2008年同等学力申硕电子科学与技术真题及答案.doc

2008年同等学力申硕电子科学与技术真题及答案本文由考研知道分子贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看 天津在职研究生网同等学力频道 绝密★启用前 2008 年同等学力人员申请硕士学位 学科综合水平全国统一考试 电子科学与技术试卷 第一部分 必答题 数值分析 第二部分 选答题（以下课程任选两门） Ⅰ.电磁场与波 Ⅱ.半导体物理 Ⅲ. 激光物理与技术 Ⅳ. 现代电路技术 Ⅴ. 信号处理 考生须知 1. 本试卷满分为 100 分，包含必答题和选答题两部分数值分析满分 30 分，每位考生必 答；选答题满分 70 分，包括电磁场与波、半导体物理、激光物理与技术、现代电路技 术和信号处理五门课程，每门课程满分 35 分，考生从中任选 2 门作答，多选者只按前 2. 3. 4. 5. 选 2 门计分 请考生务必将本人准考证号最后两位数字填写在本页右上角方框内 考生一律用蓝色或黑色墨水笔在答题纸指定位置上按规定要求作答，未做在指定位置上 的答案一律无效 答填空题时，务必在答题纸上标明每题每空的标号；答选择题时，请写明题号和所选英 文字母。

监考员收卷时，考生须配合监考员验收，并请监考员在准考证上签字（作为考生交卷的 凭据）否则，若发生答卷遗失，责任由考生自负 电子科学与技术试卷 第 1 页 共 14 页 在新浪微博关注我们 @zzyjs： 天津在职研究生网同等学力频道 第一部分 必答题 数值分析 （满分 30 分） 一、填空题（每空 1 分，共 8 分） ?2 1 ?2 1 ? 1．已知矩阵 A b = ? 4 0 ?1 3? ，用列主元素消去法解方程组 Ax = b ，第一步首先作 ? ? ?? 0 3 2 5?? 行变换把 ?? A b ?? 变换到 ? A(1) b(1) ? = ? ? 2．若 a > 0, x0 > 0 ， 迭 代 公 式 xk +1 ① ，其收敛阶为 ① ，其中 A(1) = PA ， P = ② . ax 2 + 1 k (k = 0, 1, 2, ?) 产 生 的 序 列 {xk } 收 敛 到 = 2axk ② . 3．设 f ∈ C 3 [0, 1], f (1) = f ′(1) = 0, f (0.5) = 1. 满足条件 p(0.5) = f (0.5), p (1) = f (1), p′(1) = f ′(1) 的不超过 2 次的插值多项式 p( x) = ① .拉格朗日插值余项表示式为 R ( x) = ② . dy ? = f ( x, y ), ( x0 ≤ x < b) 的数值方法 4．解常微分方程初值问题 ? dx ? y ( x0 ) = y0 ? yn +2 = 是 ① 4 1 2 yn +1 ? yn + hf ( xn +2 , y n + 2) 3 3 3 ② 阶的方法. 式的方法（填“显”或“隐”），它是 二、（每小题 5 分，共 10 分） 1．确定常数 b 和 c，使得函数 ? ( x) = x 2 + bx + c 是区间[0, 1]上以 x 为权函数的二次正交 2 多项式. 2．如果形如 ∫ 1 0 x f ( x)dx ≈ A0 f ( x0 ) + A1 f ( x1 ) 的近似求积公式有 3 次代数精确度，求 x0 ，x1 和 A0 + A1 的值（结果用 6 位小数数字表示）. 电子科学与技术试卷 第 2 页 共 14 页 在新浪微博关注我们 @zzyjs： 天津在职研究生网同等学力频道 三、（12 分）对于方程组 ? 2 ?1 ?1? ? x1 ? ? ?3? ? ?1 2 ?1? ? x ? = ? 0 ? ? ?? 2? ? ? ?? ?1 ?1 3 x3 4 （1）将系数矩阵 A 分解成 A = LLT ，其中 L 是对角元素为正数的下三角形矩阵. （2）如果分别用高斯—塞德尔（Gauss—Seidel）迭代法和雅可比（Jacobi）迭代法解方程 组，分析迭代是否收敛，证明你的结论. （3）写出高斯—塞德尔迭代法的分量计算公式. 取 x (0) = (0, 0, 0)T ，计算 x (1) . 电子科学与技术试卷 第 3 页 共 14 页 在新浪微博关注我们 @zzyjs： 天津在职研究生网同等学力频道 第二部分 选答题 课程Ⅰ 电磁场与波 （满分 35 分） 一、填空题（每空 1 分，共 14 分） 1．自由空间中积分形式法拉第电磁感应定律为： 路定律为： ② 。

① ；此式 ① ；积分形式修正的安培环 2．一个以速度 υ 运动的点电荷 q 在自由空间的电磁场中受到的力为 称为 ② 公式 3．一个可导的标量场 f 对应于位移 ds 的方向导数为 向上的导数与该标量场梯度之间的关系为： 4．一个标量场的梯度构成一个 量场的散度构成一个 ② ① ② ① ；该标量场 f 在 ds 方 （请选择“标量场”或“矢量场”）；一个矢 （请选择“标量场”或“矢量场”） ① ，磁场能密度 wH (r ) 和磁场 5．电场能密度 wE (r ) 和电场强度 E(r) 的关系为 ? 强度 H(r) 的关系为 ② 6．工程上，在海水中进行无线通信时，使用频率 7．自由空间中电磁波的传播速度为 相速为 ② ① ① 的长波，因为 ② （m/s），参数为 ε , μ 0 的媒质中电磁波的 二、问答题（每小题 5 分，共 15 分） 1．在自由空间中任何一点处，均匀平面波的电场能密度和磁场能密度相等吗？ 2．在空间任何一点，标量场梯度的方向都是指向标量场场量增加的方向吗？ 3．将电流元 I?dl 放置在理想导电地面之上高为 h 的地方，试问，为满足边界条件，若电 流元 I?dl 的取向为：（a）平行于地面；（b）垂直于地面，其镜象电流元的位置、取向 和数值如何？ 电子科学与技术试卷 第 4 页 共 14 页 在新浪微博关注我们 @zzyjs： 天津在职研究生网同等学力频道 三、计算题（每小题 3 分，共 6 分） 1．一个点电荷 q 置于一个半径为 R 的均匀介质球的球心（介质球的参数为 ε , μ0 ，且 ε 为 常数），球外是空气，求系统的位函数 Φ 。

2．三个点电荷 q1 , q2 , q3 在真空中分别置于点（1，0，0），（－1，0，0）和（0，0，1）处； 求该点电荷系统储存的静电场能 电子科学与技术试卷 第 5 页 共 14 页 在新浪微博关注我们 @zzyjs： 天津在职研究生网同等学力频道 课程Ⅱ 半导体物理 （满分 35 分） 一、填空题（每空 1 分，共 10 分） 1．在半导体中，电子遵循费米–狄拉克统计分布规律在与费米能级相等的能级上，被电子 占据的几率是 规律了 2．硅的导带底和价带顶不在 k 空间的相同点，这种能带结构类型的半导体称为 ① 导体；因而，当电子由价带顶激发到导带底时准动量将 ② （填是否变化） 3．中性杂质接受价带电子，从而为价带提供空穴并使本身成为负离子的杂质称为 ① 杂质；在制做开关器件时，在硅中掺金则因为它是有效的 ② 4．σ n 和 σ p 分别为半导体中复合中心对电子和空穴的俘获截面作为一个有效的复合中心， 通常要求 ① ，对于电子陷阱，要求 ② 填 σ n 和 σ p 的相对大小） ① 电流； 半 ① ；当 E ? EF >> KT 时，则可近似看成为遵循 ② 分 布 5．对硅pn结，pn结电流除少子扩散电流外，正偏时还要考虑势垒区中的 反偏时还要考虑势垒区中的 ② 电流。

二、选择题（每小题 1.5 分，共 6 分） 1．原胞是晶体体积最小的重复单元对硅晶体，一个原胞中含有的原子数是： A．1 个硅原子 C．4 个硅原子 空穴此空穴的准动量和能量为： A． ?k ， ? E C． ?k ， E B． ??k ， ? E D． ??k ， E B．2 个硅原子 D．8 个硅原子 2．价带顶附近有一波矢为 k 、能量为 ? E 的电子被激发到导带，相应在价带中产生一个 3．在平衡 pn 结的势垒区中，电子和空穴浓度的乘积 n ( x ) p ( x ) 为： A． n ( x ) p ( x ) = 0 C． n ( x ) p ( x ) ＜0 B． n ( x ) p ( x ) ＞0 D． n ( x ) p ( x ) = ni 2 4．下列哪种情况对 MOS 结构的平带电压没有影响？ A．可动电荷集中在金属与SiO 2 层界面处 B．可 动电荷集中在硅与SiO 2 层界面处 C．可动电荷集 中分布在SiO 2 层中间处 D．可动电荷均匀分布在 SiO 2 层中 电子科学与技术试卷 第 6 页 共 14 页 在新浪微博关注我们 @zzyjs： 天津在职研究生网同等学力频道 三、简答题（每小题 4 分，共 12 分） 1．何谓“饱和漂移速度”？并简要说明原因。

2．请写出爱因斯坦关系式，并说明载流子的扩散系数和迁移率为什么会存在着内在的联 系关系？ 3．简要说明金属—半导体接触的肖特基结与一般 pn 结在电学特性上的异同 四、计算题（7 分） 求室温（300K）时，下列情况下半导体 材料的电导率： （1）本征硅；（2 分） （2）掺磷浓度 N D = 1017 cm ?3 的硅；（2 分） （3）同时掺有磷浓度 N D = 1017 cm ?3 和硼浓度 N A = 1017 cm ?3 的硅3 分） （已知：300K 时，本征载流子浓度 ni = 1.5 ×1010 cm ?3 ；电子电荷 q = 1.6 ×10?19 C ； 载 流子迁移率：本征时， μ n = 1350cm 2 / V ? s ， μp = 500cm 2 / V ? s ；杂质浓度为1017 cm ?3 时 ， μn = 800cm 2 / V ? s ， μ p = 300cm 2 / V ? s ； 杂 质 浓 度 为 2 ×1017 cm ?3 时 ， μn = 600cm ?3 / V ? s ， μp = 250cm ?3 / V ? s 。