cadence实验：PMOS、NMOS设计步骤.docx

PMOS、NMOS 版图设计尺寸参考说明：数字1、2、3……代表画版图时，第一层、第二层、第三层 或说成第一步、第二步、第三步……，一步一步做下来一、 PMOS 版图有关尺寸参考1、 THIN （薄氧化层）：与DIFF （扩散区/有源区）等价，在画版图时可以用 DIFF 代替长度3.4 宽度 1.2 （默认单位 um）2、 GPOLY:多晶硅导电层做mos管的栅极，可以用POLY1代替，也可以做互 连线长：2.4宽：0.4 离有源区（即上面的THIN）左边缘1.5u，比有源区上下各长出 0.6u3、 CONT:引线孔，连接金属与多晶硅/有源区，第一层金属的接点 大小0.4*0.4 离有源区上边缘0.4 左边缘0.34、 METAL1：第一层金属，用于水平布线，如电源和地，器件之间的连接必须 依靠它 大小：0.8*0.8 离 CONT 各 0.25、 THIN （或 DIFF）： 大小 1.0*1.0 离 CONT 各 0.3 ,或离 METAL1 各 0.16、 PPIMP （或PIMP）： P型注入掩膜长：4.0宽：1.8离有源区上边缘0.3， 离有源区左边缘 0.37、 NWELL： N阱，不仅用在制造P型器件，常在隔离的时候也看到它。

长6.5 宽5.7，离PPIMP左边缘1.2，离PPIMP上边缘2.78、 再另外做一个节点： CONT（0.4*0.4） ， METAL1（0.8*0.8） ， THIN（1.0*1.0） 在已经画好图形的上方，CONT离PPIMP上端1.35，离NWELL左端1.89、 在新节点上加一个NPIMP （或NIMP）： N型注入掩膜，大小为1.7*1.7， 离 THIN 各 0.35二、 NMOS 版图有关尺寸参考1、THIN ：长 3.4 宽 0.42、GPLOY ： 与 PMOS 相同离有源区(即上面的THIN)左边缘1.5u，比有源区上下各长出0.6u3、 CONT ： 0.4*0.4 ，离有源区上边缘0.3 ，左边缘0.34、 METAL1 ：与 PMOS 相同5、 THIN ：与 PMOS 相同6、 NPIMP ：长4.0 宽1.6 离有源区上边缘0.3 ，离有源区左边缘0.37、 再另外做一个节点：CONT(0.4*0.4) , METAL1 (0.8*0.8) , THIN (1.0*1.0)在已画好图形的下方，CONT离NPIMP下端1.15，离NPIMP左端0.68、在新节点上加一个PPIMP： 大小1.7*1.7离THIN各0.35第三部分：画一个反相器时要做一个输入引脚1、 GPOLY:大小为1.6*1.6 （大小可以随意），离PMOS的NWELL下边缘0.7u（距离可以随意），此线框进入PMOS与NMOS相连的GPOLY深度为0.2。

2、 METAL1 :大小 0.8*0.8 ，离 GPOLY 各 0.43、 CONT : 0.4*0.4 ，离 METAL1 各 0.2。