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ACTIVE AREA 主動區(工作區) 主動電晶體(ACTIVE FRANSISTOR)被製造的區域即所謂的主動區(active area)在標準之 MOS製造過程中ACTIVE AREA是由，一層氮化矽光罩及等接氮化矽蝕刻之後的局部特區 氧化(LOCOS OXIDATION)所形成的，而由於泯用到局部場氧化之步驟〃所以Active AREA 會受到鳥嘴(BIRD'S BEAK)之影響而比原先之氮化矽光罩所定義的區域來得小以長0.6UM 之場區氧化而言大概會有O.5 UM之BIRD'S BEAK存在也就是說ACTIVE AREA比原在之 氮化矽光罩定義之區域小0.5UMAcetone 丙1. 丙碗是有機溶劑的一種，分子式為 CH30HCH32•性質〆無色，具剌激性薄荷臭味之液體3•用途〆在FAB內之用途，主要在於黃光室內正光阻之清洗、擦拭4 •毒性〆對神經中樞具中度麻醉性，對皮膚粘膜具輕微毒性，長期接觸會引起皮膚炎，吸 入過量之丙酮蒸氣會刺激鼻、眼結膜、咽喉粘膜、甚至引起頭痛、唸心、嘔吐、目眩、意 識不明等5 •允許濃度：1000ppmADI顯影後檢查After Developing Inspection 之縮寫目的〆檢杳黃光室製程;光阻覆蓋T對準T曝光弓顯影。

發現缺點後，如覆蓋不良、顯影不 良・・・・等即予修改(Rework) •以維產品良率、品質方法〆泯用目檢、顯微鏡為之AEI蝕刻後檢查1. AEI即After Etching Inspection，在蝕刻製程光阻去除、前反光阻去除後，分〉半對產品實 施主檢或抽樣檢查2. AEI之目的有四〆2-1提高產品良率，避免不良品外流2-2達到品質的一致性和製程之重複性2-3顯示製程能力之指標2-4防止異常擴大，節省成本3. 通常AEI檢杳出來之不良品，非必要時很少做修改因為重去氧化層或重長氧化層可能 造成元件特性改變可靠性變差、缺點密度增加生產成本增高，以及良率降低之缺點Air Showe空氣洗塵室進入潔淨室之前，槓穿無塵衣，因在外面更衣室之故•無塵衣上沽著塵埃，故進潔淨室之 前•槓經空氣噴洗機將塵埃吹掉Alignme nt對準目的〆在IC的製造過程中，必槓經過6至10次左右的對準、曝光來定義電路圖案，對準 就是要將層層圖案精確地定義顯像在晶片上面方法〆泯用晶片上的對準鍵•一般用十字鍵•和光罩上的對準鍵合對為之 方式〆1.人眼對準，2. 用光、電組合代替人眼，即機械式對準ALLOY/Sinter合金化ALLOY之目的在使鋁與矽基(SILICON SUBSTRATE)之接鋼有OHMIC特性，即電壓與 電流成線性關係。

ALLOY也可降低接觸的阻力值AL/SI鋁/矽靶此為金屬濺鍍時所使用的一種金屬合金材料冺用 AR 游離的離子，讓其撞擊此靶的表面， 把AL/SI的原子撞擊出來，而鍍在晶片表面上，一般使用之組成為AL/SI(1%),將此當做元 件與外界導線連接AL/SI/CU 鋁/矽/銅金屬濺鍍時所使用的原料名稱，通常是稱為TARGET,其成份為0.5%銅，1%矽及98.5% 鋁，一般製程通常是使用99%鋁1%矽〃後來為了金屬電荷遷移現象(ELEC TROMIGRATION) 故滲加 0.5%銅降低金屬電荷遷移ALUMINUM 鋁此為金屬濺鍍時，所使用的一種金屬材料，泯用Ar離子，讓其撞擊此種材料做成的靶表面• 把AL原子撞擊出來，而鍍在晶片表面上，將此做為元件與外界導線之連接ANGLE LAPPING 角度研磨ANGLELAPPING的目的是為了測量JUNCTION的深度，所作的晶片前處理，這種採用光 線干涉測量的方法就稱之ANAGLE LAPPING公式為Xj = /NF,即JUNCTION深度等於 入射光波長的一半與干涉條紋數之乘積但漸漸的隨著VLSI元件的縮小，準確度及精密度 都無法因應，如 SRP(SPREADING RESISTANCE PRQBING)也是應用・ ANGLE LAPPING 的方法作前處理，採用的方法是以表面植入濃度與阻質的對應關係求出 JUNCTION 的深 度，精確度遠超過入射光干涉法。

ANGSTROM 埃是一個長度單位，其大小為 1 公尺的佰億分之一，約人的頭髮寬度之伍拾萬分之一此單 位常用於IC製程上，表示其層(如SiO2, POLY, SIN・・)厚度時用APCVD (ATMOSPRESSURE) 常壓化學氣相沈積APCVD 為 ATMOSPHERE(大氣), PRESSURE (壓 力)， CHEMICAL (化學), VAPOR(氣相)及DEPOSITION (沈積)的縮寫，也就是說，反應氣體(如SIH4(g), PH3(g)， B2H6 和 O2 (g)) 在常壓下起化學反應而生成一層固態的生成物 (如 BPSG) 於晶片上AS75召申 〃自然界元素之一由33個質子• 42個中子及75個電子所組成〃半導體工業用的碑離子(As+)可由AsH氣體分解而得到〃 As是N-type dopant常用做N-〃場區•空乏區•及S/D植入Ashing, StRippH漿光阻去除1. 電漿光阻去除，就是以電漿(Plasma)的方式•將晶片表面之光阻加以去除2. 電漿光阻去除的原理•係泯用氧氣在電漿中所產生之自由基(Radical)與光阻(高分子的有 機物)發生作用，產生揮發性的氣體，再由邦浦抽走，達到光阻去除的目的。

反應機構如下 示:O + PRt CO2; H2O ; Polymer fragments,---3. 電漿光阻去除的生產速率(throughput)通常較酸液光阻去除為慢•但是若產品經過離子植 入或電漿蝕刻後•表面之光阻或發生碳化或石墨化等化學作用，整個表面之光阻均已變質, 若以硫酸吃光阻•無法將表面已變質之光阻加以去除•故均必槓先以電漿光阻去除之方式 來做Assembly晶粒封裝以樹脂或陶瓷材料•將晶粒包在其中•以達到保護晶粒，隔絕環境污染的目的，而此一連 串的加工過程•即稱為晶粒封裝(Assembly)封裝的材料不同，其封裝的作法亦不同，本公司幾乎都是以樹脂材料作晶粒的封裝•製程 包括〆晶片切割T晶粒目檢T晶粒上「架」(導線架，即Leadframe) T金旱線T模壓封裝T 穩定烘烤(使樹脂物性穩定)T切框、彎腳成型T腳沾錫T蓋印T完成以樹脂為材料之IC •通常用於消費性產品•如電腦、計算橫而以陶瓷作封裝材料之IC • 屬於高信賴度之元件,通常用於飛彈、火箭等較精密的產品上Back Grindin晶背研磨冺用研磨機將晶片背面磨薄以便測詴包裝,著重的是厚度、均勻度、及背面之乾淨度—般6吋晶片之厚度約20 mil—30 mil左右，為了便於晶粒封裝打線，故槓將晶片厚度磨薄 至 10 mil--15mil 左右。

Bake, Soft bake, Hard 烘培、軟烤、預烤烘烤(Bake):在機積體電路晶片的製造過程中，將晶片置於稍高溫(60°C~250°C)的烘箱 內或熱板上均可謂之烘烤隨其目的不同，可區分為軟烤(Soft bake)與預烤(Hard bake) 軟烤(Soft bake):其使用時機是在上完光阻後，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發去除， 並且可增加光阻與晶片之附著力預烤(Hard bake):又稱為蝕刻前烘烤(pre-etch bake),主要目的為去除水氣 增加光阻附著性, 尤其在濕蝕刻(wet etching )更為重要，預烤不全常會造成過蝕刻bf2二氟化硼〃—種供做離子植入用之離子 BF2+是由bf3氣體經燈絲加熱分解成〆B10,B11,F19,B10 BF2,B11F2經 Extraction 拉出及質譜磁場分析後而得到 〃是一種 p-type 離子，通常用做 VT 植入（層）及 S/D 質植入BOAT 晶舟BOAT原意是單木舟在半導體IC製造過程中，常需要用一種工具作晶片傳送，清洗及加 工，這種承載晶片的工具，我們稱之為 BOAT—般BOAT有兩種材質，一是石英，月一是鐵氟龍。

石英BOAT用在溫度較高（大於300 C）的場合而鐵氟龍BOAT則用在傳送或酸處理的場合B. 0.緩衝蝕刻液B. O. E.是HF與NH4F依不同比例混合而成6:1 BOE蝕刻即表示HF: NH4F =1:6的成份混 合而成HF為主要的蝕刻液，NH4F則做為緩衝劑使用泯用NH4F固定［H'］的濃度，使之 保持—定的蝕刻率HF會侵蝕玻璃及任何矽石的物質，對皮膚有強烈的腐蝕性，不小心被濺到，應用大量 沖洗Bonding Pa霹墊金旱墊-晶粒用以連接金線或鋁線的金屬層在晶粒封裝（Assemb ly）的製程中，有一個步驟是 作"銲線";即是用金線（塑膠包裝體）或鋁線（陶瓷包裝體）將晶粒的線路與包裝體之各個接腳 依金旱線圖（Bonding Diagram）連接在一起，如此一來，晶粒的功能才能有效地用由於晶粒上的金屬線路的寬度及間隙都非常窄小（目前TI-Acer的產品約是0.5微米左右的 線寬或間隙） ，而用來連接用的金線或鋁線其線徑目前由於受到材料的延展性及對金屬接線 強度要求的限制，祇能做到1.0-1.3mill （25.4〜33微米）左右在此情況下•要把二、三十微 米的金屬線直接連接到金屬線路間距只有0.5微米的晶上，一定會造成多條鋁路的橋接，故 晶粒上的鋁路，在其末端皆設計成一個4mi1見方的金屬層，此即為金旱墊，以作為接線用。

銲墊通常分布在晶粒之四個周邊上 （以冺封裝時的銲線作業），其形狀多為正方形，亦有人 將第一焊線點做成圓形，以資識〉半焊墊因為要作接線•其上的護層必槓蝕刻掉，故可在 焊墊上清楚地看到"開窗線"而晶粒上有時亦可看到大塊的金屬層，位於晶粒內部而非四 周，其上也看不到開窗線，是為電容Boron硼〃自然界元素之一，由五個質子及六個中子所組成、所以原子量是11另外有同位素，是 由5個質子及5個中子所組成，原子量是10,（B10）,自然界中這兩種同位素之比例是4:1, 可由磁場質譜分析中看出〃是一種p-type離子（B11+）,用來做場區、井區、VT及S/D植入BPSG 含硼及磷的矽化物BPSG乃介於POLY之上，METAL之下，可做為上下二層絕緣之用，加硼、磷，主要目的 在使回流後的STEP較町緩，以防止METAL LINE濺鍍上去後，造成斷線BREAKDOWN VOLTAGE崩潰電壓反向P-N接面元件所加之電壓為P接負而N接正，如為此種接法則當所加電壓通在某個 特定位以下時反向電流很小，而當所加電壓大於此特定位後，反向電流會急遽的增加，此 特定值也就是吾人所謂的崩潰電壓(BREAKDOWN VOLTAGE一般吾人定義反向P+-N接面 之反向電流為1UA時之電壓為崩潰電壓在P+-N或為N +- P之接回元件中崩潰電壓，隨著 N(或者P)之濃度之增加而減小。

Burn i預燒諂驗「預燒」(Burn in)為可靠性測詢的一種，旨在檢驗出那些在使用初期即損壞的產品，而在出 貨前予以剔除預壞詴驗的作法，乃是將元件(產品)置於高溫的環境下，加上指定的正向或反向的直流電 壓，如此殘留在晶粒上氧化層與金屬層之外來雜質離子或腐蝕性離子將容易游離而使故障 模式(Failure Mode)提早顯現出來，達到篩選、剔除「早期夭折」產品之目的預燒詢驗分為「靜態預燒」(Static Burn in)與「動態預燒」(Dynamic Burn in)兩種，前者在 詴驗時，只在元件上加上額定的工作電壓及消耗額定的功率而後者除此外並有模擬實際 工作情況的訊號輸入，故較接近實際況，也較嚴格。