应变片测量组桥方式.docx

下图为1/4桥（类型I）轴向应变配置中的应变计电阻:下图为1/4桥（类型I）弯曲应变配置中的应变计电阻:1/4桥（类型I）的应变计配置具有下列特性：??单个有效应变计元素位于轴向或弯曲应变的主方向具有补偿电阻（1/4桥完整电桥结构电阻）和半桥完整桥结构电阻温度变化可降低测量精度1000U£时的灵敏度为〜0.5mVout/Vex输入上级主题：?应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算1/4桥（类型I）的电路图电路图使用下列符号：??R1是半桥的完整电桥结构电阻R2是半桥的完整电桥结构电阻R3是1/4桥的完整电桥结构电阻，称为补偿电阻R4是用于测量伸展应变（+£）的有效应变计元素Vex是激励电压Rl是导线电阻VCH是测量电压通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位Vr是虚拟通道用于电压一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，Rl是导线电阻，Rg是额定应变计电阻下图为1/4桥（类型II）轴向应变配置中的应变计电阻：下图为1/4桥（类型II）弯曲应变配置中的应变计电阻：1/4桥（类型II）的应变计配置具有下列特性：??有效应变计元素和无效应变计元素（1/4桥的温度传感元素，称为补偿电阻）。

有效元素位于轴向或弯曲应变的方向补偿应变计位于连接至应变样本的温度电阻附近，但并未连接至应变样本，通常平行或垂直于主要的轴向应变方向该配置常被误认为是半桥（类型I）配置，在半桥（类型I）配置中，R3为有效元素且连接至应变样本，用于测量泊松比的效应完整桥结构电阻可使半桥保持完整可补偿温度对测量产生的影响1000u/寸的灵敏度为〜0.5mVout/VEX输入上级主题：?应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算1/4桥（类型II）的电路图电路图使用下列符号：??Ri是半桥的完整电桥结构电阻R2是半桥的完整电桥结构电阻R3是1/4桥的温度传感元素，称为补偿电阻R4是用于测量伸展应变（+£）的有效应变计元素VEX是激励电压Rl是导线电阻VCH是测量电压通过下列方程将1/4桥配置的电压比率转换为应变单位Vr是虚拟通道用于电压一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，Rl是导线电阻，Rg是额定应变计电阻下图为半桥（类型I）轴向应变配置中的应变计电阻：下图为半桥（类型I）弯曲应变配置中的应变计电阻：半桥（类型I）的应变计配置具有下列特性：??两个有效应变计元素，一个位于轴向应变方向，另一个平行或垂直于主要的轴向应变方向，作为泊松应变计。

完整桥结构电阻可使半桥保持完整轴向和弯曲应变的灵敏度较高可补偿温度对测量产生的影响对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定1000u/寸的灵敏度为〜0.65mVout/VEX输入上级主题：?应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算半桥（类型I）的电路图电路图使用下列符号：??R1是半桥的完整电桥结构电阻R2是半桥的完整电桥结构电阻R3是有效应变计元素，用于测量泊松效应（-£导致的收缩R4是用于测量伸展应变（+£）的有效应变计元素VEX是激励电压RL是导线电阻Vch是测量电压通过下列方程将半桥（类型I）配置的电压比率转换为应变单位Vr是虚拟通道用于电压一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，v是泊松比，RL是导线电阻，Rg是额定应变计电阻下图为半桥（类型II）弯曲应变配置中的应变计电阻:半桥（类型II）的应变计配置具有下列特性：??两个有效应变计元素分别位于应变样本顶部的轴向应变方向，以及应变样本底部的轴向应变方向??完整桥结构电阻可使半桥保持完整弯曲应变的灵敏度较高不能测量轴向应变可补偿温度对测量产生的影响1000u£时的灵敏度为〜1mVout/VEX输入上级主题：?应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算半桥（类型II）的电路图电路图使用下列符号：??Ri是半桥的完整电桥结构电阻。

R2是半桥的完整电桥结构电阻R3是用于测量收缩应变（+£）的有效应变计元素R4是用于测量伸展应变（+£）的有效应变计电阻Vex是激励电压Rl是导线电阻VCH是测量电压通过下列方程将半桥（类型II）配置的电压比率转换为应变单位Vr是虚拟通道用于电压一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，Rl是导线电阻，Rg是额定应变计电阻全桥（类型I）配置仅适用于测量弯曲应变下图为全桥（类型I）弯曲应变配置中的应变计电阻：全桥（类型I）的应变计配置具有下列特性：??四个有效应变计元素；两个位于应变样本顶部的弯曲应变方向，两个位于应变样本底部的弯曲应变方向弯曲应变的灵敏度较高不能测量轴向应变可补偿温度对测量产生的影响可补偿导线电阻对测量产生的影响1000U£时的灵敏度为〜2.0mVout/VEX输入上级主题：?应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算全桥（类型I）的电路图电路图使用下列符号:??R1是用于测量收缩应变（+£）的有效应变计元素R2是用于测量伸展应变（+£）的有效应变计元素R3是用于测量收缩应变（+£）的有效应变计元素R4是用于测量伸展应变（+£）的有效应变计元素VEX是激励电压Rl是导线电阻。

VCH是测量电压通过下列方程将全桥（类型I）配置的电压比率转换为应变单位Vr是虚拟通道用于电压一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子全桥（类型II）配置仅适用于测量弯曲应变下图为全桥（类型II）弯曲应变配置中的应变计元素：全桥（类型II）的应变计配置具有下列特性：??四个有效应变计元素两个位于弯曲应变方向，一个位于应变样本的顶部，一个位于应变计样本的底部两个作为泊松应变计，一个位于应变样本的顶部，一个位于应变计样本的底部，分别平行或垂直于主要的轴向应变方向不能测量轴向应变可补偿温度对测量产生的影响对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定可补偿导线电阻对测量产生的影响1000U£时的灵敏度为〜1.3mVout/VEX输入上级主题：?应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算全桥（类型II）的电路图电路图使用下列符号：??R1是用于测量收缩泊松效应（-£的有效应变计元素R2是用于测量伸展泊松效应（+£）的有效应变计元素R3是用于测量收缩应变（+£）的有效应变计元素R4是用于测量伸展应变（+£）的有效应变计元素VEX是激励电压RL是导线电阻VCH是测量电压通过下列方程将全桥（类型II）配置的电压比率转换为应变单位。

Vr是虚拟通道用于电压一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，v是泊松比下图为全桥（类型III）轴向应变配置中的应变计电阻：全桥（类型III）的应变计配置具有下列特性：??四个有效应变计元素两个位于轴向应变方向，一个位于应变样本的顶部，一个位于应变计样本的底部两个作为泊松应变计，一个位于应变样本的顶部，一个位于应变计样本的底部，分别平行或垂直于主要的轴向应变方向可补偿温度对测量产生的影响不能测量弯曲应变对主应变测量总效应的补偿由材料的泊松比确定可补偿导线电阻对测量产生的影响1000U£时的灵敏度为〜1.3mVout/Vex输入上级主题：?应变计电桥配置相关概念电桥传感器换算全桥（类型III）的电路图电路图使用下列符号：??Ri是用于测量收缩泊松效应（-£的有效应变计元素R2是用于测量伸展应变（+£）的有效应变计元素R3是用于测量收缩泊松效应（-£的有效应变计元素R4是用于测量伸展应变（+£）的有效应变计元素VEX是激励电压RL是导线电阻VCH是测量电压通过下列方程将全桥（类型III）配置的电压比率转换为应变单位Vr是虚拟通道用于电压一应变转换方程的电压比率，GF是应变计因子，v是泊松比。