第五章(全)光电子技术介绍.ppt

第五章：光电导探测器•简称简称PC(Photoconductive)PC(Photoconductive)探测器，也称探测器，也称为光敏电阻为光敏电阻•工作要求：为有源器件，工作时需要加工作要求：为有源器件，工作时需要加适当的偏流或者偏压适当的偏流或者偏压•主要类型：本征型、杂质型、薄膜型和主要类型：本征型、杂质型、薄膜型和扫积型5.1 光电导探测器的工作原理及电流分析 一、光生电流的计算一、光生电流的计算 材料材料：：n n型半导体型半导体 V VA A：：外加电压外加电压I IP P：光生电流：光生电流αα：光电导材料的吸收系数：光电导材料的吸收系数R R：：表面反射率表面反射率ττ0 0：：载流子平均寿命载流子平均寿命P P：入射的光功率入射的光功率入射光沿入射光沿x x方向的变化为：方向的变化为： （（5.1.1））LPdwxVA图图5.1、光电导探测器模型、光电导探测器模型如果如果n(x)表示在表示在x处光生载流子浓度，在外加电场作用下处光生载流子浓度，在外加电场作用下该处的漂移电流密度该处的漂移电流密度J(x)为：为： （（5.1.2）） 为光生载流子在外加电场作用下的漂移速度为光生载流子在外加电场作用下的漂移速度在探测器收集极上光电流平均值为在探测器收集极上光电流平均值为 假如探测器光敏面受均匀照射，电流平均值可以写成假如探测器光敏面受均匀照射，电流平均值可以写成 （（5.1.4））：为电子迁移率。

为电子迁移率 （（5.1.3））光生载流子浓度计算：光生载流子浓度计算：在在x处单位长度材料上吸收的光功率为处单位长度材料上吸收的光功率为 ααP P( (x x) )：：：在：在x处单位时间吸收的光子数处单位时间吸收的光子数 : :在在x方向上单位长度体积内的被吸收的光子数方向上单位长度体积内的被吸收的光子数 密度密度, ,由于由于αα包含包含了量子效率在里面，因此也了量子效率在里面，因此也 等于单位时间、单位体积产生的光电子数等于单位时间、单位体积产生的光电子数单位时间、单位体积内复合掉的光电子数单位时间、单位体积内复合掉的光电子数平衡状态下产生的光电子数等于复合掉的光电子数，因此有平衡状态下产生的光电子数等于复合掉的光电子数，因此有 （（5.1.5））（（5.1.7）） 代入（代入（5.1.45.1.4）式后得到光电流为）式后得到光电流为: : 得到得到计算量子效计算量子效：：I Ip p：产生的实际光电流：产生的实际光电流; ;I Ip0p0 ：入射光子全部被吸收所产生的光电流：入射光子全部被吸收所产生的光电流当入射光全部被半导体材料吸收时，在平衡状态下有当入射光全部被半导体材料吸收时，在平衡状态下有 (5.1.9)(5.1.9)（（5.1.8）） 其中其中 称为光电导探测器的内增称为光电导探测器的内增益，益， 计算计算I Ip0p0 得到光生载流子浓度为得到光生载流子浓度为可以得到相应的光电流为：可以得到相应的光电流为： 得到量子效率为得到量子效率为 (5.1.10)(5.1.10)把上式代入把上式代入(5.1.8)(5.1.8)式可以得到式可以得到 (5.1.11)(5.1.11)讨论讨论G G 值：值：①①G G =1=1：：表示光电子寿命表示光电子寿命ττ0 0刚好等于它在电极间的渡越时间刚好等于它在电极间的渡越时间 ττd d，每产生一个光电子对外回路电流正好提供一个，每产生一个光电子对外回路电流正好提供一个 电子的电荷电子的电荷e e。

②②G G <1<1：：表示光电子寿命表示光电子寿命τ0τ0小于电极间的渡越时间小于电极间的渡越时间τdτd，每个，每个 光电子对外回路电流的贡献将小于一个电子的电荷光电子对外回路电流的贡献将小于一个电子的电荷e e③③G G >1>1：：空穴在移动过程中很容易被光电导材料体内的晶体缺空穴在移动过程中很容易被光电导材料体内的晶体缺 陷和杂质形成的陷阱俘获当光电子在阳极消失时，陷和杂质形成的陷阱俘获当光电子在阳极消失时， 空穴仍留在体内，它将负极的电子感应到半导体中空穴仍留在体内，它将负极的电子感应到半导体中 来，感应进来的电子又在电场作用下运动到阳极，如来，感应进来的电子又在电场作用下运动到阳极，如 此循环，直到正电中心消失这种效应相当于一个光此循环，直到正电中心消失这种效应相当于一个光 子激发，可以有多个电子相继通过电极，因而在外回子激发，可以有多个电子相继通过电极，因而在外回 路对总的光电流的贡献将多于一个电子，相当于电流路对总的光电流的贡献将多于一个电子，相当于电流 被放大。

被放大5.2 光电导探测器的噪声及性能参数 1、噪声：、噪声：主要有主要有热噪声、产生热噪声、产生- -复合噪声和复合噪声和1/f1/f 噪声总的噪声功率为总的噪声功率为噪声功率谱密度分布特点噪声功率谱密度分布特点 ①①低频段主要是低频段主要是1/1/f f 噪声噪声②②中频段主要是中频段主要是g-rg-r噪声噪声③③高频段以热噪声为主高频段以热噪声为主④④噪声谱转折点与半导体材料和结噪声谱转折点与半导体材料和结 构、工艺有关系，对大多数光电构、工艺有关系，对大多数光电 导探测器来说，这两个转折点大导探测器来说，这两个转折点大 致在致在1KHz1KHz、、1MHz1MHz量级，通常的工量级，通常的工 作频率范围内作频率范围内g-rg-r噪声是主要的噪声是主要的 1kHz 1MHz图图5.25.2、光电导探测器的噪声分布、光电导探测器的噪声分布二、光电导探测器的性能参二、光电导探测器的性能参数数A.A. 响应率响应率电流响应率：电流响应率：电压响应率：电压响应率：（（5.2.2）） 前面的推导我们已经得到前面的推导我们已经得到可以得到响应率为：可以得到响应率为：把把 代入上式，可以得到电流响应率为：代入上式，可以得到电流响应率为： （（5.2.3）） 提高响应率的方法：提高响应率的方法：(1)(1)提高偏压提高偏压V VA A的值，偏压越高，输出电流越大，响应率越高，的值，偏压越高，输出电流越大，响应率越高， 但偏压过高，通过器件的电流产生的焦耳热将增加。

但偏压过高，通过器件的电流产生的焦耳热将增加2)(2)提高载流子寿命，可以在半导体中加入一些陷阱来提高载提高载流子寿命，可以在半导体中加入一些陷阱来提高载 流子寿命进而提高响应率，但会减慢响应速度流子寿命进而提高响应率，但会减慢响应速度3)(3)当入射的光功率一定时，减小光敏当入射的光功率一定时，减小光敏 面积能够提高单位体积内光生载流面积能够提高单位体积内光生载流 子的数量，进而提高响应率子的数量，进而提高响应率B B、光谱特性、光谱特性光电导探测器是选择性探测器，光电导探测器是选择性探测器，典型的光谱特性如右图典型的光谱特性如右图λλp p ：峰值响应波长：峰值响应波长 λλC C：长波限波长：长波限波长RV/RVP1.00.5 λλP PλλC C图图5.35.3、光谱响应特征、光谱响应特征光谱响应曲线分析：光谱响应曲线分析：①①采用的半导体材料不同导致不同的光谱响应波段：采用的半导体材料不同导致不同的光谱响应波段： ②②当波长由长波限端开始变小时，相应的光子能量增大，随着当波长由长波限端开始变小时，相应的光子能量增大，随着 波长的减小所有价电子有可能被激发至导带，入射光全部被波长的减小所有价电子有可能被激发至导带，入射光全部被 吸收，光生载流子的浓度达到最大，此时，光电导响应率达吸收，光生载流子的浓度达到最大，此时，光电导响应率达 到最大值。

继续减小入射波长，可使光在器件表面很薄的一到最大值继续减小入射波长，可使光在器件表面很薄的一 层完全吸收，使表面载流子密度很大，导致载流子复合概率层完全吸收，使表面载流子密度很大，导致载流子复合概率 增大，寿命降低，致使短波的响应率明显降低增大，寿命降低，致使短波的响应率明显降低本征型：本征型：把价电子激发至导带需要较把价电子激发至导带需要较高的能量，因此长波限波长短高的能量，因此长波限波长短杂质型：杂质型：把杂质能级上的电子激发至把杂质能级上的电子激发至导带需要较低的能量，因此长波限波导带需要较低的能量，因此长波限波长较长 本征型本征型 杂质型型λ 图图5.45.4、本征、杂质光电导光谱响应特征、本征、杂质光电导光谱响应特征C C、温度特性、温度特性光电导探测器的特性受工作温度影响很大，只要温度略光电导探测器的特性受工作温度影响很大，只要温度略有变化，它的光谱响应率、峰值响应波长、长波限等参有变化，它的光谱响应率、峰值响应波长、长波限等参数都要发生变化数都要发生变化主要原因：主要原因： 温度升高温度升高热激发载流子增多热激发载流子增多热噪声增加，同时光生载流子寿命下降热噪声增加，同时光生载流子寿命下降内增益内增益G下降下降探测率等参数下降探测率等参数下降光谱随温度变化特点：光谱随温度变化特点：温度升高，光谱响应峰值温度升高，光谱响应峰值向短波方向移动。

向短波方向移动 D*1010 PbS 1 2 3 4 5 10111012300K190K80K图图5.5、光谱随温度变化、光谱随温度变化D D、探测率、探测率以热噪声为主要噪声分析影响探测器探测率的主要因素以热噪声为主要噪声分析影响探测器探测率的主要因素探测率定义为：探测率定义为： 热噪声电压为热噪声电压为 ，因此探测率可写为：，因此探测率可写为： (5.2.4) 其中其中 增大偏压增大偏压V VA A，可以提高，可以提高R RV V，但同时通过器件的电流产生，但同时通过器件的电流产生 的焦耳热将增加（导致的焦耳热将增加（导致T T上升），对改善上升），对改善D D* *不明显实际使用时，光电导探测器有一最佳偏压或偏流，不同实际使用时，光电导探测器有一最佳偏压或偏流，不同 器件的最佳偏流不同器件的最佳偏流不同E E、光电导的驰豫过程、光电导的驰豫过程光电导材料从光照开始到获得稳光电导材料从光照开始到获得稳定的载流子浓度需要一定时间，定的载流子浓度需要一定时间，光生载流子的变化过程可以写：光生载流子的变化过程可以写： （（5.2.5）） 和和 分别为光生载流子寿命和稳态光生载流子浓度。

分别为光生载流子寿命和稳态光生载流子浓度 IA/IAopt Rv D* 图图5.65.6、最佳偏流选取点、最佳偏流选取点光电探测器的响应时间（光电探测器的响应时间（驰豫时间驰豫时间）：）：光生载流子浓度上升到稳态值的光生载流子浓度上升到稳态值的63%63%所需要的时间为响应时间，即所需要的时间为响应时间，即t t=τ=τ或光照突然停止后，光生载流子下降到稳定值的或光照突然停止后，光生载流子下降到稳定值的37%37%所需要所需要的时间，也是的时间，也是t=τt=τ •光电导的驰豫特性限制了器件对光电导的驰豫特性限制了器件对 较高调制频率的光功率的响应较高调制频率的光功率的响应6337 0 1 0 1 t/τI I 图图5.75.7、光电导的驰豫特性、光电导的驰豫特性ξ5.3 ξ5.3 实用光电导探测器实用光电导探测器5.3.1 5.3.1 单晶光电导探测器单晶光电导探测器( (一一) )本征型本征型: : (1)(1)碲镉汞碲镉汞 (HgCdTe)(HgCdTe)（（2 2）锑化铟）锑化铟(InSb)(InSb)（（3 3）碲锡铅）碲锡铅(PbSnTe)(PbSnTe)( (二二) )杂质型：杂质型：(1)(1)锗掺汞锗掺汞 (Ge:Hg)(2)(Ge:Hg)(2)锗掺镓锗掺镓 (Ge:Ga)(3)(Ge:Ga)(3)硅掺砷（硅掺砷（Si:AsSi:As））1 1、、碲镉汞光电导探测器碲镉汞光电导探测器工作特点工作特点：：Ⅱ(Hg)Ⅱ(Hg)—Ⅵ(Te)Ⅵ(Te)族化合物本征光电导探测器，具有较族化合物本征光电导探测器，具有较 高的工作温度。

高的工作温度材料制作材料制作：采用半导体合金法，将化合物蹄化镉：采用半导体合金法，将化合物蹄化镉 (CdTe) (CdTe) 和碲化和碲化 汞汞 (HgTe) (HgTe) 混合成合金系统混合成合金系统禁带宽度禁带宽度：：Eg(CdTe)=1.6eVEg(CdTe)=1.6eV；；Eg(HgTe)=Eg(HgTe)=－－0.3eV; 0.3eV; 讨论讨论: :①①当器件温度当器件温度T T一定时，一定时，EgEg与与x呈线性关系；呈线性关系；②②改变组分改变组分x，可以改变，可以改变EgEg，从而改变探测器的光谱响应范围从而改变探测器的光谱响应范围 ③③通过改变组分通过改变组分x和器件和器件工作温度，可以得到不同长波限及峰工作温度，可以得到不同长波限及峰 值响应波长的高性能探测器值响应波长的高性能探测器CdTeCdTe和和HgTeHgTe两种物质的混合固溶体两种物质的混合固溶体HgHg1-x1-xCdCdx xTeTe的禁带宽度为：的禁带宽度为：(5.2.6)① ① x=0.2 and T=77K(=0.2 and T=77K(液氮温度液氮温度) ) ：： 光谱响应范围：光谱响应范围：8-14um8-14um，， 探测率可达探测率可达2 2〰8*108*101010cm.Hzcm.Hz1/21/2/W/W的数量级。

的数量级② ② x=0.28 and T=300K or T=195K=0.28 and T=300K or T=195K：： 光谱响应范围：光谱响应范围：3-5um3-5um，， 当当=300K=300K时，探测率可达时，探测率可达10101010cm.Hzcm.Hz1/21/2/W/W 当工作温度下降至当工作温度下降至195K195K或或77K77K时，可使峰值波长向长波方向时，可使峰值波长向长波方向 延伸，并使探测率提高延伸，并使探测率提高l-2l-2个数量级个数量级③x=0.39③x=0.39（室温下工作）：（室温下工作）： 光谱响应为光谱响应为1-3um1-3um，， 探测率为探测率为. .图图4 4—1111、、4 4—1212绘出了绘出了HgCdTeHgCdTe光电导探测器不同组分光电导探测器不同组分x x的光谱的光谱响应曲线及其典型结构示意图响应曲线及其典型结构示意图典型的组分典型的组分x及工作温度及工作温度T T：：性能特点性能特点：：(1)HgCdTe(1)HgCdTe探测器响应率高探测器响应率高;(2);(2)响应频带宽响应频带宽(0-(0-几几MHz);(3)MHz);(3)易于和易于和前置放大器相连接前置放大器相连接;(4);(4)光电导内增益因子光电导内增益因子(G)(G)较大，可达较大，可达50-10050-100。

应用领域：应用领域： 在大气环境中，目标的红外辐射只能在在大气环境中，目标的红外辐射只能在1-2.51-2.5微米、微米、3-53-5微米和微米和 8-148-14微米三个窗口内有效传输，微米三个窗口内有效传输， HgCdTeHgCdTe探测器的光谱响应恰探测器的光谱响应恰 恰处在这三个窗口，因此它在热成像技术中有很重要的应用；恰处在这三个窗口，因此它在热成像技术中有很重要的应用；温度特性温度特性：工作温度降低，：工作温度降低，探测器响应率提高，相应峰探测器响应率提高，相应峰值波长向长波延伸值波长向长波延伸 HgCdTeHgCdTe扫积型光电导探测器扫积型光电导探测器：灵敏度很高：灵敏度很高, , 满足热成像系统满足热成像系统的要求的要求. .在技术上是在技术上是—个重大突破个重大突破 制冷方式：制冷方式：主要采用液氮杜瓦瓶致冷（主要采用液氮杜瓦瓶致冷（8-14um8-14um），可连续运转），可连续运转4-504-50小时国外已作到国外已作到8-14um8-14um温差电致冷工作于温差电致冷工作于193K193K的的HgCdTeHgCdTe商品器件，商品器件，其探测率可达其探测率可达10108 8cm.Hzcm.Hz1/21/2/W /W 。

工作原理工作原理：常作成长条形，如图所示当光点沿长条方向扫过时，：常作成长条形，如图所示当光点沿长条方向扫过时，外加电场驱使光生载流子沿光点扫描方向迁移，并保证光点扫描速外加电场驱使光生载流子沿光点扫描方向迁移，并保证光点扫描速度等于载流子迁移速度，光场在元件上产生的载流子被外加电场扫度等于载流子迁移速度，光场在元件上产生的载流子被外加电场扫在一起，最后堆积到元件末端的两电极之间，从而改变该区域的光在一起，最后堆积到元件末端的两电极之间，从而改变该区域的光电导，在外回路得到光信号电流在光电扫描与载流子迁移过程中，电导，在外回路得到光信号电流在光电扫描与载流子迁移过程中，信号经累积信号经累积( (积分积分) )输出，而噪声由于其不相关特性，不会像信号输出，而噪声由于其不相关特性，不会像信号—样累积，从而大大提高了器件的灵敏度，比通常的样累积，从而大大提高了器件的灵敏度，比通常的8-14um8-14um波段的红波段的红外探测器背景限提高了几倍外探测器背景限提高了几倍材料要求材料要求：：（（1 1）要求少数载流子寿命足够长，以免在迁移中很快复合掉；）要求少数载流子寿命足够长，以免在迁移中很快复合掉；（（2 2）要求扩散系数小，使全部光生载流子更有效地到达终端。

要求扩散系数小，使全部光生载流子更有效地到达终端3 3））HgCdTeHgCdTe是目前制作扫积型器件最理想的材料性能优于是目前制作扫积型器件最理想的材料性能优于 锑化铟和镝锡铅锑化铟和镝锡铅2 2、锑化铟光电导探测器、锑化铟光电导探测器 InSbInSb材料材料：本征半导体，可以作成光电导型、光伏型及光电磁：本征半导体，可以作成光电导型、光伏型及光电磁 型 禁带宽度禁带宽度：室温：室温300K300K时，时，Eg=0.17eVEg=0.17eV；；77K77K时，时，Eg=0.23eVEg=0.23eV，， 光谱特性光谱特性：：InSbInSb探测器主要靠改变器件工作温度来控制器光谱探测器主要靠改变器件工作温度来控制器光谱 相应 在在300K300K时时: :长波限波长长波限波长λc=7.5um,λc=7.5um,峰值波长峰值波长 λp=6umλp=6um，， 探测率可达探测率可达 。

在在77K77K时，时，λc=5.4um, λp=5um,λc=5.4um, λp=5um,探测率为探测率为 图图4 4－－1515给出了在给定调制频率下不同工作温度时给出了在给定调制频率下不同工作温度时InsbInsb器件的器件的光谱响应特性光谱响应特性图图4 4—1616则表示则表示InSbInSb器件器件D*D*、、RvRv，及噪声电压，及噪声电压V VN N与工作频率与工作频率f f 的关系曲线的关系曲线. .特点特点：：优点：优点：InsbInsb材料禁带宽度小，可用来制造性能良好的近红外探材料禁带宽度小，可用来制造性能良好的近红外探 测器；同时测器；同时InSbInSb单晶制作简单单晶制作简单缺点：缺点：噪声较大，影响器件灵敏度，实际应用中多在低温下工噪声较大，影响器件灵敏度，实际应用中多在低温下工 作三、碲锡铅三、碲锡铅(PbSnTe)(PbSnTe)光电导探测器光电导探测器PbSnTePbSnTe材料：材料：是是PbTePbTe和和SnTeSnTe的连续固溶体，为本征半导体，可的连续固溶体，为本征半导体，可 作成光电导型和光伏型两种探测器，工作于中红作成光电导型和光伏型两种探测器，工作于中红 外波段。

外波段PbPb1-x1-xSnSnx xTeTe组分组分x x有有0.170.17和和0.20.2两种，改变两种，改变SnSn的含量可改变其禁带的含量可改变其禁带宽度，从而改变光谱相应范围宽度，从而改变光谱相应范围图图4 4—1717给出了光谱响应特性给出了光谱响应特性特点：特点：改变工作温度对器件的灵改变工作温度对器件的灵 敏度也有很大的影响敏度也有很大的影响四、杂质型光电导探测器四、杂质型光电导探测器应用范围应用范围：光谱响应特性主要取决于所掺杂质的电离能：光谱响应特性主要取决于所掺杂质的电离能E Ei i，由于，由于 E Ei i<

主要原因是材料吸收系数较小 改善方法：可将器件制作成全反射小室，使入射光在探测改善方法：可将器件制作成全反射小室，使入射光在探测 器内经多次反射，增加光在探测器内的路程，器内经多次反射，增加光在探测器内的路程， 以增加光辐射的吸收，从而提高器件的响应率以增加光辐射的吸收，从而提高器件的响应率2 2）噪声较大：）噪声较大：为了抑制热噪声，杂质光电导探测器通常要求为了抑制热噪声，杂质光电导探测器通常要求 较低的工作温度，致冷条件比较苛刻较低的工作温度，致冷条件比较苛刻 GeGe：：HgHg：光电导探测器必须采用装有液氖的杜瓦瓶将其：光电导探测器必须采用装有液氖的杜瓦瓶将其 冷却到冷却到33K33K以下；以下； GeGe：：CuCu：需冷却到液氦温度：需冷却到液氦温度4K4K左右，这给使用带来极大左右，这给使用带来极大 的不便。

也是远红外波段探测的困难也是远红外波段探测的困难5.3.2 5.3.2 多晶光电导探测器多晶光电导探测器主要有主要有PbSPbS、、PbSePbSe和和PbTePbTe等，多是等，多是薄膜型薄膜型器件，又统称铅盐薄膜器件，又统称铅盐薄膜光电导探测器光电导探测器禁带宽度及光谱响应：禁带宽度及光谱响应：PbSPbS：室温下：室温下, ,禁带宽度禁带宽度Eg=0.37eVEg=0.37eV、长波限波长为、长波限波长为3um3umPbSe: PbSe: 室温下室温下,Eg=0.25eV,Eg=0.25eV、长波限波长为、长波限波长为5um 5um PbTe: PbTe: 室温下室温下,Eg=0.30eV,,Eg=0.30eV,长波限波长为长波限波长为4um4um工作温度工作温度：可工作于室温：可工作于室温(300K)(300K)、中温、中温(195K)(195K)及低温及低温(77K)(77K)，其，其中中PbSPbS探测器响应率和探测率都很高，成为探测器响应率和探测率都很高，成为2um2um波段近红外辐射波段近红外辐射探测的主要器件探测的主要器件一、多晶一、多晶PbSPbS光电导探测器光电导探测器材料特点材料特点：：PbSPbS薄膜是一种多晶化合物半导体，薄膜由晶粒薄膜是一种多晶化合物半导体，薄膜由晶粒及晶粒间层组成。

这些不同类型的晶粒及晶粒间层组成这些不同类型的晶粒(n(n型区型区) )和晶粒问层和晶粒问层(p(p型区型区) )彼此交叉，如图彼此交叉，如图4 4—1919所示工作原理：工作原理：无光照时：无光照时： 载流子的扩散载流子的扩散 → →晶粒交界面形成很多晶粒交界面形成很多p-np-n结结→→内电内电场将阻止多数载流子扩散场将阻止多数载流子扩散→→自由电子无法在整个导带中自由迁移自由电子无法在整个导带中自由迁移→→只有那些能量足以超过相应势垒的载流子才能在外电场作用下只有那些能量足以超过相应势垒的载流子才能在外电场作用下起导电作用起导电作用光照时：光照时：当光照当光照PbSPbS薄膜时薄膜时→→结两侧产生本征激发结两侧产生本征激发→→势垒高度降势垒高度降低低→→提高了载流子的迁移率，即产生光电导，其大小直接反映了提高了载流子的迁移率，即产生光电导，其大小直接反映了入射光功率的强弱入射光功率的强弱影响性能的因素：影响性能的因素：氧化处理的影响：氧化处理的影响：PbSPbS器件光电导的变化与制作过程的氧化程度器件光电导的变化与制作过程的氧化程度 有关氧化处理足够的有关氧化处理足够的PbSPbS薄膜经光激发后载流子迁移率变化薄膜经光激发后载流子迁移率变化 大，光电导就大，器件也就更加灵敏。

反之，对于氧化处理大，光电导就大，器件也就更加灵敏反之，对于氧化处理 不足的薄膜，不足的薄膜，则光激发后光电导变化小，相应的器件就不够则光激发后光电导变化小，相应的器件就不够 灵敏灵敏温度的影响：温度的影响：薄膜所处的温度越高，热激发载流子越多，它将薄膜所处的温度越高，热激发载流子越多，它将降低势垒高度，被内建电场限制的载流子很少，光激发后势降低势垒高度，被内建电场限制的载流子很少，光激发后势垒降低释放的载流子相应也少，光电导就小反之，在低温垒降低释放的载流子相应也少，光电导就小反之，在低温工作条件下，热激发载流子少，受光激发后光电导变化很大工作条件下，热激发载流子少，受光激发后光电导变化很大因此，降低因此，降低PbSPbS薄膜工作温度，既可增大光电导，又可降低薄膜工作温度，既可增大光电导，又可降低器件热噪声，从而大大提高器件的探测率器件热噪声，从而大大提高器件的探测率光谱特性光谱特性：图：图4 4—2020示出了示出了PbSPbS薄膜光电导探测器的光谱特性薄膜光电导探测器的光谱特性在室温工作条件下在室温工作条件下：探测率可达：探测率可达1.5X101.5X101111cm.Hzcm.Hz1/21/2/W/W，峰值响应波，峰值响应波 长为长为2.4um2.4um；；在在195K195K低温条件下：低温条件下：峰值波长接近峰值波长接近3um3um，探测率可高达，探测率可高达 10101212cm.Hzcm.Hz1/21/2/W /W 。

优点优点：：1-3um1-3um波段应用最广泛的器件，工艺简单、成熟，器件的波段应用最广泛的器件，工艺简单、成熟，器件的 响应率高，可工作于室温，价格低廉等响应率高，可工作于室温，价格低廉等缺点缺点：： PbsPbs薄膜光电导探测器的主要缺点是响应时间较长，一般薄膜光电导探测器的主要缺点是响应时间较长，一般 为为100-300us100-300us，低温下甚至可长达几十毫秒图，低温下甚至可长达几十毫秒图4 4—2121示出示出 了相应的频率响应特性曲线了相应的频率响应特性曲线二、多晶二、多晶PbSePbSe光电导探测器光电导探测器可工作于室温、中温或低温图可工作于室温、中温或低温图4 4—2020示出了示出了PbSePbSe分别工作于分别工作于77K77K、、195K195K，，295K295K时的光谱特性，其响应率比时的光谱特性，其响应率比PbSPbS低三、光敏电阻光敏电阻特点特点：主要有：主要有CdSCdS和和CdSeCdSe光敏电阻，它们对可见光敏感可分光敏电阻，它们对可见光敏感可分为单晶和多晶两种类型为单晶和多晶两种类型。

单晶单晶CdSCdS光敏电阻：光敏电阻：光谱响应光谱响应：单晶：单晶CdSCdS光敏电阻的光谱灵敏区在光敏电阻的光谱灵敏区在0.3-0.52um0.3-0.52um之间，之间，光谱响应与人眼的光谱响应非常接近，具有较高的灵敏度，同光谱响应与人眼的光谱响应非常接近，具有较高的灵敏度，同时对时对X X射线，射线， 射线均有响应射线均有响应响应速度响应速度：：CdSCdS光敏电阻响应时间为几个毫秒左右光敏电阻响应时间为几个毫秒左右多晶多晶CdSCdS光敏电阻光敏电阻特点特点：多晶：多晶CdSCdS光敏电阻光谱响应比单晶的宽，但响应时间较光敏电阻光谱响应比单晶的宽，但响应时间较长，在光调制频率高于长，在光调制频率高于1kHz1kHz就难于使用就难于使用 CdSeCdSe光敏电阻光敏电阻特点特点：光谱响应峰值在：光谱响应峰值在0.67um0.67um，响应时间比，响应时间比CdSCdS快CdSCdS、、CdSeCdSe光敏电阻主要的特点是：光敏电阻主要的特点是：造价低，可靠性高、寿命造价低，可靠性高、寿命长，因而广泛应用于自动化技术和摄影机的光量计中长，因而广泛应用于自动化技术和摄影机的光量计中。

人有了知识，就会具备各种分析能力，明辨是非的能力所以我们要勤恳读书，广泛阅读，古人说“书中自有黄金屋通过阅读科技书籍，我们能丰富知识，培养逻辑思维能力；通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平，培养文学情趣；通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面有许多书籍还能培养我们的道德情操，给我们巨大的精神力量，鼓舞我们前进。