大陆台湾英语led半导体照明术语对照表.doc

半导体照明术语对照表2009年2月序号大陆术语英文定义台湾地区术语一、基本术语1-01半导体semiconductor两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝缘体之间的一种材料，这种材料中的载流子浓度随外部条件改变而变化半導體1-02半导体器件semiconductor device其基本特性是由在半导体中的载流子流动所决定的器件半導體元件1-03[半导体]二极管(semiconductor) diode具有非对称的电压电流特性的两引出端半导体器件半導體)二極體1-04发光二极管；LEDlight-emitting diode当被电流激发时通过传导电子和光子的再复合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导体二极管發光二極體1-05固态照明solid state lighting采用固体发光材料，如发光二极管（LED）、场致发光（EL）、有机发光（OLED）等作为光源的照明方式固態照明1-06半导体照明 semiconductor lighting采用LED作为光源的照明方式半導體照明1-07衬底substrate用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺操作的基体单晶片基板1-08外延片epitaxial wafer用外延方法制备的具有电致发光功能的结构片。

磊晶片1-09发光二极管芯片 light-emitting diode chip具有PN结结构、有独立正负电极、加电后可辐射发光的分立半导体晶片發光二極體晶片(粒)1-10LED模块LED module由单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、控制电路封装在一起、带有连接接口并具有发光功能且不可拆卸的整体单元LED模組1-12LED组件 LED discreteness由LED或LED模块和电子元器件组合在一起，具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元LED元組件1-13内量子效率inner quantum efficiency有源区产生的光子数与所注入有源区的电子-空穴对数之比內部量子效率1-14出光效率light extraction efficiency逸出LED结构的光子数与有源区产生的光子数之比出光效率1-15注入效率Injection efficiency注入LED的电子-空穴对数与注入有源区的电子-空穴对数之比注入效率1-16外量子效率outer quantum efficiency逸出LED结构的光子数与注入LED的电子-空穴对数之比，等于内量子效率与出光效率和注入效率的乘积外部量子效率二、LED类型2-01单色光LEDmonochromatic light LED发出单一颜色光的LED，有红色、绿色、蓝色、黄色、紫色等。

單色LED2-02白光LEDwhite light LED用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成白色光的LED白光LED2-03直插式LED； DIP LEDDual In-line Package LED带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺的LED砲彈型封裝LED2-04贴片式LED； SMD LEDSurface Mounted Devices LED正负电极在封装基板上、适用于表面贴装工艺的LED表面封裝型LED2-05小功率LEDlow power LED单芯片工作电流在100mA（含100mA）以下的发光二极管小功率LED2-06功率LEDpower LED工作电流在100mA以上的发光二极管高功率LED2-07LED数码管LED nixietube采用LED显示数字或字符的器件或模块LED尼士管2-08LED显示器LED displayer采用LED显示数字、符号或图形的器件或模块LED顯示器2-09LED背光源LED backlight采用LED作光源，为被动显示提供光源的LED器件或模块LED背光源三、外延（工艺）3-01外延epitaxy用气相、液相或分子束等方法在衬底上生长单晶材料的工艺。

在衬底上生长组分与衬底材料相同的单晶材料，称同质外延；在衬底上生长与衬底组分不同的单晶材料，称异质外延磊晶3-02量子阱 quantum well组分不同或掺杂不同的半导体超薄层材料交替排列形成载流子势垒或势阱，并且具有量子效应的材料结构量子井3-03单量子阱single quantum well只有一个量子阱的材料结构單層量子井3-04多量子阱multi-quantum well包含多个单量子阱的材料结构多層量子井3-05金属有机化学汽相沉积；MOCVDmetal organic chemical vapor deposition金属有机化合物和非金属氢化物的汽相源经热分解合成反应外延生长单晶材料的方法有機金屬化合物半導體磊晶技術3-06超晶格 super lattice两种（或两种以上）组分（或导电类型）不同、厚度极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期材料结构，其薄层厚度远大于材料的晶格常数，但接近于或小于电子的平均自由程（或其德布洛意波长）超晶格3-07异质结 heterogeneous structure由两种或两种以上不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构。

異質接面3-08单异质结 single heterojunction由两种不同的半导体材料形成的异型（P-N）异质结构或同型（P-P或N-N）异质结构單異質接面3-09双异质结double heterojunction包含两个异质结的异质结构雙異質接面3-10图形化衬底graphical substrate在外延生长前，采用蚀刻的方法，在表面形成一定图案的衬底圖形化基板四、芯片（工艺）4-01湿法蚀刻 wet etching将晶片浸没于化学溶液中，通过化学反应去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面濕式蝕刻4-02干法蚀刻dry etching将晶片置于等离子气体中，通过气体放电去除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到晶片表面乾式蝕刻4-03曝光 exposure利用光学的方法，对涂布在晶片表面的光刻胶进行光化学反应的过程曝光4-04烘胶 baking在一定的温度下，使光刻胶固化的过程烘烤4-05蒸镀 evaporation将原材料通过某种方法变成蒸汽，使其在真空状态下沉积在待镀材料表面蒸鍍4-06激光剥离laser lift-off利用激光照射在芯片上，使外延层和衬底界面处熔化，从而将二种材料分离的方法。

雷射剝離4-07欧姆接触ohmic contact电压-电流特性遵从欧姆定律的非整流性的电和机械接触歐姆接觸4-08氧化铟锡电极Indium Tin Oxide electrode ITO蒸镀在芯片表面的一种化学成分为氧化铟锡的透明导电膜，以形成欧姆接触，有利于电流扩展及透光氧化銦錫電極4-09衬底转移；金属键合 substrate transfer metal bonding <芯片制造>将外延材料的外延层键合到其它衬底材料上并将原来的衬底去除的方法基板黏合4-10金属反射层reflective metal electrode在LED芯片表面蒸镀一层金属，形成一种可提高外量子效率的光反射层金屬反射層4-11同侧电极结构lateral electrode structureP、N电极在芯片的上面，使部分电流横向流过外延层的一种电极结构同側電極結構4-12垂直电极结构vertical electrode structureP、N电极分别在芯片的上下二端，使电流垂直流过外延层的一种电极结构垂直電極結構4-13承载基板 support substrate<芯片制造>用来承载外延层或芯片，并提供电极接触的一种材料。

承載基板4-14表面粗化 surface roughening在LED外延片或芯片表面形成可以提高芯片出光效率和外量子效率的粗糙表面结构表面粗化4-15正装芯片 normal chip发光二极管芯片电极在出光面上，衬底材料与支架焊接在一起的一种芯片结构傳統晶片4-16倒装芯片 flip chip发光二极管芯片电极倒扣焊接在承载基板上，形成一种芯片衬底（或靠原衬底面）朝上、引出电极在承载基板上的芯片结构覆晶晶片4-17芯片分选chip sorting按不同参数（例如电压、电流、波长、光强等）对芯片进行分档测试选择晶片分級4-18内陷电极 recessed electrode电极镶嵌在LED芯片外延层刻槽中嵌入電極4-19互补电极 complementary electrode在LED芯片垂直结构中，为避免底部所发光被顶部N电极吸收，在N电极正下方电极区域制作一个高阻层，使电流分布在N电极投影以外的互补区域互補電極4-20N面出光light extraction from N side发光二极管有源区发出的光从LED芯片的N面取出N極出光4-21侧面钝化lateral passivation在LED芯片侧面镀上保护层，使芯片避免沾污、保护芯片稳定性和可靠性。

側面鈍化五、封装5-01支架；框架leadframe提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组零件支架5-02点胶coat在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶點膠5-03装架die attachment (die bond)将LED芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的PCB或LED支架相应的位置上固晶5-04烧结sinter通过高温加热，使银胶固化固化5-05引线键合；压焊wire bonding为了形成欧姆接触用金属引线连接LED芯片电极与支架（框架）的引出端打線5-06LED 封装LED package将LED芯片和焊线包封起来，并提供电连接、出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺寸LED封裝5-07灌封 embedding采用模条灌装成型的封装方式嵌入5-08塑封 moulding采用模压成型的封装方式模具成型5-09点胶封装coating package采用点胶成型的封装方式，也称软包封點膠封裝5-10热沉heat sink与功率芯片粘接在一起的可以传导热量的金属或其它材料的导热体散熱片5-12共晶焊eutectic bonding在LED芯片与支架或热沉中间放置一种合金焊料（例如金或铅锡等），通过加温加压使之共熔的一种焊接方法。