薄膜无源集成器件产业发展行动指南.docx

薄膜无源集成器件产业发展行动指南提升智能化水平引导企业搭建数字化设计平台、全环境仿真平台和材料、工艺、失效分析数据库，基于机器学习与人工智能技术，推进关键工序数字化、网络化改造，优化生产工艺及质量管控系统，开展智能工厂建设，提升智能制造水平一、 进入电子元器件行业的主要壁垒（一）电子元器件行业技术壁垒随着通信设备高频化、小型化发展趋势，下游市场对微波无源元器件及薄膜集成产品的高集成度、高可靠性、高频率、高Q值、高介电常数、高精度、高耐电压、尺寸微型化等方面提出了更高的技术要求，需要上游厂商从原材料配方、生产工艺、质量控制到售后服务做好一系列的技术性措施，在短时间内根据客户的要求进行产品的研发、试制、生产、认证，并不断推出适应市场需求的新型产品因此要求微波无源元器件制造企业拥有深厚的技术实力、经验丰富的研发团队，这给市场的新进入者形成了较高的技术门槛二）电子元器件行业人才壁垒以技术和工艺为主要驱动力的微波无源元器件行业，需要汇集电子、材料、化学等不同领域的专业技术人才来保持行业技术的先进性，需要经验丰富的管理人才来提高运营效率随着行业需求的不断迭代、技术趋势的快速发展，研发团队需要在实践过程中不断学习积累，才能保持其在业内的技术地位。

因此，对于新进入该行业的企业，需要一定的时间才能积累足够多的优秀人才，并经过长期的磨合才能形成一支优质的人才团队三）电子元器件行业客户认证壁垒微波无源元器件的指标性能直接影响整机产品的可靠性，因此微波无源元器件需要经过较长时间的试验周期，以确保电子元器件与整机的匹配性民品客户通常考察供应商的产能、交期及新工艺的研发能力，一旦认定为合格供方，电子元器件生产商与整机产品生产商一般保持相对稳定的长期合作关系综上，微波无源元器件行业对新进入者构成较高的客户认证门槛四）电子元器件行业资金壁垒行业产品采用电子陶瓷工艺与半导体薄膜工艺相结合的生产工艺，需要精密的专用设备和检测设备，关键生产环节的设备大多价格昂贵，因此生产线建设需要大量资金投入，属于资金密集型行业本行业对于新进入市场的生产厂家而言，存在一定的资金壁垒二、 促进行业质量提升（一）加强标准化工作加强关键核心技术和基础共性技术的标准研制，持续提升标准的供给质量和水平引导社会团体加快制定发布具有创新性和国际性的团体标准鼓励企事业单位和专家积极参与国际标准化活动，开展国际标准制定二）提升质量品牌效益优化产品设计、改造技术设备、完善检验检测，推广先进质量文化与技术。

引导企业建立以质量为基础的品牌发展战略，丰富品牌内涵，提升品牌形象和影响力开展质量兴业、品牌培育等活动，定期发布质量品牌报告三）优化市场环境引导终端企业优化电子元器件产品采购模式，倡导优质廉价，避免低价恶性竞争、哄抬价格、肆意炒作等非理性市场行为，推动构建公平、公正、开放、有序的市场竞争环境三、 电子元器件细分产品的行业发展概况行业细分产品包括微波芯片电容器、薄膜电路、薄膜无源集成器件、微波介质频率器件其中微波芯片电容器包括微波瓷介芯片电容器和微波硅基芯片电容器，其中微波瓷介芯片电容器是微波高频领域的关键基础元器件，电子对抗、卫星通信等高端装备配套的T/R组件、功率模块等具体场景，在民用方面配套于5G通信、光通信等领域的5G基站射频模块、光通信TOSA/ROSA模块等具体场景；微波硅基芯片电容器是一种新兴产品，除可以应用于以上微波毫米波领域外，还可以应用于汽车电子、5G通信、光通信领域和医疗电子等民用领域薄膜电路是高频微波电路的载板，普遍应用于军、民用领域需要高频微波电路的场景薄膜无源集成器件是5G基站射频模块的配套元器件，与微波芯片电容器一同应用于5G基站射频模块中微波介质频率器件主要应用于武器装备的精确制导领域，该产品已经在相关型号导弹等国防重大装备或国家航空航天重点工程中应用。

一）微波瓷介芯片电容器行业发展概况微波瓷介芯片电容器是陶瓷电容器的主要类别之一，采用光刻、磁控溅射的半导体薄膜工艺制备而成，具有微波特性优良、尺寸小、厚度薄、等效串联电阻低、损耗低等优点，应用频率可高达100GHz，而且适应微组装的键合工艺，成为雷达、微波模块和光电器件等和民用微波设备不可或缺的电子元件1、全球微波瓷介芯片电容器市场近年来，移动通信技术从4G时代逐渐发展到5G时代，频段越来越高，支持的应用越来越丰富5G时代的到来将搭建大量的宏基站和微基站，基站数量的快速增长将拉动微波瓷介芯片电容器的市场需求同时，雷达、电子对抗设备等新型武器装备以及光通信器件等对微波瓷介芯片电容器的需求也呈现大幅增长态势据统计，微波瓷介芯片电容器2021年全球市场规模约为39．72亿元，同比增长15．10%，预计到2025年将达到70．31亿元，2021年-2025年的平均增长率约为15．55%全球微波瓷介芯片电容器生产企业主要集中在日本、美国、中国大陆以及欧洲，行业集中度较高自从京瓷收购美国AVX后，日本以58．60%的市场份额在单层瓷介电容器行业占据霸主之位美国排名第二，占比约为19．50%，欧洲在全球微波瓷介芯片电容器行业也占有一席之地。

我国从事微波瓷介芯片电容器研发和生产的供应商主要有宏明电子、天极科技、宏达电子、振华云科等数家，相对于国际知名厂商生产规模均不大，其中宏明电子和天极科技，分别以3．10%和2．20%的市占率在全球市场取得一席之地2、中国微波瓷介芯片电容器市场近两年，在国内5G通信行业快速发展以及武器装备更新换代的双重拉动下，微波瓷介芯片电容器国内市场规模增长形势较好据统计，微波瓷介芯片电容器2021年达到12．42亿元，到2025年将达到24．27亿元，2021年至2025年的平均增长率约为18．73%在现有产业规模下，我国本土微波瓷介芯片电容器生产企业仍有很大的空间在中国市场微波瓷介芯片电容器品牌厂商中，美日厂商占有率超过70%，主要是部分国内本土企业尚未突破上游晶界层型3类瓷的研发制备技术，而且量产技术积累不足但国内微波瓷介芯片电容器骨干企业不断加大研发投入并积极扩产，本土企业不断通过技术创新，已在微波瓷介芯片电容器的关键材料晶界层陶瓷材料的研发生产上取得重大技术突破，所制备的晶界层陶瓷材料的各项性能指标已可跟国外领先厂商相媲美，逐步抢占市场份额二）薄膜电路行业发展概况混合集成电路是集成电路的重要门类，按照制作工艺不同，可分为厚膜混合集成电路、薄膜混合集成电路。

薄膜混合集成电路更适合于要求精度高、稳定性能好的微波电路，主要应用于光通信、微波通信等领域1、全球薄膜集成电路市场薄膜混合集成电路以其高精度及良好的稳定性用于微波电路，主要面向高端领域近几年移动通信技术从4G时代逐渐发展到5G时代，频段越来越高5G通信需要搭建大量的宏基站、微基站，基站数量的快速增长拉动光通信模块行业、工业互联网、安防监控领域等领域的发展，进而拉动这些领域对薄膜混合集成电路的需求此外，随着自动驾驶商业化加速，将会极大拉动汽车对薄膜混合集成电路的需求据估算，薄膜混合集成电路2021年全球市场规模约为178．83亿元，同比增长10．40%，约占全球混合集成电路市场规模的14．96%预计到2025年，全球薄膜混合集成电路市场规模可达到237．63亿元，2021-2025年复合增长率约为7．40%2、国内薄膜集成电路市场国内薄膜混合集成电路发展较晚，相对厚膜混合集成电路生产的企业较少，主要为一些科研院所，2018年之前中国薄膜混合集成电路市场长期依赖进口，欧美品牌的薄膜混合集成电路产品占据中国市场绝大部分份额2018年受中美贸易关系影响，国内下游企业认识到产品自主可控的重要性，开始积极寻求国内混合集成电路供应商，逐渐认可国内薄膜混合集成电路企业的品牌和技术实力。

薄膜混合集成电路2021年国内市场规模为35．96亿元，约占国内混合集成电路市场规模的12．73%，同比增长11．80%随着国产化高速推进及国内下游微波市场的高速增长，预计到2025年国内市场规模可达到50．10亿元，2021-2025年复合增长率为8．62%三）薄膜阻容网络随着电子设备不断向小型化、轻量化等方向发展，薄膜阻容网络是一种基于无源集成技术逐渐兴起的新型元器件目前在全球范围内，只有AVX等少数企业提供同类产品，国内仅有振华科技、中电科03等少数科研单位和企业研制生产发挥行业在介质材料、基片制造、薄膜制备、金属化工艺、高精度光刻等优势，成功研发该产品，目前主要应用于5G通讯设备的射频模块该产品目前尚无公开披露的行业市场规模情况根据其下游应用场景来看，未来5年是5G基站射频器件更新换代的高峰，5G时代基站射频器件的市场空间将超过500亿，未来三年内我国5G基站新建总数为162．7万，2025年总数将达362．7万，未来建设总量仍有较大空间，将进一步带动薄膜阻容网络的市场需求行业薄膜阻容网络作为射频模块关键基础元器件，随着5G基站快速发展内呈现爆发式增长，销售金额分别为0．53万元、956．04万元、1，850．98万元和1，408．88万元，2019年至2021年的复合增长率高达58．10%。

四）微波硅基芯片电容器IPD（IntegratedPassiveDevices集成无源器件）是一种基于薄膜的集成无源器件技术，其本质是基于硅或玻璃的无源器件集成技术，是为了迎合无源系统小型化而产生的技术，具有布线密度高、体积小、重量轻、集成度高，可集成多种器件实现不同功能、高频特性好及可用于微波及毫米波领域等优点随着半导体制造能力的提升，从亚微米进入到纳米阶段，主动式电子元件的集成度随之大幅提升，相应的搭配主动式元件的无源集成元件需求量也迅速增加据统计，随着通信系统使用的无源元件越来越多，目前电子元件基本采用表面贴装方式，占据着90%多的系统元件、80%多的系统电路板面积其中硅基集成无源器件是在硅基板上利用晶圆代工厂的工艺，采用光刻技术蚀刻出不同图形，形成不同的器件，从而实现各种无源元件如电阻、电容、电感、滤波器、耦合器等的高密度集成，这种方式可以节省电路板空间，实现电性能更好、成本更低、IP保护、产品链供应和可靠性更好一方面，通信设备的小型化、高性能、低成本等要求将推动硅基集无源器件市场呈现出巨大商机；另一方面，对于无线通信的下一代技术，需要支持更高的频段，以推动对其他微型组件的需求，而IPD可以为小型化提供了经济高效的解决方案，将增加IPD技术在电路中的采用；此外，硅基集成无源器件的集成将有助于减少电信基础设施产品的尺寸和功耗，因此在开发与5G兼容的滤波器和双工器等射频模块产品过程中运用硅基集成无源器件和IPD技术至关重要。

集成无源器件（IPD）市场预计将在2031年达到约40亿美元，预计年复合增长率为10%处理器的嵌入式去耦电容（即硅基电容器）是采用IPD技术、通过先进3D集成实现的一类元器件《中国电子元器件十四五发展规划》提出加快硅电容器等采用半导体工艺的尖端电容器技术的研发和产业化进度硅电容器作为尖端电容器，具有更小的介质损耗、更好的温度稳定性、更高的使用频率（最高可达100GHz以上）等优点预计2031年全球硅电容器的销售额将达到26．50亿美元四、 深化国际交流合作落实一带一路倡议，拓展电子元器件产业国际交流合作渠道，加强与相关国际组织、标准化机构等交流沟通，推动与国际先进技术及产业链对接推动电子元器件产业国内国际相互促进，鼓励全球领先企业来华设立生产基地和研发机构，支持骨干企业开拓海外市场，与境外机构开展多种形式的技术、人才、资本等合作，构建开放发展、合作共赢的产业格局五、 加大政策支持力度围绕电子元器件产业，推动生产、应用、融资等合作衔接，加快市场化推广应用充分利用产业基础再造等渠道支持创新突破鼓励制造业转型升级基金等加大投资力度，引。