极管命名方法课件.ppt

极管命名方法课件中国半导体器件型号命名方法中国半导体器件型号命名方法极管命名方法课件v半导体器件型号由五部分（场效应器件、半半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、导体特殊器件、复合管、PINPIN型管、激光器件型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成的型号命名只有第三、四、五部分）组成五个部分意义如下：五个部分意义如下： v第一部分：用数字表示半导体器件有效电极第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目2-2-二极管、二极管、3-3-三极管三极管 v第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性表示二极管时：的材料和极性表示二极管时：A-NA-N型锗材料、型锗材料、B-PB-P型锗材料、型锗材料、C-NC-N型硅材料、型硅材料、D-PD-P型硅材料型硅材料表示三极管时：表示三极管时：A-PNPA-PNP型锗材料、型锗材料、B-NPNB-NPN型锗型锗材料、材料、C-PNPC-PNP型硅材料、型硅材料、D-NPND-NPN型硅材料型硅材料 极管命名方法课件v第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-P-普通管、普通管、V-V-微波管、微波管、W-W-稳压管、稳压管、C-C-参量管、参量管、Z-Z-整整流管、流管、L-L-整流堆、整流堆、S-S-隧道管、隧道管、N-N-阻尼管、阻尼管、 U- U-光电器光电器件、件、K-K-开关管、开关管、X-X-低频小功率管低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)(F<3MHz,Pc<1W)、、G-G-高频小功率管（高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)f>3MHz,Pc<1W)、、D -D -低频大功率低频大功率管（管（f<3MHz,Pc>1W)f<3MHz,Pc>1W)、、A-A-高频大功率管高频大功率管（（f>3MHz,Pc>1W)f>3MHz,Pc>1W)、、T-T-半导体晶闸管（可控整流器）、半导体晶闸管（可控整流器）、Y-Y-体效应器件、体效应器件、B-B-雪崩管、雪崩管、J-J-阶跃恢复管、阶跃恢复管、CS-CS-场效场效应管、应管、BT-BT-半导体特殊器件、半导体特殊器件、FH-FH-复合管、复合管、PIN-PINPIN-PIN型型管、管、JG-JG-激光器件激光器件 v第四部分：用数字表示序号第四部分：用数字表示序号 v第五部分：用汉语拼音字母表示规格号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 极管命名方法课件例如：例如：3DG183DG18表示表示NPNNPN型硅材料高频三极管型硅材料高频三极管极管命名方法课件日本半导体分立器件型号命名方法日本半导体分立器件型号命名方法极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件美国半导体分立器件型号命名方法美国半导体分立器件型号命名方法极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件贴片电容的型号贴片电容的型号命名方法及规则简介命名方法及规则简介极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件 贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位的公制来表示。

贴片电容系列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225、2512等04表示长度是0.04英寸，02表示宽度0.02英寸，其他类同 英制英寸 公制mm 长度及公差 宽度及公差 厚度及公差 0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.05 0603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.10 0805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.30 1808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.00 1812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.50 2225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.50 3035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00 不同国家、厂商的命名方法不相同 极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件极管命名方法课件。