不同型号AMD主板只是BIOS设置项目有多有少.docx

1 / 4不同型号 AMD 主板只是 BIOS 设置项目有多有少,只如果有的项目,设置方式和内容基本不异一、BIOS 主菜单1、 Standard CMOS Features 标准 CMOS 属性2、 Advanced BIOS Features 高级 BIOS 属性3、 Integrated Peripherals 整合周边装备4、 Power Management 电源管理5、 H/W Monitor 硬件监测6、 Green Power 绿色节能7、 BIOS Setting Password 开机暗码设置8、 Cell Menu 核心菜单9、 M-Flash U 盘刷新 BIOS 10、User Settings 用户设置项11、 Load Fail-Safe Defaults 加载安全缺省值12、 Load Optimized Defaults 加载优化值13、 Save&Exit Setup 保存设置并退出14、 Exit Without Saving 退出而不保存二、Cell Menu 核心菜单设置1、 CPU 相干设置CPU 相干设置有 9 项1-1、CPU Specifications:这是查看 CPU 的规格和参数,也可以任何时间按 F4 查看。

1-2、AND Cool`n`Quiet:AMD CPU 的节能技术,也叫”凉又静” 依据 CPU 负载改变 CPU 的倍频和电压当 CPU 空暇时 ,核心电压降到最低 ,倍频也降到最低如果主板有微星的 APS 功效,请开启这个选项该选项的设置是 Enabled 和 Disabled1-3、Adjust CPU FSB Frequency(MHz):调整 CPU 的前端总线频率默认的频率是 CPU 的标准 FSB 频率,用户可以自己调整, 就是超频在这里直接键入频率数据, 比如 2201-4、Adjust CPU Ratio:调整 CPU 的倍频AMD 的 CPU 一般是锁定最高倍频的,只能减低倍频有个别不锁倍频的 CPU 才可以调整到更高的倍频该项的默认设置是 Auto敲回车,弹出倍频列表,用户可以从入选择希望的倍频1-5、Adjust CPU-NB Ratio:调整 CPU 内北桥( 内存节制器)的倍率AMD CPU 整合了内存节制器,这个选项可以调整内存节制器的倍率调整这个倍率要与内存频率设置彼此共同,一般需要屡次调整,才能到达最佳效果, 如果设置不不错, 有可能导致蓝屏死机1-6、EC Firmware:EC 固件设置。

这是 AMD SB710 芯片组新开的一个设置项,用于开启被 AMD 封闭核心(有部分是不克不及正常运作的 )这项的默认设置是 Normal敲回车 ,弹出选项菜单供用户选择Normal 是普通模式, 就是不开启封闭的核心Special 是特殊模式,开启被封闭的核心注重这个选项要共同下面的 Advanced Clock Calibration 设置1-7、Advanced Clock Calibration:高级时钟校准这是 SB750 开始有的有的功效用于校准 CPU 的时钟频率, 同时支持 AMD 的 CPU 超频软件 AMD Over DriveSB710 继承了这项功效,还可以共同 EC Firmware 开启封闭的核心默认设置是 Disabled敲回车弹出选项菜单:Auto 是自动模式想开启封闭的核心, 请设置为 AutoAll Cores 是对于所有核心都进行不异的高级时钟校准选择了 All Core 后,菜单会多出一个选项就是要求选择校准的百分比在 Value 上敲回车会弹出百分比选择菜单Per Core 可以对于每个核心独自设置时钟校准百分比选择 Per Core 后, 菜单会多出一个选项:也是要求选择校准的百分比。

在每一个 Value 敲回车城市弹出百分比选择菜单请注重,Value 的个数与 CPU 的核心计相匹配,比如 2 核的就有 2 个 Value 选项1-8、Auto Over Clock Technology:微星独占的一种自动超频技术,默认是 Disabled,可以设置为 Max FSB 2 / 4就是系统自动侦测 CPU 有可能超频的最大 FSB 值设置该项后,系统有可能重复启动屡次,最后找到最大 FSB启动因为 FSB 关于内存的频率,有可能会因为内存缘因而浮现在最大 FSB 情况下,不克不及进系统,或者蓝屏死机1-9、Multistep OC Booster:这是微星独占的超频匡助技术,当 CPU 因超频较高,不克不及启动时,可以哄骗这个选项它的作用是先以较低的频率启动进系统,然后再恢复本来频率该选项默认是 Disabled,有 Mode1 和 Mode2 选项Mode1 因此低于原频率 90%的频率启动Mode2 因此低于原频率 80%的频率启动2、内存相干设置内存设置有 3 项:2-1、MEMORY-Z:这是查看内存的 SPD 参数也可以任何时间按 F5 查看插 2 条内存, 弹出 2 条内存的 SPD 信息,如果插 4 条, 就会有 4 条 SPD 信息。

回车就能够查看 1 条内存的SPD:2-2、Advance DRAM Configuration:高级 DRAM 配置就是用户自己配置内存时序参数回车步入高级DRAM 配置:2-2-1、DRAM Timing Mode:DRAM 时序模式有 4 项设置:Auto、DCT0、DCT1、Both Auto 就是按内存条的 SPD 设置内存时序参数 DCT0 是设置通道 A,DCT1 是设置通道 B,Both 是设置 2 个通道默认设置是 Auto这是 DCT0 的时序参数设置:内存时序参数最主要的有四个CL-tRCD-tRP-tRAS,这四个参数也是在内存条上常常看到的,比如 8-8-8-24,就是这四个参数附注:内存时序参数知识1、内存芯片内部的存储单元是矩阵摆列的,所以用行(Row) 地址和列(Column)地址标识一个内存单元2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻觅内存的一个存储单元系统发出的地址编码需要颠末地址译码器译外出地址和列地址, 才可以对于内存读写3、内存芯片是易失性存储器,必需经常对于内存的每个存储单元充电 ,才可以保持存储的数据读写前要先对于选定的存储单元预充电(Pre charge)。

4、对于内存的存储单元读写前要先发出激活(Active)命令,然后才是读写命令5、 CL 就是 CAS Latency,CAS(列地址选通)潜伏时间,实际上也是延迟指的是 CPU 发出读命令到获得内存输出数据的时间间隔6、 tRCD 是 RAS-to-CAS Delay,行地址选通到列地址选通的延迟一般是指发出激活命令和读写命令之间的时间间隔在这段时间内颠末充电,数据旌旗灯号足够强7、 tRP 是 Row-Pre charge Delay,行预充电延迟一般是指发出预充电命令和激活命令之间的时间间隔在这段时间内对于激活的行充电8、 tRAS 是 Row-active Delay,行激活延迟一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的时间间隔9、上述潜伏和延迟时间可以用绝对于时间值 ns,也可用相对于时间-周期一般多用周期表达周期数越小, 内存的速度越高选购内存, 不仅要看标注的频率,还要看标注的时序参数内存时序参数标准由JEDEC 制定下面列出 DDR3 的时序参数规格, 供参考标准的时序参数有 7-7-7/8-8-8/9-9-9 三种,其中 7-7-7 的最好另有非标准的 7-8-8/8-9-9 的,这种时序参数的内存条,上标称频率就会死机蓝屏。

降一级频率就没有问题2-2-2、DRAM Drive Strength:DRAM 驱动强度该选项有四个参数,Auto 是 BIOS 自动依据内存设置其他是用户自己设置,DCT0 是设置通道 A,DCT1 是设置通道 B,Both 是设置 2 个通道设置为 DCT0/1 或 Both 时, 会增加设置项目,下面看看用户自己手动设置的项目:每个通道的旌旗灯号驱动强度设置包孕 8 项CKE Drive Strength:时钟允许(Clock enable)旌旗灯号驱动强度 3 / 4CS/ODT Drive Strength:片选/内建终端电阻驱动强度Addr/Cmd Drive Strength:地址 /命令驱动强度Clock Drive Strength:时钟旌旗灯号驱动强度Data Drive Strength:数据旌旗灯号驱动强度DQS Drive Strebgth:数据请求旌旗灯号驱动强度ProcOdt:CPU 内建终端电阻驱动强度的设置就是用户设置内存旌旗灯号的强度,一般以默以为 1,设置选项是默认的倍率:2-2-3、DRAM Advance Control:DRAM 高级节制该选项有四个参数,Auto 是 BIOS 自动依据内存设置。

其他是用户自己设置,DCT0 是设置通道 A,DCT1 是设置通道 B,Both 是设置 2 个通道设置为 DCT0/1 或 Both 时, 会增加设置项目,下面看看用户自己手动设置的项目:每个通道的高级节制有 6 项DRAM Termination:内存芯片的片内终端电阻从 DDR2 开始内存防止旌旗灯号干扰的终端电阻放在芯片内DDR3 也是如许这项是设置终端电阻的参数, 设置参数有 Auto、Disabled 、75 ohms、150 ohms、50 ohms默认是 AutoDRAM Drive Weak:减弱 DRAM 驱动强度设置参数有 Auto、Normal、Reduced Auto 是让 BIOS 依据内存条自动设置Normal 是默认强度,Reduced 是减弱驱动强度DRAM Parity Enable:允许 DRAM 奇偶校验奇偶校验是对于内存读写是防止数据错误的一种要领但允许奇偶校验会影响内存读写速度设置参数有 Auto、Enabled 、Disabled默认设置是 AutoDRAM Self Refresh Rate Enable:允许 DRAM 自刷新速率DRAM 刷新就是充电,通过充电保持数据旌旗灯号。

自刷新是封闭系统时钟 CKE,DRAM 采用自己的内部时钟确定刷新速率设置参数有Auto、Enabled、Disabled默认设置是 AutoDRAM Burst Length 32:DRAM 暴发模式的长度 32暴发模式是系统对于内存读写时一次持续读写持续读写的长度有 32 字节和 64 字节这项设置就是选择 32 字节,还是 64 字节设置参数有 Auto、64 字节、32 字节默认是 AutoAuto 就是由系统依据数据漫衍自动采用暴发模式的长度Bank Swizzle Mode:Bank 搅和模式内存芯片内的存储单元是按矩阵摆列的,每一矩阵组成一个 Bank,芯片内的 Bank 有 4 Bank、8 Bank 等,一般中文称之为逻辑 Bank内存芯片组成内存条后,也有 Bank,一般以 64 位为一个 Bank凡是一面内存的 8 颗芯片构成一个Bank双面就是 2 个 BankCPU 和内存进行数据交换时以 Bank 为单位, 一次交换 64 位数据,也就是凡是说的”带宽”,双通道就是 128 位这种 Bank 称之为物理 Bank CPU 访问内存时先定位物理 Bank,然后通过片选(旌旗灯号 )定位芯片内的逻辑 Bank。

插在 DIMM 槽的内存条有一个或 2 个片选 Bank,访问命令无论实际有几个片选 Bank,都是覆盖 2 个Bank Swizzle 模式就是通过异或(XOR)逻辑运算,判定实际的片选 Bank设置参数有Auto、Disabled、Enable。