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减少背崩的方案.ppt

4页
  • 卖家[上传人]:j****9
  • 文档编号:54940106
  • 上传时间:2018-09-22
  • 文档格式:PPT
  • 文档大小:73.50KB
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  • 常见问题
    • 减少背崩的设计方案,,影响背崩的因素,设备本身精度(目前没问题) 外围环境(主要是水) 水温要求23±1℃,并主轴水与切削水温度一致(设备); 压力0.3±0.01MPa(设备最基本的要求); 流量≥2L/min×14(工艺要求) 刀片的选择(27HABB,行业都在使用) TAPE的相关(SPV224,行业基本都用) 切进蓝膜的深度(3~10um,经验值为5~20um说明:3um用于切7mil,主要防止翻转裂膜),3个待验证的解决方案,1、Wafer贴膜后烘烤(同时,可以验证wafer透切前是否可以略去清洗步骤); 2、Wafer平分几个区域后,再进行全部透切;3、待切割水稳定后,验证wafer透切是否有背崩规律,这样就可以预防背崩背崩率的控制值,主要是验证方案1、2的可行性,若可行,背崩率至少可以降低2个百分点,为14%以内; 查询设备、切割水、蓝膜、衬底的使用情况,总结背崩率最低原因 切割水稳定,优化切割参数,背崩率能控制的更低。

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