晶硅的激光等离子体发射光谱以 Nd：YAG 调 Q 固体激光器为 激发光源，硅作为样品通过改变激光输出能量，在 380nm－1200hm 范围内观 测到激光烧蚀 Si 产生的等离子体发射光谱及空间分布特征在近靶面 5mm 左右 的范围内，Si 等离子体的发射光谱主要是连续辐射形成的连续谱和叠加于连续 谱上的分立谱，其中连续辐射主要由电子的韧致辐射和复合辐射产生并在此 基础上分析激光在硅靶材中的热学、力学破坏机理 脉冲激光烧蚀技术应用领域越来越广泛，但激光与固体相互作用、等离子体的 形成及膨胀等过程尚未完全清楚强激光辐照靶产生的等离子体光谱的研究， 是探索上述过程的有效途径之一本论文主要在单晶硅的光电性质基础上，利 用光谱法分析单晶硅的激光等离子体发射光谱以 Nd：YAG 调 Q 固体激光器为 激发光源，硅作为样品通过改变激光输出能量，在 380nm－1200hm 范围内观 测到激光烧蚀 Si 产生的等离子体发射光谱及空间分布特征。

在近靶面 5mm 左右 的范围内，Si 等离子体的发射光谱主要是连续辐射形成的连续谱和叠加于连续 谱上的分立谱，其中连续辐射主要由电子的韧致辐射和复合辐射产生并在此 基础上分析激光在硅靶材中的热学、力学破坏机理 脉冲激光烧蚀技术应用领域越来越广泛，但激光与固体相互作用、等离子体的 形成及膨胀等过程尚未完全清楚强激光辐照靶产生的等离子体光谱的研究， 是探索上述过程的有效途径之一本论文主要在单晶硅的光电性质基础上，利 用光谱法分析单晶硅的激光等离子体发射光谱以 Nd：YAG 调 Q 固体激光器为 激发光源，硅作为样品通过改变激光输出能量，在 380nm－1200hm 范围内观测到激光烧蚀 Si 产生的等离子体发射光谱及空间分布特征在近靶面 5mm 左右 的范围内，Si 等离子体的发射光谱主要是连续辐射形成的连续谱和叠加于连续 谱上的分立谱，其中连续辐射主要由电子的韧致辐射和复合辐射产生并在此 基础上分析激光在硅靶材中的热学、力学破坏机理《《《特别提醒》 》 》：正文内容由 PDF 文件转码生成，如您电脑未有相应转换 码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 如还不能显示，可以联系我 q q 1627550258 ，提供原格式文档。

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