multisim元器件参数详解精编版.docx

multisim元器件参数详解集团企业公司编码:(LL3698-KKI1269-TM2483-LUI12689-ITT289-型 参 数电 阻 模R?电阻倍率因子TC1?线性温度系数TC2?二次温度系数电議型缈C?电容倍率因子VC1?线性电压系数VC2?二次电压系数TC1?线性温度系数TC2?二次温度系数电鹹型缈L?电感倍率因子IL1?线性电流系数IL2?二次电流系数TC1?线性温度系数TC2?二次温度系数二极管媲缈IS?饱和电流RS?寄生串联电阻N?发射系数TT?渡越时间CJO?零偏压PN结电容VJ?PN结白建电势M?PN结剃度因子EG?禁带宽度XT1?IS的温度指数FC?正偏耗尽层电容系数BV?反向击穿电压(漆点电压)IBV?反向击穿电流(漆点电流)KF?闪烁躁声系数AF?闪烁躁声指数双极晶体管(三极管)IS传输饱和电流EG禁带宽度XTI (PT) IS的温度效应指数BF正向电流放大系数NF正向电流发射系数VAF (VA)正向欧拉电压IKF (IK)正向漆点电流ISE (C2 ) B-E漏饱和电流NE7B-E漏饱和电流BR反向电流放大系数NR反向电流发射系数VAR (VB)正想欧拉电压IKR?反向漆点电流ISCC47B-C漏饱和电流NC?B-C漏发射系数RB?零偏压基极电阻IRB?基极电阻降致RBM/2时的电流RE?发射区串联电阻RC?集电极电阻CJE?零偏发射结PN结电容VJEPE?发射结内建电势MJEME?集电结剃度因子CJC?零偏衬底结PN结电容VJCPC?集电结内建电势MJCMC?集电结剃度因子XCJCCbe?接至内部Rb的内部CJSCCS?零偏衬底结PN结电容VJSPS?衬底结构PN结电容MJSMS?衬底结剃度因子FC?正偏势垒电容系数TF?正向渡越时间XTF7TF随偏置变化的系数VTF7TF随VBC变化的电压参数ITF?影响TF的大电流参数PTF?在F二1/ (2派TF) Hz时超前相移TR?反向渡越时间XTB7BF和BR的温度系数KF7I/F躁声系数AFI/F躁声指数Is=14. 34f反向饱和电流。

Xti=3?饱和电流的温度指数Eg二1.11?硅的带隙能量Vaf=74. 03?正向欧拉电压Bf二255. 9?正向电流放大系数Ne=l. 307?B—E极间的泄漏饱和发射系数 +?Ise=14. 34fB—E极间的泄漏饱和电流 Ikf=. 2847?正向BETA大电流时的滑动拐点Xtb=l. 5?电流放大系数的温度系数Br=6. 092?理想反向电流放大系数Nc=2?B-C间的泄漏发射系数Isc=0?Ikr=0?反向BETA (R)大电流时的滑动拐点Rc二1?集电极电阻+Cjc二7. 306pB-E结零偏压时的耗尽电容Mjc=. 34167B-C结指数因子Vjc= 75?B-C结内建电势Fc=. 5?正向偏压时的耗尽电容系数Cje二22. 01p?B-E结零偏压时的耗尽电容Mje=. 377?B——E结指数因子Vje= 757B-E结内建电势+Tr=46. 91n反向渡越时间Tf=411. Ip?正向渡越时间Itf= 6?正向渡越时间随VBE变化的参数Vtf=l. 7?Xtf二3Rb二10)正向渡越时间随偏置变化的参数三极管参数中文字符号英文对照Pcm集电极最大耗散功率Icm集电极最大允许电流V(br) cbo发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压 V(br)ceo基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压 V(br)ebo集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压 Icb。

发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流 Ice基极开路时，集电极与发射极间反向漏电流Ieb集电极开路时，发射极与基极间反向漏电流Vce (sat)基极与发射极间的正向饱和压降Vbe (sat)集电极与发射极间的反向饱和压降 hFE共发射接法时静态电流放大系数(简称放大数)Ft特征频率（共发射极电流放大系数下降到1时的频率）Cob共基极输出电容Nf嗓声系数Fa共基极截止频率Hre共发射极交流输入开路时的电压反馈系数Gp共基极时功率增益Kp共发射极时功率增益Vf正向降压Vr反向降压Typ典型值Max最大值Min最小值If正向电流Ir反向电流Toff关闭时间共发极交流输入开路时的输示Cc 集电极电容Ccb-一集电极与基极间电容Cce 发射极接地输出电容Ci一-输入电容Cib 共基极输入电容Cie 共发射极输入电容Cies 共发射极短路输入电容Cieo-一共发射极开路输入电容Cn 中和电容（外电路参数）Co一-输出电容Cob-一共基极输出电容在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coe 共发射极输出电容Coeo-一共发射极开路输出电容Cre 共发射极反馈电容Cic-一集电结势垒电容CL一-负载电容（外电路参数）Cp-一并联电容（外电路参数）BVcbo-一发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo 基极开路，CE结击穿电压BVebo 集电极开路EB结击穿电压BVces-一基极与发射极短路CE结击穿电压BVcer-一基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压D-一占空比fT一-特征频率fmax 最咼振荡频率。

当三极管功率增益等于1时的工作频率hFE 共发射极静态电流放大系数hIE—-共发射极静态输入阻抗 hOE—-共发射极静态输出电导 hRE—-共发射极静态电压反馈系数hie-—共发射极小信号短路输入阻抗hre—-共发射极小信号开路电压反馈系数hfe—-共发射极小信号短路电压放大系数hoe-—共发射极小信号开路输出导纳IB—-基极直流电流或交流电流的平均值Ic-一集电极直流电流或交流电流的平均值IE-一发射极直流电流或交流电流的平均值Icb一-基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集 电极与基极之间的反向截I上电流Ice一-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集 电极与发射极之间的反向截止电流Iebo-一基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流leer—-基极与发射极间串联电阻R,集电极与发射极间的电压VCE为规 定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流Ices-—发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集 电极与发射极之间的反向截止电流Icex-—发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

IBM-—在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流 的最大值，或交流电流的最大平均值ICMP---集电极最大允许脉冲电流ISB-一二次击穿电流IAGC---正向自动控制电流Pc---集电极耗散功率PCM-一集电极最大允许耗散功率Pi一-输入功率Po-一输出功率Pose 振荡功率Pn一-噪声功率Ptot 总耗散功率ESB---二次击穿能量rbb'—-基区扩展电阻（基区本征电阻）rbb'Cc—-基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘 积rie—-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻roe-一发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入 短路时的输出电阻RE一-外接发射极电阻（外电路参数）RB—-外接基极电阻（外电路参数）Rc-一外接集电极电阻（外电路参数）RBE—-外接基极-发射极间电阻（外电路参数）RL一-负载电阻（外电路参数）RG—-信号源内阻Rth 热阻Ta-一环境温度Tc一-管壳温度Ts 结温Tjm—-最大允许结温Tstg一-贮存温度td 延迟时间tr 上升时间ts一-存贮时间tf---下降时间ton---开通时间toff 关断时间VCB一-集电极-基极（直流）电压VCE一-集电极-发射极（直流）电压VBE-一基极发射极（直流）电压VCB0—-基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEB0—-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCEO—-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下 的最高耐压VCER—-发射极接地，基极与发射极间串接电阻R,集电极与发射极间在 指定条件下的最高耐压VCES-—发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下 的最高耐压VCEX-—发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极 之间在规定条件下的最高耐压Vp 穿通电压。

VSB-一二次击穿电压VBB-一基极（直流）电源电压（外电路参数）Vcc-一集电极（直流）电源电压（外电路参数）VEE一-发射极（直流）电源电压（外电路参数）VCE（sat）-一发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压 降VBE（sat）-一发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VAGC-一正向白动增益控制电压Vn （p-p） 输入端等效噪声电压峰值Vn 噪声电压Cj—-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，错检波二极管的总电容Cjv 偏压结电容Co 零偏压电容Cjo-一零偏压结电容Cjo/Cjn-一结电容变化Cs—-管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV—-电压温度系数在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度 的绝对变化之比CTC一-电容温度系数Cvn 标称电容IF—-正向直流电流（正向测试电流）错检波二极管在规定的正向电压 VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦 半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定 功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定 的电流IF （AV） -一正向平均电流IFM （IM） 一-正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通 过二极管的最大正向脉冲电流发光二极管极限电流IH 恒定电流、维持电流Ii-一发光二极管起辉电流IFRM-一正向重复峰值电流IFSM-一正向不重复峰值电流（浪涌电流）1一-整流电流在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作 电流IF (ov) 正向过载电流IL-一光电流或稳流二极管极限电流ID-一暗电流IB2—-单结晶体管中的基极调制电流IEM 发射极峰值电流IEB10—双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20-一双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-一最大输出平均电流IFMP 正| nJ脉冲电流IP—峰点电流IV一-谷点电流IGT 晶闸管控制极触发电流IGD—-晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV) -一反向平均电流IR (In) 反向直流电流(反向漏电流)在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电。